Библиография трудов академика А.В.Ржанова за 1969-1979 годы
 Навигация
 
 

Научные школы ННЦ  
Ржанов А.В.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды
 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1949-1968 1969-1979 с 1980 года
 
1969 | 1970 | 1971 | 1972 | 1973 | 1974 | 1975 | 1976 | 1977 | 1978 | 1979

  1. Александров Л.Н. Получение и изучение свойств полупроводниковых пленок / Л.Н.Александров, А.В.Ржанов // Известия Академии наук СССР. Серия: Неорганические материалы. - 1969. - Т.5, N 4. - C.652-672. - Библиогр.: 69 назв.

  2. Клименко Э.А. Электрофизические свойства монокристаллических слоев Si на неориентирующих изолирующих подложках / Э.А.Клименко, А.В.Ржанов, А.К.Захаров // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.). - Новосибирск, 1969. - С.86.

  3. Овсюк В.Н. О квазинепрерывном спектре уровней в запрещенной зоне на поверхности полупроводника / В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.2. - С.294-297. - Библиогр.: 11 назв.

  4. Панькин В.Г. Фотоэлектрические явления на границе между монокристаллическими блоками германия / В.Г.Панькин, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.). - Новосибирск, 1969. - С.39.

  5. Покровская С.В. Влияние адсорбции сероводорода на поверхностные параметры германия / С.В.Покровская, А.В.Ржанов // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.). - Новосибирск, 1969. - С.36.

  6. Применение фотомагнитного эффекта для изучения объемной поверхностной рекомбинации в монокристаллических слоях германия на сапфире / А.К.Захаров, А.В.Ржанов, А.Г.Клименко, Е.А.Клименко // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.8. - P.1275-1276.

  7. Ржанов А.В. Большой стаж молодой науки / А.В.Ржанов, С.Г.Раутиан // За науку в Сибири. - 1969. - 15 января (N 3). - С.3, 6-7.
    О проблемах физики полупроводников и задачах, стоящих перед учеными Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР.

  8. Ржанов А.В. Влияние адсорбции водорода на электрофизические параметры поверхности германия / А.В.Ржанов, Л.В.Луцевич, И.Г.Неизвестный // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.3. - C.437-440. - Библиогр.: 5 назв.

  9. Ржанов А.В. Исследование процессов рассеяния и захвата на поверхности германия повышенной чистоты / А.В.Ржанов, В.П.Мигаль, Н.Н.Мигаль // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.). - Новосибирск, 1969. - С.38.

  10. Ржанов А.В. Исследование реальной поверхности германия в сверхвысоком вакууме / А.В.Ржанов, Л.В.Луцевич // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.). - Новосибирск, 1969. - С.32.

  11. Ржанов А.В. О энергетическом спектре поверхностных состояний в германии / А.В.Ржанов, В.П.Мигаль, Н.Н.Мигаль // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.9. - С.1333-1337. - Библиогр.: 11 назв.

  12. Ржанов А.В. Особенности поверхностных электронных процессов при большой ширине запрещенной зоны / А.В.Ржанов // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.). - Новосибирск, 1969. - С.3-4.

  13. Ржанов А.В. Поверхностное рассеяние в особо чистых образцах германия / А.В.Ржанов, В.П.Мигаль, Н.Н.Мигаль // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.2. - С.231-237. - Библиогр.: 13 назв.

  14. Ржанов А.В. Поглощение ИК-излучения поверхностными состояниями при пониженных температурах / А.В.Ржанов, М.П.Синюков // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.1. - С.52-57.

  15. Ржанов А.В. Физика поверхности и тонких пленок полупроводников: курс лекций / А.В.Ржанов. - Новосибирск, 1969. - Ч.1. - 100 с.
    Оглавление книги

  16. Электрофизические характеристики монокристаллических слоев германия и границ раздела слоев с неориентирующими подложками / А.В.Ржанов, Л.Н.Александров, Э.А.Клименко, А.К.Захаров, А.Г.Клименко // Труды IX международной конференции по физике полупроводников (Москва, 23-28 июля 1968). - Ленинград: Наука, 1969. - Ч.1. - С.520-524. - Библиогр.: 6 назв.

  17. Ovsyuk V.N. Quasicontinuous spectrum of levels in the forbidden band at the surface of a semiconductor / V.N.Ovsyuk, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 2. - P.250-251. - Bibliogr.: 11 ref.

