Библиография трудов академика А.В.Ржанова с 1980 г. по настоящее время
 Навигация
 
 

Научные школы ННЦ  
Ржанов А.В.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды
 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1949-1968 1969-1979 с 1980
 
1980 | 1981 | 1982 | 1983 | 1984 | 1985 | 1986 | 1987 | 1988 | 1989 | 1990 | 1991 | 1993 | 2098 | 2002 | 2020

  1. Бакланов М.Р. Растворение монокристаллов германия и кремния в парах XeF2 / М.Р.Бакланов, С.М.Репинский, А.В.Ржанов // Доклады Академии наук СССР. - 1980. - Т.253, вып.4. - C.884-886. - Библиогр.: 7 назв.

  2. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур / А.А.Гузев, В.А.Гуртов, А.В.Ржанов, А.А.Французов // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т.14, вып.4. - С.769-775. - Библиогр.: 12 назв.

  3. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур со сверхтонким диэлектриком / А.А.Гузев, В.А.Гуртов, А.В.Ржанов, А.А.Французов // Международная конференция по радиационной физике полупроводников (Киев, 1980). - Киев, 1980. - С.133.

  4. Овсюк В.Н. Электрофизические свойства тонких пленок полупроводников / В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов; Министерство высшего и средне-специального образования РСФСР, Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола. - Новосибирск: НГУ, 1980. - 95 с.

  5. Ольшанецкий Б.З. Одномерная периодическая структура на высокоиндексных поверхностях кремния / Б.З.Ольшанецкий, А.В.Ржанов // Письма в «Журнал экспериментальной и теоретической физики». - 1980. - Т.32, вып.5. - С.337-340. - Библиогр.: 10 назв.

  6. Определение спектральной зависимости приповерхностного фотовозбуждения за краем фундаментального поглощения полупроводника с использованием ПЗС / Х.И.Кляус, В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов, Ю.Н.Сердюк, Е.И.Черепов // 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. - Новосибирск, 1980. - Ч.1. - С.89-90.

  7. Приповерхностная область пространственного заряда германия при учете квантовых эффектов / З.Д.Квон, И.Г.Неизвестный, В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов // 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. - Новосибирск, 1980. - Ч.1. - С.78-79. - Библиогр.: 2 назв.

  8. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами / В.В.Болотов, В.А.Коротченко, А.П.Мамонтов, А.В.Ржанов, Л.С.Смирнов, С.С.Шаймеев // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т.14, вып.11. - С.2257-2260. - Библиогр.: 9 назв.

  9. Ржанов А.В. Методы контроля состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярых пучков / А.В.Ржанов, С.И.Стенин, Б.З.Ольшанецкий // Микроэлектроника. - 1980. - Т.9, вып.4. - С.292-301. - Библиогр.: 56 назв.

  10. Ржанов А.В. От редактора / А.В.Ржанов // Современные проблемы эллипсометрии: сборник статей. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.3.

  11. Ржанов А.В. Эллипсометрия - эффективный метод исследования поверхности твердых тел и тонких пленок / А.В.Ржанов // Современные проблемы эллипсометрии: сборник статей. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.4-11.

  12. Influence of electron irradiation on the Hall mobility of holes in inversion layers of metal-oxide-semiconductor structures / A.A.Guzev, V.A.Gurtov, A.V.Rzhanov, A.A.Frantsuzov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1980. - Vol.14, N 4. - P.451-454. - Bibliogr.: 12 ref.

  13. Ol'shanetski B.Z. One-dimensional periodic structure on high-index silicon surfaces / Ol'shanetski B.Z., A.V.Rzhanov // Journal of Experimental and Theoretical Physics. Letters. - 1980. - Vol.32, N 5. - P.313-315. - Bibliogr.: 10 ref.

  14. Radiation effects in semiconductors at low particle-radiation doses / V.V.Bolotov, V.A.Korotchenko, A.P.Mamontov, A.V.Rzhanov, L.S.Smirnov, S.S.Shameev // Soviet Physics - Semiconductors. - 1980. - Vol.14, N 11. - P.1337-1339. - Bibliogr.: 9 ref.

