Библиография трудов академика А.В.Ржанова за 1969-1979 годы
 Навигация
 
 

Научные школы ННЦ  
Ржанов А.В.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1949-1968 1969-1979 с 1980 года
 
1969 | 1970 | 1971 | 1972 | 1973 | 1974 | 1975 | 1976 | 1977 | 1978 | 1979

  1. Александров Л.Н. Получение и изучение свойств полупроводниковых пленок / Александров Л.Н., Ржанов А.В. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1969. - Т.5, N 4. - C.652-672. - Библиогр.: 69 назв.
  2. Клименко Э.А. Электрофизические свойства монокристаллических слоев Si на неориентирующих изолирующих подложках / Клименко Э.А., Ржанов А.В., Захаров А.К. // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1969. - С.86.
  3. Овсюк В.Н. О квазинепрерывном спектре уровней в запрещенной зоне на поверхности полупроводника / Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.2. - С.294-297. - Библиогр.: 11 назв.
  4. Панькин В.Г. Фотоэлектрические явления на границе между монокристаллическими блоками германия / Панькин В.Г., Ржанов А.В. Свиташев К.К. // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1969. - С.39.
  5. Покровская С.В. Влияние адсорбции сероводорода на поверхностные параметры германия / Покровская С.В., Ржанов А.В.; АН СССР // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1969. - С.36.
  6. Применение фотомагнитного эффекта для изучения объемной поверхностной рекомбинации в монокристаллических слоях германия на сапфире / Захаров А.К., Ржанов А.В., Клименко А.Г., Клименко Е.А. // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.8. - P.1275-1276.
  7. Ржанов А.В. Большой стаж молодой науки / Ржанов А.В., Раутиан С.Г. // За науку в Сибири. - 1969. - 15 янв. - С.3, 6-7.
    О проблемах физики полупроводников и задачах, стоящих перед учеными Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР.
  8. Ржанов А.В. Влияние адсорбции водорода на электрофизические параметры поверхности , Nгермания / Ржанов А.В., Луцевич Л.В., Неизвестный И.Г. // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.3. - C.437-440. - Библиогр.: 5 назв.
  9. Ржанов А.В. Исследование процессов рассеяния и захвата на поверхности германия повышенной чистоты / Ржанов А.В., Мигаль В.П., Мигаль Н.Н. // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1969. - С.38.
  10. Ржанов А.В. Исследование реальной поверхности германия в сверхвысоком вакууме / Ржанов А.В., Луцевич Л.В. // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1969. - С.32.
  11. Ржанов А.В. О энергетическом спектре поверхностных состояний в германии / Ржанов А.В., Мигаль В.П., Мигаль Н.Н. // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.9. - С.1333-1337. - Библиогр.: 11 назв.
  12. Ржанов А.В. Особенности поверхностных электронных процессов при большой ширине запрещенной зоны / Ржанов А.В. // III Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников (Новосибирск, 23-27 июня 1969 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1969. - С.3-4.
  13. Ржанов А.В. Поверхностное рассеяние в особо чистых образцах германия / Ржанов А.В., Мигаль В.П., Мигаль Н.Н. // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.2. - С.231-237. - Библиогр.: 13 назв.
  14. Ржанов А.В. Поглощение ИК-излучения поверхностными состояниями при пониженных температурах / Ржанов А.В., Синюков М.П. // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, вып.1. - С.52-57.
  15. Ржанов А.В. Физика поверхности и тонких пленок полупроводников: курс лекций / Ржанов А.В. - Новосибирск, 1969. - Ч.1. - 100 с.
    Оглавление книги
  16. Электрофизические характеристики монокристаллических слоев германия и границ раздела слоев с неориентирующими подложками / Ржанов А.В., Александров Л.Н., Клименко Э.А., Захаров А.К., Клименко А.Г. // Труды IX междунар. конф. по физике полупроводников (Москва, 23-28 июля 1968). - Л.: Наука, 1969. - Ч.1. - С.520-524. - Библиогр.: 6 назв.
