- Ржанов А.В. Спонтанная поляризация и пьезоэффект титаната бария: диссертация ... канд. физ.-мат. наук / А.В.Ржанов. - Москва, 1948. - 123 с.: ил.
- Ржанов А.В. Пьезоэффект титана бария / А.В.Ржанов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1949. - Т.19, N 6. - С.502-506. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. Спонтанная поляризация поликристаллических образцов титана бария / А.В.Ржанов // Журнал экспериментальной и теоретической физики - 1949. - Т.19, N 4. - С.334-345. - Библиогр.: 6 назв.
- Ржанов А.В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик [pdf 2 Mb] / А.В.Ржанов // Успехи физических наук. - 1949. - Т.38, N 4. - С.461-489. - Библиогр.: 35 назв.
- Ржанов А.В. Кристаллические усилители / А.В.Ржанов // Кристаллические детекторы. - Москва: Советское радио, 1950. - С.280-311. - Библиогр.: 16 назв.
- Ржанов А.В. Современные взгляды на природу выпрямления кристаллических детекторов / А.В.Ржанов // Кристаллические детекторы. - Москва: Советское радио, 1950. - С.253-280. - Библиогр.: 38 назв.
- Редактор: Полупроводниковые электронные приборы. Некоторые вопросы физики и техники германиевых диодов и триодов: сборник переводов / под редакцией А.В.Ржанова. - Mосква, 1953. - 260 с.
- Ржанов А.В. Влияние рекомбинации на контакте на вольтамперную характеристику выпрямителя / А.В.Ржанов // Доклады Академии наук СССР. - 1954. - Т.98, вып.3. - C.389-393. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. Зависимость времени жизни избыточных носителей зарядов от концентрации равновесных носителей зарядов / А.В.Ржанов, Р.Парамонова // Журнал технической физики. - 1955. - Т.25, N 7. - C.1342-1344. - Библиогр.: 2 назв.
- Ржанов А.В. Полупроводники и их применение / А.В.Ржанов // Труд. - 1955. - 16 ноября.
- Ржанов А.В. Влияние примесей на время жизни избыточных носителей зарядов в германии / А.В.Ржанов // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.7. - С.1389-1393. - Библиогр.: 9 назв.
- Ржанов А.В. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации в образцах германия / А.В.Ржанов, И.Г.Неизвестный, В.В.Росляков // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.10. - C.2142-2153. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. О соотношении поверхностной и объемной рекомбинации в кремниевых триодах с вплавленными электронно-дырочными переходами / А.В.Ржанов // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.1. - С.239-240. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на характеристики полупроводниковых приборов / А.В.Ржанов // Радиотехника и электроника. - 1956. - Т.1, N 8. - С.1086-1092. - Библиогр.: 6 назв.
- Rzhanov A.V. Influence of Impurities on Lifetime of Excess Charge Carriers in Germanium / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Technical Physics. - 1956. - Vol.1, N 7. - 1360-1364.
- Rzhanov A.V. The Relationship of Surface and Volume Recombination in Germanium Triodes with Fused-in Electron-Hole Transitions / A.V.Rzhanov // Soviet physics - Technical physics. - 1956. - Vol.1, N 1. - P.235-236.
- Rzhanov A.V. Surface Conductivity and Surface Recombination in Germanium Specimens / A.V.Rzhanov, I.G.Neizvestnyi, V.V.Rosliakov // Soviet physics -Technical physics. - 1956. - Vol.1, N 10. - P.2081-2090.
- Редактор: Электрофизические свойства германия и кремния: сборник переводов / под редакцией А.В.Ржанова. - Москва: Советское радио, 1956. - 391 c.
- Ржанов А.В. Влияние примесей на время жизни избыточных носителей зарядов в германии / А.В.Ржанов // Вопросы металлургии и физики полуроводников. - Москва: Издательство АН СССР, 1957. - С.133-137. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Иccледование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия / А.В.Ржанов, Ю.Ф.Новотоцкий-Власов, И.Г.Неизвестный // Журнал технической физики. - 1957. - Т.27, вып.11. - C.2440-2450. - Библиогр.: 10 назв.
- Ржанов А.В. Создатели «транзистора»: к присуждению нобелевской премии 1956 по физике американским ученым В. Шекли, Дж. Бардину и В. Браттейну / А.В.Ржанов // Природа. - 1957. - N 3. - C.49-50.
- Rzhanov A.V. Investigation of the Field Effect and of Surface Recombination in Samples of Germanium / А.В.Ржанов, Y.F.Novototskii-Vlasov, I.G.Neizvestny // Soviet physics - Technical physics. - 1957. - Vol.2, N 11. - P.2274-2282.
