- Блюмкина Ю.А. I Всесоюзная конференция "Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел" / Блюмкина Ю.А., Свиташев К.К. // Оптика и спектроскопия. - 1978. - Т.44, N 6. - С.1215-1216.
- Исследование особенностей формирования волноводного слоя при облучении двуокоси кремния ионами бора / Герасименко Н.Н., Панькин В.Г., Свиташев К.К., Цейтлин Г.М. // Журнал технической физики. Письма в редакцию. - 1978. - Т.4, N 10. - С.582-585. - Библиогр.: 12 назв.
- Об определении толщины диэлектрических пленок эллипсометрическим методом с использованием немонохроматического источника излучения / Семененко А.И., Семененко Л.В., Мардежов А.С., Свиташев К.К. // Украинский физический журнал. - 1978. - Т.23, N 3. - С.504-506.
- Оптические постоянные атомарно-чистой поверхности германия и кремния и их температурные зависимости / Алгазин Ю.Б., Блюмкина Ю.А., Гребнев Н.И., Свиташев К.К., Семененко Л.В., Яблонцева Т.М. // Оптика и спектроскопия. - 1978. - Т.45, N 2. - С.330-339. - Библиогр.: 21 назв.
- Эллипсометрическое исследование систем полупроводниковая подложка - полупроводниковая эпитаксиальная пленка со сложным распределением легирующей примеси / Мардежов А.С., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В. // Микроэлектроника. - 1978. - Т.7, N 6. - С.545-552. - Библиогр.: 11 назв.
- Blyumkina Yu.A. First All-Union Conference on Ellipsometry, a Method for Studying Physical-Chemical Processes on Surfaces of Solids / Blyumkina Yu.A., Svitashev K.K. // Optics and Spectroscopy. - 1978. - V.44, N 6. - P.712-713.
- Deposition of silica films by the oxidation of silane in oxygen. I. The kinetics and physicochemical model of the process / Vasilyeva L.L., Drozdov V.N., Repinsky S.M., Svitashev K.K. // Thin Solid Films. - 1978. - V.55, N 2. - P.221-228.
- Optical constants and temperature dependences of atomically pure surfaces of germanium and silicon / Algazin Yu.B., Blyumkina Yu.A., Grebnev N.I., Svitashev K.K., Semenenko L.V., Yablontseva T.M. // Optics and Spectroscopy. - 1978. - V.45, N 2. - P.183-188. - Bibliogr.: 21 ref.
- Блюмкина Ю.А. Исследование модуляционной погрешности в эллипсометрии / Блюмкина Ю.А., Архипенко А.В., Свиташев К.К. // Оптика и спектроскопия. - 1979. - Т.46, N 3. - С.601-603. - Библиогр.: 7 назв.
- Камбалин С.А. Накопление заряда в МНОП-системе с островковой пленкой на межфазной границе раздела диэлектриков / Камбалин С.А., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1979. - Т.8, N 3. - С.249-252. - Библиогр.: 8 назв.
- Определение параметров поглощающих пленок с помощью метода эллипсометрии / Дагман Э.Е., Панькин В.Г., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Шварц Н.Л. // Оптика и спектроскопия. - 1979. - Т.46, N 3. - С.559-565. - Библиогр.: 8 назв.
- Определение профиля комплексного показателя преломления в ионно-внедренных слоях из эллипсометрических измерений / Мардежов А.С., Серяпин В.Г., Любинская Р.И., Свиташев К.К., Смирнов Л.С., Семененко А.И. // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Т.13, N 12. - С.2347-2353. - Библиогр.: 23 назв.
- Основы эллипсометрии / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К. - Новосибирск: Наука, 1979. - 422 с. - Библиогр.: 875 назв.
- Оглавление книги
- Переход металл - неметалл в пленках окиси вольфрама при изменении степени окраски / Гриценко В.А., Меерсон Е.Е., Ройзин Я.О., Свиташев К.К. // Автометрия. - 1979. - N 2. - С.55-59. - Библиогр.: 9 назв.