  17. Ovsyuk V.N. Quasicontinuous spectrum of levels in the forbidden band at the surface of a semiconductor / Ovsyuk V.N., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 2. - P.250-251. - Bibliogr.: 11 ref.
  18. Rzhanov A.V. Absorption of infrared radiation by surface states at low temperatures / Rzhanov A.V., Sinyukov M.P. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 1. - P.39-42.
  19. Rzhanov A.V. Influence of the adsorption of hydrogen on the electrical properties of the surface of germanium / Rzhanov A.V., Lutsevich L.V., Neizvestny I.G.// Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 3. - P.370-372. - Bibliogr.: 5 ref.
  20. Rzhanov A.V. Investigations of scattering and trapping processes of carriers in ultra pure germanium films / Rzhanov A.V., Migal W.P., Migal N.N. // Journal of Vacuum Science and Technology. - 1969. - Vol.6, N 4. - P.566-568.
  21. Rzhanov A.V. Surface scattering in very pure germanium samples / Rzhanov A.V., Migal V.P., Migal N.N. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1969. - Vol.3, N 2. - P.190-195. - Bibliogr.: 13 ref.
  22. Панькин В.Г. О некоторых особенностях спектрального распределения фотопроводимости германия в области собственного поглощения / Панькин В.Г., Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т.4, вып.4. - С.679-684. - Библиогр.: 14 назв.
  23. Ржанов А.В. О быстрых поверхностных состояниях на силанированном германии / Ржанов А.В., Ковалевская Т.И. // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т.4, вып.2. - С.321-324. - Библиогр.: 7 назв.
  24. Ржанов А.В. Физика поверхности и тонких пленок полупроводников: курс лекций / Ржанов А.В. - Новосибирск, 1970. - Ч.2. - 163 с.
    Оглавление книги
  25. Pankin V.G. Some features of the photoconductivity spectrum of germanium in the fundamental absorption region / Pankin V.G., Rzhanov A.V. , Svitashev K.K. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1970. - Vol.4, N 4. - P.575-579. - Bibliogr.: 14 ref.
  26. Rzhanov A.V. Energy Spectrum of Surface States on Germanium / Rzhanov A.V., Migal W.P., Migal N.N. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1970. - Vol.3, N 9. - P.1111-1114.
  27. Rzhanov A.V. Fast Surface States on Silane-Treated Germanium / Rzhanov A.V., Kovalevskaya T.I. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1970. - Vol.4, N 2. - P.261-263.
  28. Исследование границы раздела германий-пленка термической двуокиси германия / Дроздов В.Н., Ковалевская Т.И., Ржанов А.В., Свиташев К.К. // IV Всесоюзное совещание по электронным явлениям на поверхности полупроводников (Киев, 26-28 октября 1971 г.): тезисы докл. - Киев, 1971. - С.44.
  29. Исследование структуры переходного слоя в системе германий - пленка двуокиси кремния методом ИК-спектроскопии МНПВО / Ковалевская Т.И., Нестерова А.В., Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т.5, вып.9. - С.1720-1724. - Библиогр.: 12 назв.
  30. Панькин В.Г. Релаксация эффекта поля на германии / Панькин В.Г., Ржанова Е.С., Ржанов А.В. // IV Всесоюзное совещание по электронным явлениям на поверхности полупроводников (Киев, 26-28 октября 1971 г.): тезисы докл. - Киев, 1971. - С.3-4.
  31. Ржанов А.В. Требование к полупроводниковым материалам, применяющимся в радиоэлектронике / Ржанов А.В. // Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов. - Новосибирск, 1971. - С.7-14.
  32. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / Ржанов А.В. - М.: Наука, 1971. - 480 с. - Библиогр.: 272 назв.
    Оглавление книги
  33. Rzhanov A.V. On study of electronic processes on the interface semiconductor-dielectric / Rzhanov A.V. // Proceedings of the International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures (Budapest, 1-17 Oktober, 1970). - Budapest: Akadémiai Kiadó, 1971. - P.41-52.