- Ржанов А.В. Исследование энергетических положений и эффективных сечений захвата поверхностных рекомбинационных уровней в германии / А.В.Ржанов, Н.М.Павлов, М.А.Селезнева // Журнал технической физики. - 1958. - Т.28, вып.12. - С.2645-2656. - Библиогр.: 10 назв.
- Ржанов А.В. Курсы интернациональной физической школы в Италии / А.В.Ржанов // Вестник Академии наук СССР. - 1958. - N 2. - C.87-88.
- Курсы интернациональной физической школы при Итальянском физическом обществе. Заметки слушателя о работе летних курсов 1957 г.
- Ржанов А.В. О применимости метода измерения скорости поверхностной рекомбинации по изменению сопротивления полупроводника в магнитном поле / А.В.Ржанов, И.А.Архипова, В.Н.Бидуля // Журнал технической физики. - 1958. - Т.28, вып.5. - С.1051-1052. - Библиогр.: 5 назв.
- Rzhanov A.V. Applicability of the Method of Measuring the Rate of Surface Recombination from the Change in Resistance of a Semiconductor in a Magnetic Field / A.V.Rzhanov, I.A.Arkhipova, V.N.Bidulia // Soviet physics - Technical physics. - 1958. - Vol.3, N 5. - С. 978-979.
- Rzhanov A.V. Investigation of Energy Positions and Effective Capture Cross Sections of Surface Recombination Levels in Germanium / A.V.Rzhanov, N.M.Pavlov, M.A.Selezneva // Soviet physics - Technical physics. - 1958. - Vol.3, N 12. - P.2419-2430.
- Ржанов А.В. К вопросу о природе поверхностных центров рекомбинации на германии / А.В.Ржанов, Ю.Ф.Новотоцкий-Власов, И.Г.Неизвестный // Физика твердого тела. - 1959. - Т.1, N 9. - C.1471-1474. - Библиогр.: 4 назв.
- Ржанов А.В. О корелляции между отношением сечений захвата и энергическим положением уровня поверхностных центров рекомбинации в германии / А.В.Ржанов // Физика твердого тела. - 1959. - Т.1, N 3. - С.522-524. - Библиогр.: 5 назв.
- Ржанов А.В. Отчет о командировке в Англию / А.В.Ржанов, А.В.Спицын; Академия наук СССР, Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва: ВИНИТИ, 1959. - 12 с.
- Rzhanov A.V. On the Correlation Between the Capture Cross Section Ratio and The Energy Level Position of Surface Recombination Centers in Germanium / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1959. - Vol.1, N 3. - P.469-470.
- Ржанов А.В. Ежегодная конференция по физической электронике / А.В.Ржанов // Вестник Академии наук СССР. - 1960. - N 7. - C.84.
- Ржанов А.В. Конференция по физике полупроводников (Прага, август-сентябрь, 1960 г.) / А.В.Ржанов // Вестник Академии наук СССР. - 1960. - N 12. - C.46-48.
- Ржанов А.В. О применимости метода стационарной фотопроводимости для исследования зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала / А.В.Ржанов // Физика твердого тела. - 1960. - Т.2, N 10. - С.2431-2438. - Библиогр.: 12 назв.
- Rzhanov A.V. On the Nature of Surface Recombination Centers in Germanium / A.V.Rzhanov, Yu.F.Novototsky-Vlasov, I.G.Neizvestny // Soviet Physics - Solid State. - 1960. - Vol.1, N 9. - P.1349-1351.
- Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на поверхности германия: автореферат диссертации ... д-ра физ.-мат. наук / А.В.Ржанов; Объединенный ученый совет институтов математики, физики полупроводников и металлофизики Академии наук УССР. - Киев, 1961. - 19 с.
- Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на поверхности германия: диссертация ... д-ра физ.-мат. наук / А.В.Ржанов. - Москва, 1961. - 256 с.: ил.
- Ржанов А.В. К вопосу о теории поверхностной рекомбинации в полупроводниках / А.В.Ржанов, И.Г.Неизвестный, Ю.Ф.Новотоцкий-Власов // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 12. - С.3698-3705. - Библиогр.: 16 назв.
- Ржанов А.В. О влиянии адсорбции молекул на германии на параметры поверхностных центров рекомбинации / А.В.Ржанов, И.Г.Неизвестный // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 11. - С.3317-3323. - Библиогр.: 6 назв.