  15. Редактор: Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / И.Г.Бурыкин, Л.П.Воробьева, В.В.Грушецкий [и др.]; ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1980. - 186 с.

  16. Редактор: 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. В 2 частях. Ч.1 / ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск, 1980. - 163 с.

  17. Редактор: Современные проблемы эллипсометрии: сборник статей / под редакцией А.В.Ржанова; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1980. - 192 с.

  18. Ржанов А. Основоположник акустоэлектроники и акустооптики в Сибири: [К 60-летию со дня рождения чл.-кор. АН СССР С.В. Богданова] / А.Ржанов, К.Авдиенко // За науку в Сибири. - 1981. - 30 июля (N 30). - С.3.

  19. Ржанов А. Термодинамика и полупроводники / А.Ржанов, С.Репинский // За науку в Сибири. - 1981. - 10 декабря (N 49). - С.2.
    Об участии заместителя директора Института неорганической химии СО АН СССР, доктора химических наук Ф.А. Кузнецова в исследованиях по химической термодинамике полупроводников, отмеченных Государственной премией 1981 г.

  20. Ржанов А.В. Cовершенствовать труд ученого: из опыта работы коллектива Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР / А.В.Ржанов, К.Свиташев // Вечерний Новосибирск. - 1981. - 24 марта.

  21. Ржанов А.В. Предисловие редактора перевода / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Эллипсометрия и поляризованный свет / Р.Аззам, Н.Башара; перевод с английского под редакцией А.В Ржанова, К.К.Свиташева. - Москва: Мир, 1981. - С.5-8.

  22. СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников / А.В.Ржанов, Н.Н.Герасименко, С.В.Васильев, В.И.Ободников // Письма в журнал технической физики. - 1981. - Т.7, вып.20. - С.1221-1223. - Библиогр.: 5 назв.

  23. Microwave heating as a means of semiconductor heat treatment / A.V.Rzhanov, N.N.Gerasimenko, S.V.Vasilev, V.I.Obodnikov // Soviet Physics - Technical Physics Letters. - 1981. - Vol.7, N 10. - P.521-522. - Bibliogr.: 5 ref.

  24. Редактор: Аззам Р. Эллипсометрия и поляризованный свет / Р.Аззам, Н.Башара; перевод с английского под редакцией А.В.Ржанова, К.К.Свиташева. - Москва: Мир, 1981. - 583 c.

  25. Гершинский А.Е. Образование пленок силицидов на кремнии / А.Е.Гершинский, А.В.Ржанов, Е.И.Черепов // Поверхность: физика, химия, механика. - 1982. - N 2. - С.1-12. - Библиогр.: 34 назв.

  26. Гершинский А.Е. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике / А.Е.Гершинский, А.В.Ржанов, Е.И.Черепов // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, вып.2. - С.83-94. - Библиогр.: 65 назв.

  27. Кляус Х.И. Исследование фотогенерации за краем фундаментального поглощения кремния в приборах с зарядовой связью / Х.И.Кляус, В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов // Физика и техника полупроводников. 1982. - Т.16, вып.7. - С.1239-1343. - Библиогр.: 12 назв.

  28. Ржанов А.В. Анализ ближнего порядка в пленках нитрида кремния / А.В.Ржанов, Б.Н.Зайцев, Ф.Л.Эдельман // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.266, вып.6. - C.1381-1384. - Библиогр.: 10 назв.

  29. Ржанов А.В. О некоторых перспективах эффективности научных исследований / А.В.Ржанов // Методологические и философские проблемы физики. - Новосибирск: Наука, 1982. - С.22-31.

  30. Ржанов А.В. О некоторых путях повышения эффективности фундаментальных научных исследований / А.В.Ржанов // Вестник Академии наук СССР. - 1982. - N 2. - C.42-47.

  31. Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, вып.6. - С.499-511. - Библиогр.: 21 назв.

  32. Электронные процессы в тонких пленках / Л.Александров, А.Кравченко, И.Неизвестный, А.Ржанов, С.Синица, С.Стенин, А.Чаплик // Наука в Сибири. - 1982. - 19 августа (N 32). - С.1, 3.