  18. Rzhanov A.V. Absorption of infrared radiation by surface states at low temperatures / A.V.Rzhanov, M.P.Sinyukov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 1. - P.39-42.

  19. Rzhanov A.V. Influence of the adsorption of hydrogen on the electrical properties of the surface of germanium / A.V.Rzhanov, L.V.Lutsevich, I.G.Neizvestny // Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 3. - P.370-372. - Bibliogr.: 5 ref.

  20. Rzhanov A.V. Investigations of scattering and trapping processes of carriers in ultra pure germanium films / A.V.Rzhanov, W.P.Migal, N.N.Migal // Journal of Vacuum Science and Technology. - 1969. - Vol.6, N 4. - P.566-568.

  21. Rzhanov A.V. Surface scattering in very pure germanium samples / A.V.Rzhanov, V.P.Migal, N.N.Migal // Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 2. - P.190-195. - Bibliogr.: 13 ref.

  22. Панькин В.Г. О некоторых особенностях спектрального распределения фотопроводимости германия в области собственного поглощения / В.Г.Панькин, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т.4, вып.4. - С.679-684. - Библиогр.: 14 назв.

  23. Ржанов А.В. О быстрых поверхностных состояниях на силанированном германии / А.В.Ржанов, Т.И.Ковалевская // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т.4, вып.2. - С.321-324. - Библиогр.: 7 назв.

  24. Ржанов А.В. Физика поверхности и тонких пленок полупроводников: курс лекций / А.В.Ржанов - Новосибирск, 1970. - Ч.2. - 163 с.
    Оглавление книги

  25. Pankin V.G. Some features of the photoconductivity spectrum of germanium in the fundamental absorption region / V.G.Pankin, A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Semiconductors. - 1970. - Vol.4, N 4. - P.575-579. - Bibliogr.: 14 ref.

  26. Rzhanov A.V. Energy Spectrum of Surface States on Germanium / A.V.Rzhanov, W.P.Migal, N.N.Migal // Soviet Physics - Semiconductors. - 1970. - Vol.3, N 9. - P.1111-1114.

  27. Rzhanov A.V. Fast Surface States on Silane-Treated Germanium / A.V.Rzhanov, T.I.Kovalevskaya // Soviet Physics - Semiconductors. - 1970. - Vol.4, N 2. - P.261-263.

  28. Исследование границы раздела германий-пленка термической двуокиси германия / В.Н.Дроздов, Т.И.Ковалевска, А.В.Ржанов , К.К.Свиташев // IV Всесоюзное совещание по электронным явлениям на поверхности полупроводников: тезисы докладов (Киев, 26-28 октября 1971 г.). - Киев, 1971. - С.44.

  29. Исследование структуры переходного слоя в системе германий - пленка двуокиси кремния методом ИК-спектроскопии МНПВО / Т.И.Ковалевская, А.В.Нестерова, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т.5, вып.9. - С.1720-1724. - Библиогр.: 12 назв.

  30. Научные приборы и технический прогресс / Ю.Е.Нестерихин, А.В.Ржанов, В.Краснова [и др.] // Советская Сибирь. - 1971. - 21 апреля.
    О выставке «Сибирский прибор-71» Новосибирского научного центра.

  31. Панькин В.Г. Релаксация эффекта поля на германии / В.Г.Панькин, Е.С.Ржанова, А.В.Ржанов // IV Всесоюзное совещание по электронным явлениям на поверхности полупроводников: тезисы докладов (Киев, 26-28 октября 1971 г.). - Киев, 1971. - С.3-4.

  32. Ржанов А.В. Требование к полупроводниковым материалам, применяющимся в радиоэлектронике / А.В.Ржанов // Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов. - Новосибирск, 1971. - С.7-14.

  33. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / А.В.Ржанов. - Москва: Наука, 1971. - 480 с. - Библиогр.: 272 назв.
    Оглавление книги

  34. Rzhanov A.V. On study of electronic processes on the interface semiconductor-dielectric / A.V.Rzhanov // Proceedings of the International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures (Budapest, 1-17 Oktober, 1970). - Budapest: Akadémiai Kiadó, 1971. - P.41-52.