  34. Неизвестный А.В. Особенности процесса поверхностной рекомбинации на германии при некоторых воздействиях / Неизвестный А.В., Покровская С.В., Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Вып.6, N 2. - С.329-333. - Библиогр.: 8 назв.
  35. Новый способ получения монокристаллических слоев кремния на неориентирующих подложках / Клименко Э.А., Клименко А.Г., Ржанов А.В., Ибрагимов Р.Ю., Александров Л.Н. // III симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 12-17 июня, 1972 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1972. - С.185.
  36. Ржанов А.В. Новый функциональный полупроводниковый прибор с переносом заряда // Микроэлектроника. - 1972. - Т.1, вып.1. - С.46-54. - Библиогр.: 6 назв.
  37. Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля. I. / Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Т.6, вып.8. - С.1495-1501. - Библиогр.: 7 назв.
  38. Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля. II. / Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Т.6, вып.8. - С.1502-1507. - Библиогр.: 4 назв.
  39. Investigation of the structure of a transition layer, formed in an sio/2 film deposited on ge, by the infrared spectroscopic method of multiple frustrated total internal reflection // Kovalevskaya T.I., Nesterova S.N., Rzhanov A.V., Svitashev K.K. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1972. - Vol.5, N 9. - P.1504-1507.
  40. Neizvestnyi I.G. Influence of certain treatments on surface recombination on germanium / Neizvestnyi I.G., Pokrovskaya S.V., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1972. - Vol.6, N 2. - P.281-284.
  41. Ред.: Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев / отв. ред. чл.-кор. АН СССР А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1972. - 227 c. - Библиогр.: 414 назв.
  42. Ред.: Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников: cб. статей / отв. ред. Ржанов А.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1972. - 250 с.
  43. Гиновкер А.С. Запоминающие устройства на основе МНОП (металл-нитрид-окисел-полупроводник)-структур / Гиновкер А.С., Ржанов А.В., Синица С.П. // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, вып.5. - С.381-394. - Библиогр.: 68 назв.
  44. Исследование и границы раздела германий-сульфид германия методом дифракции медленных электронов / Ржанов А.В., Ольшанецкий Б.З., Васильева Л.Л., Репинский С.М. // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т.7, вып.9. - С.1727-1731. - Библиогр.: 6 назв.
  45. Ольшанецкий Б.З. О структуре грани (100) кремния после окисления и при высоких температурах / Ольшанецкий Б.З., Ржанов А.В., Эдельман Ф.Л. // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т.7, вып.12. - С.2312-2314. - Библиогр.: 6 назв.
  46. Ржанов А.В. Комментирует директор // За науку в Сибири. - 1973. - N 14. - С.4-5.
  47. Ржанов А.В. Отчет о командировке в ФРГ / Ржанов А.В., Недлин И.И.; Академия наук СССР. Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва: [б. и.], 1973. - 11 с.
  48. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - термическая двуокись германия. I. / Дроздов В.Н., Ковалевская Т.И., Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, вып.1. - С.52. - Библиогр.: 20 назв.
  49. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - термическая двуокись германия. II. Электрофизические параметры системы / Дроздов В.Н., Ковалевская Т.И., Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, вып.2. - С.154-158. - Библиогр.: 17 назв.
  50. Pan'kin V.G. Nature of the energy spectrum of surface states and kinetics of the pulse field effect - 2 / Pan'kin V.G., Rzhanova E.S., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1973. - Vol.6, N 8. - P.1302-1306.
  51. Rzhanov A.V. Nature of the energy spectrum of surface states and kinetics of the pulse field effect - 1 / Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1973 - Vol.6, N 8. - P.1297-1301.
  52. Инициирование поверхностной химической реакции монокристаллического германия с газообразным бромом с помощью мощного аргонового лазера / Бакланов М.Р., Бетеров И.М., Репинский С.М., Ржанов А.В., Чеботаев В.П., Юршина Н.И. // Доклады Академии наук СССР. - 1974. - Т.216, вып.3. - С.524-527.