- Ржанов А.В. О поверхностных уровнях на германии по данным фотопроводимости в инфракрасной области спектра / А.В.Ржанов, А.Ф.Плотников // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 5. - С.1557-1560. - Библиогр.: 14 назв.
- Ржанов А.В. О природе поверхностных центров рекомбинации на германии / А.В.Ржанов, Ю.Ф.Новотоцкий-Власов, И.Г.Неизвестный // Физика твердого тела. - 1961.- Т.3, N 3. - C.822-831. - Библиогр.: 13 назв.
- Ржанов А.В. О температурной зависимости параметров поверхностных центров рекомбинации в германии / А.В.Ржанов, Н.М.Павлов, М.А.Селезнева // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 3. - С.832-840. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Об изменении поверхностного заряда на германии при прогревах образцов в вакууме / А.В.Ржанов // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 6. - С.1718-1722.- Библиогр.: 12 назв.
- Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация в германии при повышенных уровнях инъекции / А.В.Ржанов, И.А.Архипова // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 7. - С.1954-1956. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Статистика рекомбинации при захвате носителей заряда возбужденными состояниями центра рекомбинации / А.В.Ржанов // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 12. - С.3691-3697. - Библиогр.: 7 назв.
- Rzhanov A.V. The Applicability of a Steady-State Photoconductivity Method to Investigation of the Dependence of Surface-Recombination Velocity on the Surface Potential / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.2, N 10. - P.2166-2172.
- Rzhanov A.V. On the Nature of Surface Recombination Centers in Germanium / A.V.Rzhanov, I.G.Neizvestny, Yu.F.Novototsky-Vlasov // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 3. - P.600-606.
- Rzhanov A.V. Surface Charge Variations on Germanium Induced by Heating in Vacuum / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 6. - P.1245-1248.
- Rzhanov A.V. Surface Levels in Germanium from Photoconductivity Data in the Infrared Spectral Region / A.V.Rzhanov, A.F.Plotnikov // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 5. - P.1130-1132.
- Rzhanov A.V. Temperature Dependence of Parameters of Surface Centers of Recombination in Germanium / A.V.Rzhanov, N.M.Pavlov, M.A.Selezneva // Soviet Physics - Solid State. - 1961. - Vol.3, N 3. - P.607-612.
- Ržhanov A.V. A Study of the surface Properties of germanium / A.V.Ržhanov, J.F.Novotockij-Vlasov, I.G.Neizvestnyj, T.I.Galkina, S.V.Pokrovskaya // International Conference On Semiconductor Physics, Proceedings, Prague, 1960. - New York: Academic Press, 1961. - P.503-506.
- Гуро А.В. Кинетика неравновесной проводимости при высоких уровнях генерации / А.В.Гуро, А.В.Ржанов // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 12. - С.3441-3445. - Библиогр.: 5 назв.
- Парамонова Р.А. Исследование объемной рекомбинации в кристаллах германия с примесью меди / Р.А.Парамонова, А.В.Ржанов // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 7.- С.1820-1825. - Библиогр.: 13 назв.
- Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на реальной поверхности германия / А.В.Ржанов // Поверхностные свойства полупроводников. - Москва, 1962. - С.101-114. - Библиогр.: 16 назв.
- Ржанов А.В. Отчет о командировке в США для участия в работе 22-й Национальной конференции Массачусетского технологического института по физической электронике / А.В.Ржанов, З.С.Чернов, С.А.Степанов; Академия наук СССР, Всесоюзный Институт научной и технической информации. - Москва: [б. и.], 1962. - 15 с.
- Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и захват посредством непрерывного спектра поверхностных уровней / А.В.Ржанов // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 5. - С.1279-1284. - Библиогр.: 7 назв.
- Ржанов А.В. Рекомбинация на поверхности германия, адсорбировавшей большое количество воды / А.В.Ржанов, И.А.Архипова // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 5. - С.1274-1278. - Библиогр.: 10 назв.
- Rzhanov A.V. Concerning the Effect on the Parameters of Surface Recombination Centers of Molecular Adsorption by Germanium / A.V.Rzhanov, I.G.Neizvestny // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 11. - P.2408-2412.
- Rzhanov A.V. Recombination at a Germanium Surface with a large Amount of Adsorbed Water / A.V.Rzhanov, L.A.Arkhipova // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.4, N 5. - P.934-936.
- Rzhanov A.V. Recombination Statistics for Carrier Trapping by Excited States of Recombination Centers / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 12. - P.2680-2683.
- Rzhanov A.V. Surface recombination in germanium at high injection levels / A.V.Rzhanov, I.A.Arkhipova // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 7. - P.1424-1427.