  35. Неизвестный А.В. Особенности процесса поверхностной рекомбинации на германии при некоторых воздействиях / А.В.Неизвестный, С.В.Покровская, А.В.Ржанов // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Т.6, N 2. - С.329-333. - Библиогр.: 8 назв.

  36. Новый способ получения монокристаллических слоев кремния на неориентирующих подложках / Э.А.Клименко, А.Г.Клименко, А.В.Ржанов, Р.Ю.Ибрагимов, Л.Н.Александров // III симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: тезисы докладов (Новосибирск, 12-17 июня, 1972  г.). - Новосибирск, 1972. - С.185.

  37. Ржанов А.В. Новый функциональный полупроводниковый прибор с переносом заряда / А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1972. - Т.1, вып.1. - С.46-54. - Библиогр.: 6 назв.

  38. Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля. I / А.В.Ржанов // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Т.6, вып.8. - С.1495-1501. - Библиогр.: 7 назв.

  39. Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля. II / А.В.Ржанов // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Т.6, вып.8. - С.1502-1507. - Библиогр.: 4 назв.

  40. Investigation of the structure of a transition layer, formed in an sio/2 film deposited on ge, by the infrared spectroscopic method of multiple frustrated total internal reflection // T.I.Kovalevskaya, S.N.Nesterova, A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Semiconductors. - 1972. - Vol.5, N 9. - P.1504-1507.

  41. Neizvestnyi I.G. Influence of certain treatments on surface recombination on germanium / I.G.Neizvestnyi, S.V.Pokrovskaya, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1972. - Vol.6, N 2. - P.281-284.

  42. Редактор: Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев / Л.Н.Александров; ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1972. - 227 c. - Библиогр.: 414 назв.

  43. Редактор: Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников: cборник статей / ответственный редактор А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1972. - 250 с.

  44. Гиновкер А.С. Запоминающие устройства на основе МНОП (металл-нитрид-окисел-полупроводник)-структур / А.С.Гиновкер, А.В.Ржанов, С.П.Синица // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, вып.5. - С.381-394. - Библиогр.: 68 назв.

  45. Исследование и границы раздела германий-сульфид германия методом дифракции медленных электронов / А.В.Ржанов, Б.З.Ольшанецкий, Л.Л.Васильева, С.М.Репинский // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т.7, вып.9. - С.1727-1731. - Библиогр.: 6 назв.

  46. Научная деятельность Института физики полупроводников СО РАН // Вестник Академии наук СССР. - 1973. - N 10. - С.3-8.
    Изложение и обсуждение доклада чл.-кор. Академии наук СССР А.В. Ржанова в Президиуме Академии наук СССР.

  47. Ольшанецкий Б.З. О структуре грани (100) кремния после окисления и при высоких температурах / Б.З.Ольшанецкий, А.В.Ржанов, Ф.Л.Эдельман // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т.7, вып.12. - С.2312-2314. - Библиогр.: 6 назв.

  48. Решительное осуждение: заявление ученых СО АН СССР [по поводу интервью академика А.Д. Сахарова, данного им зарубежным корреспондентам в Москве] / М.А.Лаврентьев, Г.К.Боресков, В.А.Кузнецов, Г.И.Марчук, А.В.Николаев, А.Н.Скринский, О.Ф.Васильев, А.А.Трофимук, Ю.Л.Ершов, Н.А.Желтухин, М.Ф.Жуков, А.А.Ковальский, В.А.Коптюг, С.С.Кутателадзе, М.М.Лаврентьев, В.П.Мамаев, А.В.Ржанов, В.Н.Сакс, Р.И.Солоухин, Э.Э.Фотиади // Правда. - 1973. - 2 сентября.

  49. Ржанов А.В. Комментирует директор / А.В.Ржанов // За науку в Сибири. - 1973. - 4 апреля (N 14). - С.4, 5.

  50. Ржанов А.В. Отчет о командировке в ФРГ / А.В.Ржанов, И.И.Недлин; Академия наук СССР, Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва: [б. и.], 1973. - 11 с.

  51. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - термическая двуокись германия. I / В.Н.Дроздов, Т.И.Ковалевская, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, вып.1. - С.52. - Библиогр.: 20 назв.

  52. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - термическая двуокись германия. II Электрофизические параметры системы / В.Н.Дроздов, Т.И.Ковалевская, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, вып.2. - С.154-158. - Библиогр.: 17 назв.