  33. Эллипсометрический метод определения качества обработки поверхности / А.В.Ржанов, С.Н.Свиташева, К.К.Свиташев, В.К.Соколов, Ю.В.Ашкеров, Л.А.Осадчев, Л.С.Цеснек // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.267, вып.2. - C.373-376. - Библиогр.: 10 назв.

  34. Ellipsometric method of determining the quality of surface processing / A.V.Rzhanov, S.N.Svitasheva, K.K.Svitashev, V.K.Sokolov, Yu.V.Ashkerov, L.A.Osadchev, L.S.Tsesnek // Soviet Physics - Doklady. - 1982. - Vol.27, N 11. - P.967-969.

  35. Gershinskii A.E. Silicide thin films in microelectronics / Gershinskii A.E., A.V.Rzhanov, E.I.Cherepov // Soviet Microelectronics. - 1982. - Vol.11, N 2. - P.51-59. - Bibliogr.: 65 ref.

  36. Investigation of optical generation of carriers beyond the fundamental adsorption edge of silicon in charge-coupled devices // Kh.I.Klyaus, V.N.Ovsyuk, A.V.Rzhanov, Yu.N.Serdyuk, E.I.Cherepov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1982. - Vol.16, N 7. - P.791-794. - Bibliogr.: 12 ref.

  37. Zaitsev B.N. Analysis of short-range order in silicon-nitride films / B.N.Zaitsev, A.V.Rzhanov, F.L.Edelman // Soviet Physics - Doklady. - 1982. - Vol.27, N 10. - P.884-886.

  38. Редактор: Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / А.А.Двуреченский, Г.А.Качурин, Е.Д.Нидаев, Л.С.Смирнов; ответственный редактор А.В.Ржанов. - Москва: Наука, 1982. - 208 с. - Библиогр. в конце глав.

  39. Редактор: Методологические и философские проблемы физики / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт теплофизики; редакционная коллегия: С.С.Кутателадзе (ответственный редактор), А.Т.Москаленко, А.В.Ржанов [др.]. - Новосибирск: Наука, 1982. - 336 с.

  40. Редактор: Нитрид кремния в электронике / В.И.Белый, Л.Л.Васильева, В.А.Грищенко [и др.]; ответсвенный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1982. - 200 c.

  41. ОЖЕ и ЭСХА- профилирование пленок нитрида кремния после окисления / П.А.Ждан, А.И.Низовский, А.В.Ржанов, Ф.Л.Эдельман // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, вып.2. - С.334-336. - Библиогр.: 12 назв.

  42. Ржанов А.В. Графический метод интерпритации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях / А.В.Ржанов, С.Н.Свиташова, К.К.Свиташев // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, вып.5. - С.1123-1126. - Библиогр.: 6 назв.

  43. Ржанов А.В. МДП-микроэлектроника. Проблемы и перспективы развития: научное сообщение / А.В.Ржанов // Вестник Академии наук СССР. - 1983. - N 2. - C.98-106.

  44. Ржанов А.В. Системы памяти на основе МДП-структур / А.В.Ржанов, С.П.Синица // Микроэлектроника. - 1983. - Т.6, N 6. - С.491-497.

  45. Ржанов А.В. Требуется уточнить предмет и понятие информатики / А.В.Ржанов // Наука в Сибири. - 1983. - 8 сентября (N 35). - С.2.

  46. Ржанов А.В. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников // Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сборник статей. - Новосибирск: Наука: Сибирское отделение, 1983. - С.3-6.

  47. Auger and ESCA depth profiling of silicon-nitride films after oxidation / P.A.Zhdan, A.I.Nizovskii, A.V.Rzhanov, F.L.Edelman // Soviet Physics - Doklady. - 1983. - Vol.28, N 11. - P.964-965.

  48. Bentsion Moiseevich Vul: on his eightieth birthday 1983 / N.G.Nikol'skii, A.F.Plotnikov, A.V.Rzhanov, A.P.Shotov // Soviet Physics - Uspekhi. - 1983. - Vol.26, N 5. - P.462-463.

  49. Numerical simulation of the phase memory in nonlinear active media with diffusion / A.V.Rzhanov, Yu.A.Rzhanov, Yu.I.Balkarei, M.I.Elinson, L.L.Golik // NASECODE III. Proceedings of the Third International Conference on the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits (Galway, Ireland 1983). - Dublin: Boole Press, 1983. - P.242-251.