- Эллипсометрическое исследование термодесорбции тонких пленок двуокиси кремния и адсорбированных слоев с поверхности монокристаллического кремния / Алгазин Ю.Б., Блюмкина Ю.А., Свиташев К.К., Яблонцева Т.М. // Журнал технической физики. - 1979. - Т.49, N 11. - С.2349-2352. - Библиогр.: 7 назв.
- Blyumkina Yu.A. Modulation error in ellipsometry / Blyumkina Yu.A., Arkhipenko A.V., Svitashev K.K. // Optics and Spectroscopy. - 1979. - V.46, N 3. - P.334-335. - Bibliogr.: 7 ref.
- Determination of the parameters of absorbing films by ellipsometry / Dagman E.E., Pankin,V.G., Svitashev K.K., Semenenko A.I., Semenenko L.V., Shvarts N.L. // Optics and Spectroscopy. - 1979. - V.46, N 3. - P.311-314. - Bibliogr.: 8 ref.
- Ellipsometric study of the thermal desorption of thin silicon dioxide films and adsorbed films from silicon single crystals / Algazin Yu.B., Bliumkina Yu.A., Svitashev K.K., Iablontseva T.M. // Soviet Physics - Technical Physics. - 1979. - V.24. - P.1310-1312.
- Rzhanov A.V. Ellipsometric techniques to study surfaces and thin films // Rzhanov A.V., Svitashev K.K. // Advances in Electronics and Electron Physics. - 1979. - V.49. - P.1-84.
- Алгазин Ю.Б. Кинетика термодесорбции тонких и субтонких окисных покрытий с поверхности монокристаллического кремния: эллипсометрическое исследование / Алгазин Ю.Б., Блюмкина Ю.А., Свиташев К.К. // Журнал технической физики. - 1980. - Т.50, N 10. - C.2152-2157. - Библиогр.: 11 назв.
- Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / Бурыкин И.Г., Воробьева Л.П., Грушецкий В.В., Дагман Э.Е., Любинская Р.И., Сапрыкина Г.А., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В.; отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, 1980. - 186 с.
- Расчет поляризационных углов D и φ и амплитудных коэффициентов отражения однослойной и двухслойной отражающих систем на произвольной подложке / Воробьева Л.П., Любинская Р.И., Свиташев К.К., Семененко Л.В. // Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.6-8.
- Расчет поляризационных углов D и φ однослойной системы с учетом сходимости рабочего светового пучка / Дагман Э.Е., Сапрыкина Г.А., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В. // Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.15-18.
- Расчет поляризационных углов D и φ и оптических параметров N и K переходных слоев четырехслойной отражающей системы на произвольной подложке / Дагман Э.Е., Сапрыкина Г.А., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В. // Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.8-11.
- Ред.: Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС / Эдельман Ф.Л.; отв. ред. Свиташев К.К. - Новосибирск: Наука, 1980. - 256 с.
- Алгазин Ю.Б. Об интерпретации малых изменений эллипсометрических углов при исследовании адсорбционно-десорбционных процессов / Алгазин Ю.Б., Свиташев К.К. // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тез. докл. 2-й всесоюз. конф. (29 июня-1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.31.
- Алгазин Ю.Б. Эллипсометрическое исследование адсорбции кислорода на кремнии в диапазоне температур 20-780 °C / Алгазин Ю.Б., Свиташев К.К. // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тез. докл. 2-й всесоюз. конф. (29 июня-1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.30.
- Алгазин Ю.Б. Эллипсометрическое исследование начальной стадии окисления кремния в диапазоне температур 20-800 °C / Алгазин Ю.Б., Блюмкина Ю.А., Свиташев К.К. // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тез. докл. 2-й всесоюз. конф. (29 июня-1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.29.
- Кольдяев В.И. Математические модели физических процессов инжекции и релаксации заряда в диэлектрических слоях МДП-транзисторов с памятью / Кольдяев В.И., Свиташев К.К. - Новосибирск, 1981. - 83 с. - (Препринт / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников; N 59-81). - Библиогр.: с.75-82.
- Эллипсометрическое исследование термического окисления ванадия / Ланская Т.Г., Любинская Р.И., Свиташева С.Н., Свиташев К.К. // Журнал технической физики. - 1981. - Т.51, N 9. - С.1920-1927. - Библиогр.: 20 назв.