  53. Pan'kin V.G. Nature of the energy spectrum of surface states and kinetics of the pulse field effect - 2 / V.G.Pan'kin, E.S.Rzhanova, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1973. - Vol.6, N 8. - P.1302-1306.

  54. Rzhanov A.V. Nature of the energy spectrum of surface states and kinetics of the pulse field effect - 1 / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1973 - Vol.6, N 8. - P.1297-1301.

  55. Инициирование поверхностной химической реакции монокристаллического германия с газообразным бромом с помощью мощного аргонового лазера / М.Р.Бакланов, И.М.Бетеров, С.М.Репинский, А.В.Ржанов, В.П.Чеботаев, Н.И.Юршина // Доклады Академии наук СССР. - 1974. - Т.216, вып.3. - С.524-527.

  56. Трофимук А.А. Экономическая наука «глазами» других наук: [ответы на вопросы корреспондента журнала «Экономика и организация промышленного производства» З.Ибрагимовой] / А.А.Трофимук, Г.И.Марчук, А.В.Ржанов // Советская Латвия. - 1974. - 24 сентября.

  57. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - пиролитическая двуокись германия / В.Н.Дроздов, Т.И.Ковалевская, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1974. - Т.3, вып.5. - С.404-412. - Библиогр.: 17 назв.

  58. Initiation of a surface chemical reaction between single-crystal germanium and bromine gas by using a powerful argon laser / M.R.Baklanov, I.M.Beterov, S.M.Repinskii, A.V.Rzhanov, V.P.Chebotaev, N.I.Yurshina // Soviet Physics - Doklady. - 1974. - Vol.19, N 5. - P.312-314.

  59. Investigation of the interface between Ge and GeS by the low-energy electron diffraction method / A.V.Rzhanov, B.Z.Olshanetsky, L.L.Vasileva, S.M.Repinsky // Soviet Physics-Semiconductors. - 1974. - Vol.7, N 9, - P.1154-1156. - Bibliogr.: 6 ref.

  60. Olshanetsky B.Z. Structure of the (100) face of Si after oxidation and at high temperatures / B.Z.Ol'shanetskii, A.V.Rzhanov, F.L.Edelman // Soviet Physics-Semiconductors. - 1974. - Vol.7, N 12. - P.1538-1539. - Bibliogr.: 6 ref.

  61. Бородовский П.А. Пути создания интегральных схем СВЧ-диапазона / П.А.Бородовский, А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, вып.6. - С.548-560. - Библиогр.: 35 назв.

  62. Ковалевская Т.Е. Свойства структур Ge-Al2O3, полученных методом реактивного катодного распыления / Т.Е.Ковалевская, В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, вып.2. - С.185-188. - Библиогр.: 12 назв.

  63. Ржанов А.В. Брать в расчет опыт / А.В.Ржанов // Советская Сибирь. - 1975. - 13 мая.

  64. Ржанов А.В. Некоторые задачи научного приборостроения / А.В.Ржанов // Вестник Академии наук СССР. - 1975. - N 8. - C.13-15.

  65. Ржанов А.В. Предисловие / А.В.Ржанов // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников: сборник статей. - Новосибирск: Наука, 1975. - С.3-5.

  66. Ржанов А.В. Совместительство - расточительность или экономия? / А.В.Ржанов // Литературная газета. - 1975. - 18 июня (N 25). - С.2.

  67. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, вып.1. - С.3-24. - Библиогр.: 69 назв.

  68. Rzhanov A.V. Continuous spectra of energy and cross sections of surface states on the germanium-germanium dioxide interface / A.V.Rzhanov // Physica Status Solidi. Series A: Applications and Materials Sciences. - 1975. - Vol.31, N 1. - P.323-330. - Bibliogr.: 18 ref.

  69. Редактор: Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников: cборник статей / ответственный редактор А.В.Ржанов; Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1975. - 187 с.

  70. Германиевый МДП-транзистор / Квон Зе Дон, И.Г.Неизвестный, В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1976. - Т.5, вып.4. - С.363-366. - Библиогр.: 10 назв.

  71. Гриценко В.А. Кинетика неравновесных процессов, обусловленных эффектом Френеля в сильном электрическом поле / В.А.Гриценко, А.В.Ржанов // Журнал технической физики. - 1976. - Т.46, вып.10.- С.2155-2161. - Библиогр.: 11 назв.