  53. Трофимук А.А. Экономическая наука "глазами" других наук: ответы на вопросы корреспондента журнала "Экономика и организация промышленного производства" З.Ибрагимовой / Трофимук А.А., Марчук Г.И., Ржанов А.В. // Советская Латвия. - 1974. - 24 сентября.
  54. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - пиролитическая двуокись германия / Дроздов В.Н., Ковалевская Т.И., Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1974. - Т.3, вып.5. - С.404-412. - Библиогр.: 17 назв.
  55. Initiation of a surface chemical reaction between single-crystal germanium and bromine gas by using a powerful argon laser / Baklanov M.R., Beterov I.M., Repinskii S.M., Rzhanov A.V., Chebotaev V.P., Yurshina N.I. // Soviet Physics - Doklady. - 1974. - Vol.19, N 5. - P.312-314.
  56. Investigation of the interface between Ge and GeS by the low-energy electron diffraction method / Rzhanov A.V., Olshanetsky B.Z., Vasileva L.L., Repinsky S.M. // Soviet Physics-Semiconductors. - 1974. - Vol.7, N 9, - P.1154-1156. - Bibliogr.: 6 ref.
  57. Olshanetsky B.Z. Structure of the (100) face of Si after oxidation and at high temperatures / Ol'shanetskii B.Z.; Rzhanov A.V.; Edelman F.L. // Soviet Physics-Semiconductors. - 1974. - Vol.7, N 12. - P.1538-1539. - Bibliogr.: 6 ref.
  58. Бородовский П.А. Пути создания интегральных схем СВЧ-диапазона / Бородовский П.А., Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, вып.6. - С.548-560. - Библиогр.: 35 назв.
  59. Ковалевская Т.Е. Свойства структур Ge-Al2O3, полученных методом реактивного катодного распыления / Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, вып.2. - С.185-188. - Библиогр.: 12 назв.
  60. Ржанов А.В. Брать в расчет опыт / Ржанов А.В. // Советская Сибирь. - 1975. - 13 мая.
  61. Ржанов А.В. Некоторые задачи научного приборостроения // Вестник Академии наук СССР. - 1975. - N 8. - C.13-15.
  62. Ржанов А.В. Предисловие / Ржанов А.В. // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников: сборник статей. - Новосибирск: Наука, 1975. - С.3-5.
  63. Ржанов А.В. Совместительство - расточительность или экономия? / Ржанов А.В. // Литературная газета. - 1975. - 18 июня (N 25). - С.2.
  64. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К. // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, вып.1. - С.3-24. - Библиогр.: 69 назв.
  65. Rzhanov A.V. Continuous spectra of energy and cross sections of surface states on the germanium-germanium dioxide interface / Rzhanov A.V. // Physica status solidi (a). - 1975. - Vol.31, N 1. - P.323-330. - Bibliogr.: 18 ref.
  66. Ред.: Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников: cб. статей / отв. ред. Ржанов А.В.; Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1975. - 187 с.
  67. Германиевый МДП-транзистор / Квон Зе Дон, Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1976. - Т.5, вып.4. - С.363-366. - Библиогр.: 10 назв.
  68. Гриценко В.А. Кинетика неравновесных процессов, обусловленных эффектом Френеля в сильном электрическом поле / Гриценко В.А., Ржанов А.В. // Журнал технической физики. - 1976. - Т.46, вып.10.- С.2155-2161. - Библиогр.: 11 назв.
  69. Исследование хемосорбции атома кислорода на поверхности (111) и (001) германия методами РМХ и ППДП/2 / Волокитин А.И., Гадияк Г.В., Карпушин А.А., Мороков Ю.Н., Репинский С.М., Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т.10, вып.3. - С.436-442. - Библиогр.: 16 назв.
  70. Исследование хемосорбции атома кислорода на поверхности {111} и {100} германия методами ППДП/2 / Волокитин А.И., Гадияк Г.В., Карпушин А.А., Мороков Ю.Н., Репинский С.М., Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т.10, вып.10. - С.1866-1871. - Библиогр.: 16 назв.