  50. Rzhanov A.V. Graphical method of interpreting the results of ellipsometric measurements on rough surfaces / A.V.Rzhanov, S.N.Svitasheva, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Doklady. - 1983. - Vol. 28, N 12. - P.1059-1061.

  51. Редактор: Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сборник материалов всесоюзной конференции / ответственный редактор А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1983. - 180 с.

  52. Лазерные методы очистки материалов электронной техники / А.С.Яценко, С.Н.Косолобов, А.В.Ржанов, Ю.М.Щекочихин, Л.М.Остаповский. - Москва: ЦНИИ «Электроника», 1984. - 60 c. - Библиогр.: 15 назв.

  53. Ржанов А.В. Молекулярная эпитаксия: состояние вопроса, проблемы и перспективы развития / А.В.Ржанов, С.И.Стенин // Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: материалы VI всесоюзной конференции (Новосибирск, 1982 г.) / отвветственный редактор Л.Н.Александров; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии. - Новосибирск: Наука: Сибирское отделение, 1984. - Ч.1. - С.5-34. - Библиогр.: 92 назв.

  54. Ржанов А.В. Предельные энергетические характеристики прямого преобразования солнечного излучения / А.В.Ржанов, Ю.П.Чукова // Доклады Академии наук СССР. - 1984. - Т.276, вып.6. - С.1385-1388. - Библиогр.: 15 назв.

  55. Rzhanov A.V. Limiting energy characteristics of direct conversion of solar energy / A.V.Rzhanov, Yu.P.Chukova // Soviet Physics - Doklady. - 1984. - Vol.29, N 6. - P.496-497.

  56. Редактор: Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / ответственные редакторы: А.В.Ржанов, В.Н.Овсюк. - Новосибирск: Наука, 1984. - 254 c.

  57. Аналитическая аппаратура и технологическое оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии / В.В.Анашин, Г.Г.Емелин, Б.З.Кантер, В.П.Мигаль, Е.Я.Погодаев, О.П.Пчеляков, А.В.Ржанов, С.И.Стенин, А.И.Торопов. - Новосибирск, 1985. - 59 с. - Библиогр.: 229 назв. - (Препринт / Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР; N 1).

  58. Вул Бенцион Моисеевич: некролог / Г.А.Алиев, В.И.Воротников, В.В.Гришин, Г.В.Романов, В.И.Долгих, М.В.Зимянин, А.П.Александров, Г.И.Марчук, В.А.Медведев, В.А.Григорьев, В.А.Котельников, Е.П.Велихов, В.А.Коптюг, А.А.Логунов, Ю.А.Овчинников, П.Н.Федосеев, К.В.Фролов, А.Л.Яншин, Г.К.Скрябин, А.М.Прохоров, Н.Г.Басов, С.В.Вонсовский, В.М.Тучкевич, З.И.Алферов, Б.К.Вайнштейн, К.А.Валиев, В.Л.Гинзбург, Ю.В.Гуляев, Н.Д.Девятков, Л.В.Келдыш, Г.В.Курдюмов, Ю.А.Осипян, Ю.К.Пожела, А.В.Ржанов, Д.В.Скобельцын // Вестник Академии наук СССР. - 1985. - N 6. - С.95-96.

  59. Установка для эпитаксии из молекулярных пучков с автоматическим эллипсометром / А.В.Архипенко, Ю.А.Блюмкина, М.А.Ламин, О.П.Пчеляко, Л.В.Соколов, С.И.Стенин, Н.И.Козлов, А.А.Крошков, А.В.Ржанов. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1985. - Вып.1. - С.93-96. - Библиогр.: 6 назв.

  60. Редактор: Эллипсометрия: теория, методы, приложения: материалы Всесоюзной конференции, Новосибирск, 9-11 июля, 1985 / редакторы: А.В.Ржанов, Л.А.Ильина. - Новосибирск: Наука, 1987. - 192 с.: ил.