  72. Исследование хемосорбции атома кислорода на поверхности (111) и (001) германия методами РМХ и ППДП/2 / А.И.Волокитин, Г.В.Гадияк, А.А.Карпушин, Ю.Н.Мороков, С.М.Репинский, А.В.Ржанов // Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т.10, вып.3. - С.436-442. - Библиогр.: 16 назв.

  73. Исследование хемосорбции атома кислорода на поверхности (111) и (001) германия методами ППДП/2 / А.И.Волокитин, Г.В.Гадияк, А.А.Карпушин, Ю.Н.Мороков, С.М.Репинский, А.В.Ржанов // Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т.10, вып.10. - С.1866-1871. - Библиогр.: 16 назв.

  74. Ржанов А.В. Введение / А.В.Ржанов // Свойства структур металл-диэлектрик - полупроводник / [Т.Е.Ковалевская, И.Г.Неизвестный, В.Н.Овсюк и др.]; [oтветственный редактор А.В.Ржанов]; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Москва: Наука, 1976. - С.5-14.

  75. Ржанов А.В. Звенья неразрывной цепи / А.В.Ржанов // За науку в Сибири. - 1976. - 20 мая (N 21). - С.3.

  76. Ржанов А.В. Отчет о командировке во Францию / А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва, 1976. - 6 с.

  77. Ржанов А.В. Ученый и технический прогресс / А.В.Ржанов // Литературная газета. - 1976. - 6 октября (N 40).

  78. A germanium MIS transistor / Kvon Ze Don, I.G.Neizvestnyi, V.N.Ovsyuk, A.V.Rzhanov // Soviet Microelectronics. - 1976. - Vol.5, N 4. - P.292-295.

  79. Gritsenko V.A. Kinetic of nonequilibrium processes formed by Frenkel effect in high electric fields / V.A.Gritsenko, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Technical Physics. - 1976. - Vol.21, N 10. - P.1179-1190.

  80. Investigation of chemisorptions of an oxygen atom on (111) and (100) germanium surfaces by extended Hückel theory and complete neglect of differential overlap methods / A.I.Volokitin, G.V.Gadiyak, A.A.Karpushin, Yu.N.Morokov, S.M.Repinskii, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1976. - Vol.10, N 3. - P.260-265. - Bibliogr.: 16 ref.

  81. Investigation of chemisorptions of oxygen molecule on (111) and (100) germanium surfaces by method of complete neglect of differential overlap / A.I.Volokitin, G.V.Gadiyak, A.A.Karpushin, Yu.N.Morokov, S.M.Repinskii, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1976. - Vol.10, N 10. - P.1113-1116. - Bibliogr.: 16 ref.

  82. Редактор: Свойства структур металл - диэлектрик - подупроводник / редакторы: А.В.Ржанов, Т.Е.Ковалевская, И.Г.Неизвестный; Институт физики полупроводников. - Mосква: Наука, 1976. - 279 с.

  83. Редактор: Строителев С.А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников / С.А.Строителев; отвественный редактор А.В.Ржанов; Сибирскре отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1976. - 191 c.

  84. Гузев А.А. Исследование процессов захвата носителей заряда в МНОП-структурах с туннельно-тонким слоем двуокиси кремния / А.А.Гузев, Г.Л.Курышев, А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, вып.1. - С.27-32. - Библиогр.: 6 назв.

  85. Гузев А.А. Подвижность дырок в инверсионных каналах кремниевых МНОП-структур с туннельно-тонким слоем двуокиси кремния / А.А.Гузев, Г.Л.Курышев, А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, вып.1. - С.33-39. - Библиогр.: 7 назв.

  86. К теории модуляционной эллипсометрии / А.В.Архипенко, Ю.А.Блюмкина, А.В.Ржанов, А.Г.Свиташев // Доклады Академии наук СССР. - 1977. - Т.235, вып.2. - C.323-326.

  87. Ржанов А.В. Отчет о командировке в Японию / А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва: [б. и.], 1977. - 16 с.

  88. Ржанов А.В. Cистемы памяти на основе МДП-МНОП-структур / А.В.Ржанов, С.П.Синица // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, вып.6. - С.491-502. - Библиогр.: 5 назв.