  71. Ржанов А.В. Введение / Ржанов А.В. // Свойства структур металл-диэлектрик - полупроводник / [Ковалевская Т.Е., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. и др.]; [oтв. ред. чл.-кор. АН СССР Ржанов А.В.]; АН СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Москва: Наука, 1976. - С.5-14.
  72. Ржанов А.В. Звенья неразрывной цепи // За науку в Сибири. - 1976. - 20 мая.
  73. Ржанов А.В. Отчет о командировке во Францию / член-корреспондент АН СССР Ржанов А.В.; Академия наук СССР. Всесоюзный институт научной и технической информации. - Москва, 1976. - 6 с.
  74. Ржанов А.В. Ученый и технический прогресс / Ржанов А.В. // Литературная газета. - 1976. - 6 окт. (N 40).
  75. A germanium MIS transistor / Kvon Ze Don, Neizvestnyi I.G., Ovsyuk V.N., Rzhanov A.V. // Soviet Microelectronics. - 1976. - Vol.5, N 4. - P.292-295.
  76. Gritsenko V.A. Kinetic of nonequilibrium processes formed by Frenkel effect in high electric fields / Gritsenko V.A., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Technical Physics. - 1976. - Vol.21, N 10. - P.1179-1190.
  77. Investigation of chemisorptions of an oxygen atom on (111) and (100) germanium surfaces by extended Hückel theory and complete neglect of differential overlap methods / Volokitin A.I., Gadiyak G.V., Karpushin A.A., Morokov Yu.N., Repinskii S.M., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1976. - Vol.10, N 3. - P.260-265. - Bibliogr.: 16 ref.
  78. Investigation of chemisorptions of oxygen molecule on (111) and (100) germanium surfaces by method of complete neglect of differential overlap / Volokitin A.I., Gadiyak G.V., Karpushin A.A., Morokov Yu.N., Repinskii S.M., Rzhanov A.V. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1976. - Vol.10, N 10. - P.1113-1116. - Bibliogr.: 16 ref.
  79. Ред.: Свойства структур металл - диэлектрик - подупроводник / ред.: Ржанов А.В.; Ковалевская Т.Е., Неизвестный И.Г.; Ин-т физики полупроводников. - M.: Наука, 1976. - 279 с.
  80. Ред.: Строителев С.А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников / Строителев С.А.; отв. ред. Ржанов А.В.; Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1976. - 191 c.
  81. Гузев А.А. Исследование процессов захвата носителей заряда в МНОП-структурах с туннельно-тонким слоем двуокиси кремния / Гузев А.А., Курышев Г.Л., Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, вып.1. - С.27-32. - Библиогр.: 6 назв.
  82. Гузев А.А. Подвижность дырок в инверсионных каналах кремниевых МНОП-структур с туннельно-тонким слоем двуокиси кремния / Гузев А.А., Курышев Г.Л., Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, вып.1. - С.33-39. - Библиогр.: 7 назв.
  83. К теории модуляционной эллипсометрии / Архипенко А.В., Блюмкина Ю.А., Ржанов А.В., Свиташев А.Г. // Доклады Академии наук СССР. - 1977. - Т.235, вып.2. - C.323-326.
  84. Ржанов А.В. Отчет о командировке в Японию / Ржанов А.В.; Акад. наук СССР. Всесоюз. ин-т науч. и техн. информации. - Москва: [б. и.], 1977. - 16 с.
  85. Ржанов А.В. Cистемы памяти на основе МДП-МНОП-структур / Ржанов А.В., Синица С.П. // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, вып.6. - С.491-502. - Библиогр.: 5 назв.
  86. Ржанов А.В. Электронные процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / Ржанов А.В., Нахмансон Р.С., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Покровская С.В., Репинский С.М., Свиташев К.К., Синица С.П., Синюков М.П., Французов А.А. // Фундаментальные исследования. Физико-математические и технические науки: сборник статей. - M.: Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - C.144-152.
  87. Guzev A.A. A study of charge trapping in MNOS structures with tunneling-thickness silicon dioxide films / Guzev A.A., Kuryshev G.L., Rzhanov A.V. // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 1. - P.19-23.