  61. Исследование спектров комбинационного рассеяния света поликристаллических пленок халькогенидов свинца в области валентных колебаний адсорбированного кислорода / И.П.Ипатова, Е.В.Иванов, С.Н.Косолобов, А.В.Ржанов, А.В.Субашиев, Ю.М.Щекочихин // Физика и техника полупроводников. - 1986. - Т.20, вып.2. - С.243-247. - Библиогр.: 9 назв.

  62. Микроморфология эпитаксиальных пленок InAs при росте из молекулярных пучков на подложках GaAs / Ю.О.Кантер, А.И.Торопов, А.В.Ржанов, С.И.Стенин, Т.А.Гаврилова // Поверхность: физика, химия, механика. - 1986. - Вып.9. - С.83-87. - Библиогр.: 11 назв.

  63. Ржанов А.В. II международная конференция по модулированным полупроводниковым структурам (Киото, Япония) / А.В.Ржанов // Микроэлектроника. - 1986. - Т.15, вып.3. - С.195-202.

  64. Сдвиг края поглощения в облученном аморфном нитриде кремния / В.А.Гриценко, А.В.Ржанов, С.П.Синица, В.И.Федченко, Г.Н.Феофанов // Доклады Академии наук СССР. - 1986. - Т.287, вып.6. - C.1381-1383. - Библиогр.: 10 назв.

  65. Широкий взгляд / А.Ржанов, И.Неизвестный, З.Скубневский, Р.Щекочихина, А.Мардежов // Наука в Сибири. - 1986. - 31 июля (N 29). - С.7.
    О Свиташеве К.К.

  66. A molecular beam epitaxy system with automatic ellipsometer / A.V.Arkhipenko, Yu.A.Blyumkina, M.A.Lamin, O.P.Pchelyakov, L.V.Sokolov, S.I.Stenin, N.I.Kozlov, A.A.Kroshkov, A.V.Rzhanov // Physics Chemistry and Mechanics of Surfaces. - 1986. - Vol.4, N 1. - P.181-188.

  67. Investigation of the Raman scattering spectra of polycrystalline lead chalcogenide films in the region of valence vibrations of adsorbed oxygen / I.P.Ipatova, E.V.Ivanov, S.N.Kosolobov, A.V.Subashiev, Yu.M.Shchekochikhin, A.V.Rzhanov // Soviet Physics Semiconductors. - 1986. - Vol.20, N 2. - P.153-155. - Bibliogr.: 9 ref.

  68. Molecular beam epitaxycal growth of germanium and silicon films: surface structure, film defects and properties / A.V.Rzhanov, S.I.Stenin, O.P.Pchelyacov, B.Z.Kanter // Thin Solid Films. - 1986. - Vol.139, N 2. - P.169-175. - Bibliogr.: 12 ref.

  69. Shift of the absorption edge in irradiated amorphous silicon nitride / Gritsenko V.A., A.V.Rzhanov, S.P.Sinitsa, V.I.Fedchenko, G.N.Feofanov // Soviet Physics - Doklady. - 1986. - Vol.31, N 4. - P.341-342. - Bibliogr.: 10 ref.

  70. Structure of annealed polycrystalline silicon films. I Recrystallization / F.L.Edelman, J.Heydenreich, D.Hoehl, J.Matthai, I.Melnik, A.Rzhanov, M.Voelskov, P.Werner // Physica status solidi. Series A: Applications and Materials Sciences. - 1986. - Vol.98, N 2. - P.383-390. - Bibliogr.: 18 ref.

  71. Editor: Electronic Structure and Optical Properties of Silicon Nitride, Silicon Nitride in Electronics / edited by A.V.Rzhanov. - New York: Elsevier, 1986. - 234 p.

  72. Вьюн В.А. Акустоэлектронные методы исследования поверхности полупроводников / В.А.Вьюн, А.В.Ржанов, И.В.Яковкин; редактор С.В.Богданова; Академия СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск, 1987. - 126 c. - Библиогр.: 229 назв.

  73. Контроль параметров сверхрешеток в процессе их получения методом эллипсометрии / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.С.Мардежов, В.А.Швец // Доклады Академии наук СССР. - 1987. - Т.297, вып.3. - C.604-607. - Библиогр.: 5 назв.