  89. Электронные процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / А.В.Ржанов, Р.С.Нахмансон, И.Г.Неизвестный, В.Н.Овсюк, С.В.Покровская, С.М.Репинский, К.К.Свиташев, С.П.Синица, М.П.Синюков, А.А.Французов // Фундаментальные исследования. Физико-математические и технические науки: сборник статей. - Mосква: Наука, Сибирское отделение, 1977. - C.144-152.

  90. Guzev A.A. A study of charge trapping in MNOS structures with tunneling-thickness silicon dioxide films / A.A.Guzev, G.L.Kuryshev, A.V.Rzhanov // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 1. - P.19-23.

  91. Guzev A.A. The hole mobility in surface channels in silicon MNOS structures with tunneling-thickness silicon dioxide layers / A.A.Guzev, G.L.Kuryshev, A.V.Rzhanov // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 1. - P.23-28.

  92. Indium Antimonide (112) Surface Structure / F.L.Edelman, B.Z.Olchanetscy, A.V.Rzhanov, A.A.Shklyayev // Proceedings of the seventh International Vacuum Congress and the third International Conference on Solid Surfaces of the International Union for Vacuum Science, Technique and Applications (September 12-16, 1977, Congress Centre Hofburg, Vienna, Austria). - Vienna, 1977. - Vol.3. - P.2411-2414.

  93. Rzhanov A.V. Ellipsometry as a tool for investigations of surface and interface phenomena / A.V.Rzhanov // Proceedings of the seventh International Vacuum Congress and the third International Conference on Solid Surfaces of the International Union for Vacuum Science, Technique and Applications (September 12-16, 1977, Congress Centre Hofburg, Vienna, Austria). - Vienna, 1977. - Vol.1. - P.655-662.

  94. Rzhanov A.V. Memory systems based on MOS and MNOS structures / A.V.Rzhanov, S.P.Sinitsa // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 6. - P.366-375.

  95. Theory of modulation ellipsometry / A.V.Arkhipenko, Yu.A.Blyumkina, A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Doklady. - 1977. - Vol.22, N 7. - P.402-404.

  96. Влияние термополевых циклов на характеристики МОП транзистора со сверхтонким подзатворным окислом / В.А.Гуртов, А.А.Французов, А.В.Ржанов, А.Б.Салякин // Микроэлектроника. - 1978. - Т.7, Вып.3. - С.281-283. - Библиогр.: 4 назв.

  97. Гриценко В.А. Аномальное рассеяние фотоинжектированных электронов в аморфной пленке / В.А.Гриценко, К.П.Могильников, А.В.Ржанов // Письма в журнал технической физики. - 1978. - Т.27, вып.7. - С.400-402. - Библиогр.: 6 назв.

  98. Ржанов А.В. Атомно-молекулярные процессы на поверхности полупроводника и на границе полупроводник-диэлектрик / А.В.Ржанов, С.М.Репинский // Журнал физической химии. - 1978. - Т.52, N 12. - C.3044-3049. - Библиогр.: 22 назв.

  99. Ржанов А.В. Кинетика процесса теплового выброса с учетом туннелирования с ловушек в оксидном слое / А.В.Ржанов, О.С.Шемелина, Т.И.Ковалевская // Тонкие диэлектрические пленки и МДП структуры. - Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1978. - С.5-12.

  100. Ржанов А.В. Перевоспитывать / А.В.Ржанов // Литературная газета. - 1978. - 15 марта (N 11).

  101. The effect of thermal-field cycles on the characteristics of MOS transistors with an ultrathin gate oxide / V.A.Gurtov, A.V.Rzhanov, A.B.Salyakin, A.A.Frantsuzov // Soviet Microelectronics. - 1978. - Vol.7, N 3. - P.216-217.

  102. Gritsenko V.A. Anomalous scattering of photo injected electrons in amorphous film / V.A.Gritsenko, K.P.Mogilnikov, A.V.Rzhanov // Journal of Experimental and Theoretical Physics. Letters. - 1978. - Vol.27, N 7. - P.375-378. - Bibliogr.: 7 ref.

  103. Rzhanov A.V. Atomic and Molecular Processes at Semiconductor Surfaces and at Semiconductor-Dielectric Interfaces / A.V.Rzhanov, S.M.Repinskii // Russian Journal of Physical Chemistry A. - 1978. - Vol.52, N 12. - P.1742-1747.