  88. Guzev A.A. The hole mobility in surface channels in silicon MNOS structures with tunneling-thickness silicon dioxide layers / Guzev A.A., Kuryshev G.L., Rzhanov A.V. // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 1. - P.23-28.
  89. Indium Antimonide (112) Surface Structure / Edelman F.L., Olchanetscy B.Z., Rzhanov A.V., Shklyayev A.A. // Proceedings of the seventh International Vacuum Congress and the third International Conference on Solid Surfaces of the International Union for Vacuum Science, Technique and Applications (September 12-16, 1977, Congress Centre Hofburg, Vienna, Austria). - Vienna, 1977. - Vol.3. - P.2411-2414.
  90. Rzhanov A.V. Ellipsometry as a tool for investigations of surface and interface phenomena / Rzhanov A.V. // Proceedings of the seventh International Vacuum Congress and the third International Conference on Solid Surfaces of the International Union for Vacuum Science, Technique and Applications (September 12-16, 1977, Congress Centre Hofburg, Vienna, Austria). - Vienna, 1977. - Vol.1. - P.655-662.
  91. Rzhanov A.V. Memory systems based on MOS and MNOS structures / Rzhanov A.V., Sinitsa S.P. // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 6. - P.366-375.
  92. Theory of modulation ellipsometry / Arkhipenko A.V., Blyumkina Yu.A., Rzhanov A.V., Svitashev K.K. // Soviet Physics - Doklady. - 1977. - Vol.22, N 7. - P.402-404.
  93. Влияние термополевых циклов на характеристики МОП транзистора со сверхтонким подзатворным окислом / Гуртов В.А., Французов А.А., Ржанов А.В., Салякин А.Б. // Микроэлектроника. - 1978. - Т.7, Вып.3. - С.281-283. - Библиогр.: 4 назв.
  94. Гриценко В.А. Аномальное рассеяние фотоинжектированных электронов в аморфной пленке / Гриценко В.А., Могильников К.П., Ржанов А.В. // Письма в журнал технической физики. - 1978. - Т.27, вып.7. - С.400-402. - Библиогр.: 6 назв.
  95. Ржанов А.В. Атомно-молекулярные процессы на поверхности полупроводника и на границе полупроводник-диэлектрик / Ржанов А.В., Репинский С.М. // Журнал физической химии. - 1978. - Т.52, N 12. - C.3044-3049. - Библиогр.: 22 назв.
  96. Ржанов А.В. Кинетика процесса теплового выброса с учетом туннелирования с ловушек в оксидном слое / Ржанов А.В., Шемелина О.С., Ковалевская Т.И. // Тонкие диэлектрические пленки и МДП структуры. - Новосибирск: ИФП СОАН СССР, 1978. - С.5-12.
  97. Ржанов А.В. Перевоспитывать / Ржанов А.В. // Литературная газета. - 1978. - 15 марта (N 11).
  98. Gritsenko V.A. Anomalous scattering of photo injected electrons in amorphous film / Gritsenko V.A., Mogilnikov K.P., Rzhanov A.V. // Journal of Experimental and Theoretical Physics. Letters. - 1978. - Vol.27, N 7. - P.375-378. - Bibliogr.: 7 ref.
  99. Rzhanov A.V. Atomic and Molecular Processes at Semiconductor Surfaces and at Semiconductor-Dielectric Interfaces / Rzhanov A.V., Repinskii S.M. // Russian Journal of Physical Chemistry A. - 1978. - Vol.52, N 12. - P.1742-1747.
  100. Rzhanov A.V. Electron transport in silicon oxynitride / Rzhanov A.V., Mogilnikov K.P., Gritsenko V.A. // Physics of SiO2 and its interfaces. - New York: Pergamon Press, 1978. - P.40-45. - Bibliogr.: 5 ref.
  101. Rzhanov A.V. Electron-transport in silicon oxynitride / Rzhanov A.V., Mogilnikov K.P., Gritsenko V.A. // Bulletin of The American Physical Society. - 1978. - Vol.23, N 3. - P.452-453.