  74. Молекулярно-лучевая эпитаксия как метод создания модулированных полупроводниковых структур / И.Г.Неизвестный, А.В.Ржанов, С.И.Стенин, В.Н.Шумский // Проблемы кристаллографии. - Москва: Наука, 1987. - C.190-214. - Библиогр.: 88 назв.

  75. Ускорение и наука в Сибири: «Круглый стол» журнала «Коммунист», Новосибирского обкома КПСС и Президиума СО АН СССР / В.А.Коптюг, А.С.Исаев, А.Д.Коробкин, А.А.Трофимук, Р.И.Салганик, В.Е.Накоряков, В.К.Шумный, Ю.А.Новоселов, Ю.И.Бородин, А.Н.Скринский, А.П.Бурдуков, А.А.Дерибас, А.В.Ржанов, А.С.Алексеев, Т.И.Заславская, А.Г.Гранберг, В.Е.Панин, Ю.Н.Молин, Ю.Д.Цветков, А.П.Деревянко, Р.С.Васильевский, Ю.Л.Ершов, И.М.Бобко; подготовил В.Пирожков // Коммунист. - 1987. - N 17. - С.54-66.

  76. Monitoring of superlattice parameters during ellipsometric measurements / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, A.S.Mardezhov, V.A.Shvets // Soviet Physics - Doklady. - 1987. - Vol.32, N 11. - P.930-932. - Bibliogr.: 5 ref.

  77. Spin-flip detector-spectrometer of IR laser radiation / A.V.Vdovin, A.V.Rzhanov, E.M.Skok, S.A.Studenikin // International Measurement Confederation: Proceedings of the 13th International Symposium of the Technical Committee on Photonic Measurements (Photon-Detectors), Braunschweig, West Germany. - Budapest: IMEKO Secretariat, 1987. - P.246-248.

  78. Редактор: Эллипсометрия: теория, методы, приложения: материалы конференции (Новосибирск, 9-11 июля 1985 г.) / ответственныe редакторы: А.В.Ржанов, Л.А.Ильина. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1987. - 192 с.

  79. Гистерезис высокочастотного эффекта поля в структурах Al/SiO2 / В.А.Вьюн, А.В.Ржанов, В.Н.Юмашев, И.Б.Яковкин // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов IX всесоюзного симпозиума (Новосибирск, 15-17 июня 1988 г.). - Новосибирск, 1988. - Ч.1. - C.102-103.

  80. Основное уравнение эллипсометрии для сверхрешеток / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.С.Мардежов, В.А.Швец // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.298, вып.4. - С.862-866. - Библиогр.: 5 назв.

  81. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (III) при сублимации в условиях нагрева электрическим током / А.В.Латышев, А.Л.Асеев, А.Б.Красильников, А.В.Ржанов, С.И.Стенин // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.300, вып.1. - C.84-88. - Библиогр.: 16 назв.

  82. Ржанов А.В. Из воспоминаний о Николае Николаевиче Яненко / А.В.Ржанов // Николай Николаевич Яненко. Очерки. Статьи. Воспоминания. - Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1988. - С.255-258.

  83. Behavior of monatomic steps on the silicon (111) surface upon sublimation when heated by an electric current / A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasil'nikov, A.V.Rzhanov, S.I.Stenin // Soviet Physics - Doklady. - 1988. - Vol.33, N 5. - P.352-354. - Bibliogr.: 16 ref.

  84. Belyi V.I. Silicon nitride in electronics / V.I.Belyi, A.V.Rzhanov. - Amsterdam; New York: Elsevier, 1988. - viii, 263 p. - (Materials Science Monographs; vol.34).

  85. Fundamental equation of ellipsometry for superlattices // A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, A.S.Mardezhov, V.A.Shvets // Soviet Physics - Doklady. - 1988. - Vol.33, N 2. - P.146-148. - Bibliogr.: 5 ref.

  86. Molecular-Beam Epitaxy as a Method of Creating Modulated Semiconductor Structures / I.G.Neizveslnyy, A.V.Rzhanov, S.I.Stenin, V.N.Shumskiy // Modern crystallography. - Commack [N. Y.]: Nova Science Publishers, 1988. - P.202.

  87. Редактор: Современные проблемы эллипсометрии / ответственный редактор А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1988. - 192 с.