  104. Rzhanov A.V. Electron-transport in silicon oxynitride / A.V.Rzhanov, K.P.Mogilnikov, V.A.Gritsenko // Bulletin of The American Physical Society. - 1978. - Vol.23, N 3. - P.452-453.

  105. Rzhanov A.V. Electron transport in silicon oxynitride / A.V.Rzhanov, K.P.Mogilnikov, V.A.Gritsenko // Physics of SiO2 and its interfaces. - New York: Pergamon Press, 1978. - P.40-45. - Bibliogr.: 5 ref.

  106. Редактор: Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев / ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1978. - 227 c. - Библиогр.: 414 назв.

  107. Редактор: Проблемы физической химии поверхности полупроводников: сборник научных трудов / ответственный редактор А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1978. - 288 с.

  108. Редактор: Физика тонкопленочных систем: сборник научных трудов / научный редактор А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Институт физики полупроводников СО АН СССР, 1978. - 66 с.

  109. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур со сверхтонким подзатворным диэлектриком / А.А.Гузев, В.А.Гуртов, А.В.Ржанов, А.А.Французов // Международная конференцмя по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 13-19 сентября 1979). - Тбилиси, 1979. - C.133.

  110. Гузев А.А. Подвижность дырок в кремниевых МДП-структурах в области слабой инверсии / А.А.Гузев, А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1979. - Т.8, вып.1. - С.56-63. - Библиогр.: 14 назв.

  111. Основы эллипсометрии / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов; ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, 1979. - 422 с. - Библиогр.: 875 назв.
    Оглавление книги

  112. Ржанов А.В. О влиянии фундаментальных прикладных исследований в физике / А.В.Ржанов // Методологические проблемы современной науки. - Москва: Издательство политической литературы, 1979. - С.74-79.

  113. Ржанов А.В. Основные определения / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Основы эллипсометрии. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1979. - Глава I. - С.7-51.

  114. Ржанов А.В. Экспериментальное эллипсометрическое исследование сложных отражающих систем / А.В.Ржанов,К.К.Свиташев, А.И.Семененко // Основы эллипсометрии. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1979. - Глава IX. - С.331-363.

  115. Guzev A.A. Hole mobility in silicon mos structures in the weak inversion region / A.A.Guzev, A.V.Rzhanov // Soviet Microelectronics [english translation of Mikroelektronika]. - 1979. - Vol.8, N 1. - P.40-45.

  116. Hole mobility in inversion layers of MOS structures with super thin gate dielectric / A.A.Guzev, V.A.Gurtov, A.V.Rzhanov, A.A.Frantsuzov // Physica Status Solidi. Series A: Applications and Materials Sciences. - 1979. - Vol.56, N 1. - P.61-73. - Bibliogr.: 27 ref.

  117. Rzhanov A.V. Ellipsometric techniques to study surfaces and thin films / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Advances in Electronics and Electron Physics. - 1979. - Vol.49. - P.1-83. - Bibliogr.: 231 ref.

  118. Rzhanov A.V. Germanium MIS structures / A.V.Rzhanov, I.G.Neizvestny // Thin Solid Films. - 1979. - Vol.58, N 1. - P. 37-42.

  119. The study of hall mobility in inversion channel of MOS structures / A.A.Guzev, V.A.Gurtov, A.V.Rzhanov, A.A.Frantzuzov // Third International conference on electronic properties of two-dimensional systems, Lake Yamanaka (Japan), 1979, 3-6 September, 1979, Lake Yamanaka, Japan: papers. - [S. l.], 1979. - P.247.

  120. Value and gradient distribution of guise Fermi level in MOS transistor channel / A.A.Guzev, V.A.Gurtov, A.V.Rzhanov, A.A.Frantsuzov // Physica Status Solidi/ Series A: Applications and Materials Sciences. - 1979. - Vol.56, N 1. - P.37-47. - Bibliogr.: 8 ref.

  121. Редактор: Основы эллипсометрии / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко [и др.]; ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1979. - 422 с.
1949-1968 гг.НачалоНачало спискаПродолжениеПродолжениес 1980 года
 

Научные школы ННЦ А.В.Ржанов | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Виктория Лукьянова и Сергей Канн  
  

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2025 Отделение ГПНТБ СО РАН
Документ изменен: Thu Dec 19 10:03:09 2024. Размер: 53,936 bytes.
Посещение N 6944 с 12.12.2006