- Rzhanov A.V. Surface Recombination and Trapping by a Continuous Spectrum of Surface / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.4, N 5. - P.937-940.
- Rzhanov A.V. The Theory of Surface Recombination in Semiconductors / A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1962. - Vol.3, N 12. - P.2684-2689.
- Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на поверхности германия (по материалам диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук) / А.В.Ржанов // Исследования полупроводников и диэлектриков. - Москва: Издательство АН СССР, 1963. - С.3-123. - (Труды физического института имени П.И. Лебедева; т.20).
- Guro A.V. Kinetics of Excess Carrier Conductivity at High Generation Lewels / A.V.Guro, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1963. - Vol.4, N 12. - P.2519-2521.
- Rzhanov A.V. Bulk Recombination in Copper-Doped Germanium Crystal / R.A.Paramonova, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Solid State. - 1963. - Vol.4, N 7. - P.1335-1339.
- Ржанов А.В. План или доверие (проблемы развития советской науки) / А.В.Ржанов // Известия. - 1964. - 5 апреля. - С.2.
- Novototsky-Vlasov Yu.F. The origin of recombination centers on the real germanium surface / Yu.F.Novototsky-Vlasov, A.V.Rzhanov // Surface Science. - 1964. - Vol.2. - P.93-100. - Bibliogr.: 6 ref.
- Rzhanov A.V. Investigation of some electron processes on a real surface of germanium (Surface recombination and carrier capture centers on real surface of germanium subjected to various surface treatments) / A.V.Rzhanov // Surface properties of semiconductors: proceedings of the conference on the surface properties of semiconductors. - New York: Consultants bureau, 1964. - P.70-78. - (The Lebedev Physics Institute Series; vol.48). - Bibliogr.: 16 ref.
- Кравченко А.Ф. Продольный эффект Холла в кубических кристаллах / А.Ф.Кравченко, А.В.Ржанов, В.С.Сардарян // Доклады Академии наук СССР. - 1965. - Т.164, вып.5. - C.1016-1018. - Библиогр.: 5 назв.
- Иccледование поверхностной фотопроводимости германия / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, Е.С.Филатова, В.М.Шепель // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 3. - С.758-766. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. О влиянии захвата неравновесных носителей заряда поверхностными дефектами на спектр собственной фотопроводимости тонкого образца германия / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, В.М.Шепель // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 6. - С.1955-1957. - Библиогр.: 3 назв.
- Ржанов А.В. Спектры гашения фотопроводимости тонкого образца германия при 77° К / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, В.М.Шепель // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 9. - С.2777-2779. - Библиогр.: 5 назв.
- Investigation of the surface photoconductivity of germanium (Surface photoconductivity dependence on thermal and spectral state and time lag of germanium) / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, E.S.Filatova, V.M.Shepel // Soviet Physics - Solid State. - 1966. - Vol.8, N 3. - P.607-613. - Bibliogr.: 8 ref.
- Kravchenko A.F. Longitudinal Hall effect in cubic crystals / A.F.Kravchenko, A.V.Rzhanov, V.S.Sardarian // Soviet Physics-doklady. - 1966. - Vol.10, N 5. - P.946-948. - Bibliogr.: 5 ref.
- Rzhanov A.V. Influence of Nonequilibrium-Charge-Carrier Capture by Surface Defects on Intrinsic-Photoconductivity Spectrum of a Thin Germanium Sample / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, V.M.Shepel // Soviet Physics - Solid State. - 1966. - Vol.8, N 6. - P.1552-1554.
- Васильева Л.Л. Исследования сульфидированной поверхности германия / Л.Л.Васильева, С.В.Покровская, А.В.Ржанов // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.18-21. - Библиогр.: 6 назв.
- Неизвестный И.Г. Исследования влияния прогревов в вакууме на электрофизические параметры поверхности германия / И.Г.Неизвестный, Л.В.Луцевич, А.В.Ржанов // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.97-101. - Библиогр.: 5 назв.
- Ржанов А.В. Измерение Фотоэдс Холла на тонких образцах германия / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, В.Г.Панькин // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т.1, вып.4. - С.526-534. - Библиогр.: 17 назв.
- Ржанов А.В. О роли рекомбинационного процесса в приповерхностной области пространственного заряда полупроводника / А.В.Ржанов, Т.И.Ковалевская // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т.1, вып.11. - С.1724-1727. - Библиогр.: 8 назв.
- Ржанов А.В. Физики выращивают монокристаллы / А.Ржанов, С.Синица // Наука и техника. - 1967. - N 1. - С.18.