  88. Редактор: Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников: cборник научных трудов / ответственные редакторы: А.В.Ржанов, С.М.Репинский; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1988. - 240 c.

  89. Edititor: Silicon nitride in electronics / V.I.Belyi, L.L.Vasilyeva, A.S.Ginovker [et al.]; edited by A.V.Rzhanov. - Amsterdam: Elsevier, 1988. - 263 p. - (Materials science monographs; vol.34). - Bibliogr.: 34 ref.

  90. Мультистабильность высокочастотного эффекта поля в структурах AI/ZnO/SiO2 / В.А.Вьюн, А.В.Ржанов, В.Н.Юмашев, И.Б.Яковкин // Поверхность: физика, химия, механика. - 1989. - Вып.6. - С.110-115. - Библиогр.: 19 назв.

  91. Памяти Ильи Абрамовича Гелинского / М.К.Балакирев, С.В.Богданов, А.М.Дыхне, А.В.Ржанов, В.Г.Покровский, А.В.Чаплик, В.Л.Покровский, С.К.Саввиных, Г.И.Сурдутович // Физика твердого тела. -1989. - Т.31, N 6. - С.312-313. - Библиогр.: 10 назв.

  92. Ржанов А.В. Сколько можно отставать ...: блеск научных идей и нищета технического прогресса / А.В.Ржанов, К.Свиташев, С.Стенин // Известия. - 1989. - 3 октября. - С.3.

  93. Il'ya Abramovich Gilinski / M.K.Balakirev, E.G.Batyev, S.V.Bogdanov, A.M.Dykhne, A.V.Rzhanov, V.L.Pokrovski, A.V.Chaplik, S.K.Savvinykh, G.I.Surdutovich // Soviet Physics - Solid State. - 1989. - Vol.31, N 6. - P.1096-1097. - Bibliogr.: 10 ref.

  94. Spin-flip detector-spectrometer of IR laser radiation / A.V.Vdovin, A.V.Rzhanov, E.M.Skok, S.A.Studenikin // Izvestiya po Khimiya Bulgarska Akademiya na Naukite (Bulgarian Chemical Communications). - 1989. - Vol.22, N 3-4. - P.613-614.

  95. Бакланов М.Р. Сверхмонослойная адсорбция в реакциях окисления и травления полупроводников / М.Р.Бакланов, С.М.Репинский, А.В.Ржанов // Кинетика и катализ. - 1990. - Т.31, вып.2. - С.292-305.

  96. Ржанов А.В. Свобода важнее всего: [интервью с академиком А.В. Ржановым / подготовила Н.Бородина] // Наука в Сибири. - 1990. - 6 апреля (N 11). - С.6.

  97. Состав и строение аморфного нитрида кремния, обогащенного кремнием / В.П.Болотин, А.В.Ржанов, И.А.Брютов, В.А.Гриценко // Доклады Академии наук СССР. - 1990. - Т.310, вып.1. - C.114-117. - Библиогр.: 13 назв.

  98. Baklanov M.R. Multilayer adsorption in reactions of oxidation and etching of semiconductors / M.R.Baklanov, S.M.Repinskii, A.V.Rzhanov // Kinetics and Catalysis. - 1990. - Vol.31, N 2. - P.249-261.

  99. Кирилл Сергеевич Александров / Л.М.Барков, Б.К.Вайнштейн, Е.П.Кругляков, А.В.Ржанов, Д.Д.Рютов, В.И.Симонов, А.Н.Скринский, Л.А.Шувалов, Б.В.Чириков // Успехи физических наук. - 1991. - Т.161, N 1. - С.189-190.

  100. Kirill Sergeevich Aleksandrov: on his sixtieth birthday / L.M.Barkov, B.K.Vainshtein, E.P.Kruglyakov, A.V.Rzhanov, D.D.Ryutov, V.I.Simonov, A.N.Skrinskii, L.A.Shuvalov, B.V.Chirikov // Soviet Physics - Uspekhi. - 1991. - Vol.34, N 1. - P.98-99.

  101. Редактор: Репинский С.М. Введение в химическую физику поверхности твердых тел / ответственный редактор А.В.Ржанов; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1993. - 222 с.