  102. The effect of thermal-field cycles on the characteristics of MOS transistors with an ultrathin gate oxide / Gurtov V.A., Rzhanov A.V., Salyakin A.B., Frantsuzov A.A. // Soviet Microelectronics. - 1978. - Vol.7, N 3. - P.216-217.
  103. Ред.: Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев / отв. ред. чл.-кор. АН СССР А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1978. - 227 c. - Библиогр.: 414 назв.
  104. Ред.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников: сб. науч. тр. / отв. ред. А.В. Ржанов; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1978. - 288 с.
  105. Ред.: Физика тонкопленочных систем: сб. науч. тр. / научн. ред. Ржанов А.В.; Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Ин-т физики полупроводников СО АН СССР, 1978. - 66 с.
  106. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур со сверхтонким подзатворным диэлектриком / Гузев А.А., Гуртов В.А., Ржанов А.В., Французов А.А. // Междунар. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 13-19 сент. 1979). - Тбилиси, 1979. - C.133.
  107. Гузев А.А. Подвижность дырок в кремниевых МДП-структурах в области слабой инверсии / Гузев А.А., Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1979. - Т.8, вып.1. - С.56-63. - Библиогр.: 14 назв.
  108. Основы эллипсометрии / Ржанов А.В. (отв. ред.), Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К. - Новосибирск: Наука, 1979. - 422 с. - Библиогр.: 875 назв.
    Оглавление книги
  109. Ржанов А.В. О влиянии фундаментальных прикладных исследований в физике / Ржанов А.В. // Методологические проблемы современной науки. - М: Издательство политической литературы, 1979. - С.74-79.
  110. Ржанов А.В. Основные определения / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Основы эллипсометрии. - Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1979. - Глава I. - С.7-51.
  111. Ржанов А.В. Экспериментальное эллипсометрическое исследование сложных отражающих систем / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И. // Основы эллипсометрии. - Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1979. - Глава IX. - С.331-363.
  112. Guzev A.A. Hole mobility in silicon mos structures in the weak inversion region / Guzev A.A., Rzhanov A.V. // Soviet Microelectronics [engl. transl. of Mikroelektronika]. - 1979. - Vol.8, N 1. - P.40-45.
  113. Hole mobility in inversion layers of MOS structures with super thin gate dielectric / Guzev A.A., Gurtov V.A., Rzhanov A.V., Frantsuzov A.A. // Physica Status Solidi (a). - 1979. - Vol.56, N 1. - P.61-73. - Bibliogr.: 27 ref.
  114. Rzhanov A.V. Ellipsometric techniques to study surfaces and thin films / Rzhanov A.V., Svitashev K.K. // Advances in Electronics and Electron Physics. - 1979. - Vol.49. - P.1-83. - Bibliogr.: 231 ref.
  115. Rzhanov A.V. Germanium MIS structures / Rzhanov A.V., Neizvestny I.G. // Thin Solid Films. - 1979. - Vol.58, N 1. - P. 37-42.
  116. The study of hall mobility in inversion channel of MOS structures / Guzev A.A., Gurtov V.A., Rzhanov A.V., Frantzuzov A.A. // Third International conference on electronic properties of two-dimensional systems, Lake Yamanaka (Japan), 1979, 3-6 Sept., 1979, Lake Yamanaka, Japan: papers. - S.l., 1979. - P.247.
  117. Value and gradient distribution of guise Fermi level in MOS transistor channel / Guzev A.A., Gurtov V.A., Rzhanov A.V., Frantsuzov A.A. // Physica Status Solidi (a). - 1979. - Vol.56, N 1. - P.37-47. - Bibliogr.: 8 ref.
  118. Ред.: Основы эллипсометрии / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И. и др.; ответственный редактор Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1979. - 422 с.
1949-1968 гг.НачалоНачало спискаПродолжениеПродолжениес 1980 года
 

Научные школы ННЦ А.В.Ржанов | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Виктория Лукьянова и Сергей Канн  
 


[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2020 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Mon Mar 23 11:36:02 2020. Размер: 52,207 bytes.
Посещение N 5091 с 12.12.2006