- Ржанов А.В. Электрофизические свойства эпитаксиальных переходов Ga-As-Ge / А.В.Ржанов, И.Е.Марончук, В.Н.Шумский // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.224-229. - Библиогр.: 8 назв.
- Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных переходов Ga-As-Ge / А.В.Ржанов, Б.С.Лисенкер, И.Е.Марончук, Ю.Е.Марончук, В.Н.Шумский // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.219-223. - Библиогр.: 9 назв.
- Rzhanov A.V. Measurements of the Hall photo-EMF in thin samples of germanium / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, V.G.Pankin // Soviet Physics - Semiconductors. - 1967. - Vol.1, N 4. - P.437-443, - Bibliogr.: 17 ref.
- Rzhanov A.V. Photoconductivity quenching spectra of a thin sample of germanium at 77 c / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, V.M.Shepel // Soviet Physics - Solid State. - 1967. - Vol.8, N 9. - P.2216-2218. - Bibliogr.: 5 ref.
- Редактор: Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск, 1967. - 240 c.
- Редактор: Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников: труды симпозиума / ответственный редактор А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1967. - 240 c.
- Оcобенности кристаллизации монокристаллических слоев германия из жидкой фазы на неориентирующих подложках / А.В.Ржанов, Э.А.Клименко, А.Г.Клименко, С.А.Строителев // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1968. - Ч.1. - С.506-515. - Библиогр.: 17 назв.
- Ржанов А.В. Духовная зарядка ученого: рядом с интересным собеседником / А.В.Ржанов; беседу вела О.Александрова // Советская культура. - 1968. - 31 августа (N 103).
- Ржанов А.В. Исследование поверхности Fe с помощью спектроскопии полного внутреннего отражения. I / А.В.Ржанов, М.П.Синюков // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.4. - С.504-513. - Библиогр.: 14 назв.
- Ржанов А.В. Исследование поверхности Fe с помощью спектроскопии полного внутреннего отражения. II / А.В.Ржанов, М.П.Синюков // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.4. - С.514-518. - Библиогр.: 7 назв.
- Ржанов А.В. Отчет о командировке в США для посещения научных центров и участия в работе Гордоновской конференции по химии и металлургии полупроводников (Эндовер, Нью-Хэмпшир 17-21 июля 1967 г.) / А.В.Ржанов; Академия наук СССР, Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва: ВИНИТИ, 1968. - 21 с.
- Ржанов А.В. Перспективы использования эпитаксиальной технологии арсенида галлия для создания интегральных монокристаллических микросхем / А.В.Ржанов, Ю.Е.Марончук // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1968. - Ч.1. - С.63-78. - Библиогр.: 17 назв.
- Ржанов А.В. Применение фотомагнитного эффекта для изучения объемной поверхностной рекомбинации в монокристаллических слоях германия на сапфире / А.В.Ржанов, А.Г.Клименко, Э.А.Клименко; Академия СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск, 1968. - 15 c.
- Ржанов А.В. Спектр примесей поверхностной фотопроводимости тонкого образца германия n-типа / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.5. - С.739-741. - Библиогр.: 7 назв.
- Ржанов А.В. Эпитаксиальные слои арсенида галлия с высокой подвижностью электронов / А.В.Ржанов, Б.С.Лисенкер, И.Е.Марончук, Ю.Е.Марончук, А.П.Шерстяков // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, вып.5. - С.714-720. - Библиогр.: 12 назв.
- Epitaxial gallium arsenide films with a high electron mobility // A.V.Rzhanov, B.S.Lisenker, I.E.Maronchuk, Iu.E.Maronchuk // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 5, - P.593-597. - Bibliogr.: 12 ref.
- Kovalevskaia T.I. Role of recombination process in the surface space charge region of a semiconductor / T.I.Kovalevskaia, A.V.Rzhanov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.1, N 11. - P.1428-1431. - Bibliogr.: 8 ref.
- Rzhanov A.V. Extrinsic surface photoconductivity spectrum of a thin n-type germanium sample / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 5, - P.613-614. - Bibliogr.: 7 ref.
- Rzhanov A.V. Investigation of the surface of Ge by total internal reflection spectroscopy. Pt.1 / A.V.Rzhanov, M.P.Sinyukov // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 4. - P.416-423. - Bibliogr.: 14 ref.
- Rzhanov A.V. Investigation of the surface of Ge by total internal reflection spectroscopy. Pt.2 / A.V.Rzhanov// Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 4. - P.424-427. - Bibliogr.: 7 ref.
|