  102. Открытое письмо президенту Российской Федерации Б.Н.Ельцину / В.В.Болдырев, С.К.Годунов, А.П.Деревянко, Ю.Л.Ершов, М.Ф.Жуков, Д.Г.Кнорре, М.М.Лаврентьев, Ю.Н.Молин, В.Е.Накоряков, Л.В.Овсянников, В.Н.Пармон, Ю.Н.Решетняк, А.В.Ржанов, В.М.Титов, Ю.Д.Цветков, Ю.И.Шокин, Л.М.Горюшкин, А.К.Ребров, К.К.Свиташев, В.М.Фомин // Наука в Сибири. - 1998. - N 25 (июнь). - С.2.

  103. Александров Л.Н. Получение и изучение свойств полупроводниковых пленок / Л.Н.Александров, А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.244-268.

  104. Бородовский П.А. Пути создания интегральных схем СВЧ-диапазона / П.А.Бородовский, А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.297-311.

  105. Германиевый МДП-транзистор / Квон Зе Дон, И.Г.Неизвестный, В.Н.Овсюк, А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.350-354.

  106. Гиновкер А.С. Запоминающие устройства на основе МНОП (металл - нитрид - окисел - полупроводник) - структур / А.С.Гиновкер, А.В.Ржанов, С.П.Синица // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.312-326.

  107. Гузев А.А. Исследование процессов захвата носителей заряда в МНОП-структурах с туннельно-тонким слоем двуокиси кремния / А.А.Гузев, Г.Л.Курышев, А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.238-243.

  108. Овсюк B.Н. О квазинепрерывном спектре уровней в запрещенной зоне на поверхности полупроводника / B.Н.Овсюк, А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.226-228.

  109. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при сублимации в условиях нагрева электрическим током / А.В.Латышев, А.Л.Асеев, А.Б.Красильников, А.В.Ржанов, С.И.Стенин // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.381-386.

  110. Ржанов А.В. Духовная зарядка ученого / А.В.Ржанов; беседу вела О.Александрова // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.387-391.

  111. Ржанов А.В. Исследования поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации в образцах германия / А.В.Ржанов, И.Г.Неизвестный, В.В.Росляков // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.182-196.

  112. Ржанов А.В. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия / А.В.Ржанов, Ю.Ф.Новотоцкий-Власов, И.Г.Неизвестный // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.197-208.

  113. Ржанов А.В. Методы контроля состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярных пучков / А.В.Ржанов, С.И.Стенин, Б.3.Ольшанецкий // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.355-365.

  114. Ржанов А.В. Молекулярная эпитаксия: состояние спроса, проблемы и перспективы развития / А.В.Ржанов, С.И.Стенин // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.269-297.

  115. Ржанов А.В. О применимости метода стационарной фотопроводимости для исследования зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала / А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.209-217.

  116. Ржанов А.В. О событиях, фактах и людях / А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, Ученый, Учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: Издательство СО РАН, 2002. - C.5-122.
    Оглавление сборника

  117. Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на характеристики полупроводниковых приборов / А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.173-181.

  118. Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.366-380.

  119. Ржанов А.В. Современные взгляды на природу выпрямления кристаллических детекторов / А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.149-172.

  120. Ржанов А.В. Статистика рекомбинации при захвате носителей заряда возбужденными состояниями центра рекомбинации / А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.218-225.

  121. Ржанов А.В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик / А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.123-148.

  122. Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля / А.В.Ржанов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.229-237.

  123. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 гг. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.327-349.

  124. Ржанов А.В. О событиях, фактах, людях / А.В.Ржанов; ответственный редактор Э.В.Скубневский; [автор предисловия И.Г.Неизвестный]; Институт физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск: СО РАН, 2020. - 152 с.
1969-1979 гг.НазадНазадНачало спискаНачало1949-1968 гг.
 

Научные школы ННЦ А.В.Ржанов | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Виктория Лукьянова и Сергей Канн  
  

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2025 Отделение ГПНТБ СО РАН
Документ изменен: Thu Dec 19 09:35:05 2024. Размер: 61,393 bytes.
Посещение N 7054 с 12.12.2006