- Ржанов А.В.Cовершенствовать труд ученого: из опыта работы коллектива Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР / Ржанов А.В., Свиташев К. // Вечерний Новосибирск. - 1981. - 24 марта.
- Свиташев К. Взять на себя ответственность / Свиташев К., Новотоцкий-Власов Ю., Покровская С. // За науку в Сибири. - 1981. - 26 нояб. - C.5.
- К 50-летию со дня рождения И.Г.Неизвестного (Институт физики полупроводников СО АН СССР).
- Свиташева С.Н. О возможностях комбинации методов эллипсометрии и спектроинтерферометрии на примере системы Si-SiO2 / Свиташева С.Н., Штейнгольц З.И., Свиташев К.К. // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тез. докл. 2-й всесоюз. конф. (29 июня-1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.128.
- Семененко А.И. О корректности интерпретации результатов эллипсометрических измерений / Семененко А.И., Резвый Р.Р., Свиташев К.К. // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тез. докл. 2-й всесоюз. конф. (29 июня-1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.21. - Библиогр.: 1 назв.
- Температурная зависимость параметров компенсатора / Мардежов А.С., Свиташев К.К., Семененко А.И., Хасанов Т.Х. // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тез. докл. 2-й всесоюз. конф. (29 июня - 1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.123.
- Эллипсометрия неоднородных слоев в кремнии, имплантированном ионами неона, кремния, фосфора и аргона / Мардежов А.С., Серяпин В.Г., Любинская Р.И., Свиташев К.К., Семененко А.И., Смирнов Л.С. // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тез. докл. 2-й всесоюз. конф. (29 июня-1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.96. - Библиогр.: 1 назв.
- Ellipsometric study of the thermal oxidation of vanadium / Lanskaya T.G., Lyubinskaya R.I., Svitasheva S.N., Svitashev K.K. // Soviet physics. Technical physics. - 1981. - V.26, N 9. - P.1115-1119. - Bibliogr.: 20 ref.
- Ред.: Аззам Р.М.А. Эллипсометрия и поляризованный свет: [пер. с англ.] / Азаам Р., Башара Н.; под ред. Ржанова А.В., Свиташева К.К. - М.: Мир, 1981. - 583 c. - (Перевод изд.: Ellipsometry and polarized light / R.M.A.Azzam, N.M.Bashara (Amsterdam etc., 1977).
- Ред.: Александров Л.Н. Многослойные пленочные структуры для источников света / Александров Л.Н., Иванцев А.С.; отв. ред. Свиташев К.К. - Новосибирск: Наука, 1981. - 137 с.
- Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, N 6. - С.499-511. - Библиогр.: 21 назв.
- Эллипсометрический метод определения качества обработки поверхности / Ржанов А.В., Свиташева С.Н., Свиташев К.К., Соколов В.К., Ашкеров Ю.В., Осадчев Л.А., Цеснек Л.С. // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.267, N 2. - C.373-376. - Библиогр.: 10 назв.
- Ellipsometric method of determining the quality of surface processing / Rzhanov A.V., Svitasheva S.N., Svitashev K.K., Sokolov V.K., Ashkerov Yu.V., Osadchev L.A., Tsesnek L.S. // Soviet Physics Doklady. - 1982. - V.27. - P.967. - Bibliogr.: 10 ref.
- Изменение эллипсометрических параметров в зависимости от механической обработки поверхности / Свиташева С.Н., Свиташев К.К., Семенов Е.В., Васильев А.Г. // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1983. - N 12. - С.64-71. - Библиогр.: 16 назв.
- Кольдяев В.И. Влияние температуры на кинетику поляризации МНОП-структур / Кольдяев В.И., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1983. - Т.12, N 4. - С.363-371. - Библиогр.: 23 назв.
- Ржанов А.В. Графический метод интерпретации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях / Ржанов А.В., Свиташева С.Н., Свиташев К.К. // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, N 5. - С.1123-1126. - Библиогр.: 6 назв.
- Ржанов А.В. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сб. статей / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, 1983. - С.3-6.
- Свиташев К.К. Измерения малых вращений плоскости поляризации / Свиташев К.К., Хасанов Т. // Оптика и спектроскопия. - 1983. - Т.54, N 3. - С.538-539. - Библиогр.: 2 назв.
- Rzhanov A.V. Graphical method of interpreting the results of ellipsometric measurements on rough surfaces / Rzhanov A.V., Svitasheva S.N., Svitashev K.K. // Soviet Physics Doklady. - 1983. - V.28. - P.1059. - Bibliogr.: 6 ref.
- Svitashev K.K. Measuring small polarization-plane rotations / Svitashev K.K., Khasanov T. // Optics and Spectroscopy. - 1983. - V.54, N 3. - P.317-318. - Bibliogr.: 2 ref.
- Мардежов А.С. Компенсатор для спектральных исследований / Мардежов А.С., Свиташев К.К., Хасанов Т. // Оптика и спектроскопия. - 1984. - Т.57, N 2. - С.366-368. - Библиогр.: 4 назв.
- О решении обратной задачи эллипсометрии для неоднородных систем / Дагман Э.Е., Любинская Р.И., Мардежов А.С., Свиташев К.К., Семененко А.И., Швец В.А. // Украинский физический журнал. - 1984. - Т.29, N 2. - С.187-193.
- Kol'dyaev V.I. Effect of temperature on the polarization kinetics of MNOS structures / Kol'dyaev V.I., Svitashev K.K. // Soviet Miсroelectronics. - 1984. - V.12, N 4. - P.197-204.
- Mardezhov A.S. Compensator for spectral investigations / Mardezhov A.S., Svitashev K.K., Khasanov T. // Optics and Spectroscopy. - 1984. - V.57, N 2. - P.221-222. - Bibliogr.: 4 ref.
- Исследование неоднородных слоев в кремнии, облученном ионами неона, кремния, фосфора и аргона, методом эллипсометрии / Мардежов А.С., Серяпин В.Г., Любинская Р.И., Свиташев К.К., Смирнов Л.С., Семененко А.И. // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Т.19, N 3. - С.564.
- Определение оптических постоянных одноосных кристаллов с учетом поверхностной изотопной пленки из эллипсометрических измерений / Любинская Р.И., Мардежов А.С., Свиташев К.К., Хасанов Т. // Оптика и спектроскопия. - 1985. - Т.59, N 2. - С.353-356. - Библиогр.: 9 назв.
- Determination of the optical constants of uniaxial crystals with allowance made for an isotropic surface film on the basis of ellipsometric measurements / Lyubinskaya R.I., Mardezhov A.S., Svitashev K.K., Khasanov T. // Optics and Spectroscopy. - 1985. - V.59, N 2. - P.212-214. - Bibliogr.: 9 ref.
- Кольдяев В.И. Математическое моделирование процессов переноса электронов в диэлектриках МДП-структур в сильных полях / Кольдяев В.И., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1986. - Т.15, N 3. - С.255-270. - Библиогр.: 86 назв.
- Мардежов А.С. Учет пленки на границе воздух - жидкость при проведении иммерсионных измерений через плоскопараллельный слой жидкости / Мардежов А.С., Свиташев К.К., Швец В.А. // Украинский физический журнал. - 1986. - Т.31, N 1. - С.48-50.
- Свиташев К.К. Учет оптической активности компенсатора при юстировке эллипсометра / Свиташев К.К., Хасанов Т. // Оптика и спектроскопия. - 1986. - Т.60, N 2. - С.399-401. - Библиогр.: 5 назв.
- Свиташева С.Н. Исследование процесса образования пленки естественного окисла на поверхности меди методом эллипсометрии / Свиташева С.Н., Любинская Р.И., Свиташев К.К. // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1986. - N 11. - С.80-85. - Библиогр.: 18 назв.
- Ellipsometric analysis of inhomogeneous structures on the basis of complex reflection coefficients / Lubinskaya R.I., Mardezhov A.S., Svitashev K.K., Shvets V.A. // Surface Science. - 1986. - T.177, N 3. - P.625-641.
- Svitashev K.K. Method of allowing for the optical activity of the compensator when adjusting an ellipsometer / Svitashev K.K., Khasanov T. // Optics and Spectroscopy. - 1986. - V.60, N 2. - P.243-244. - Bibliogr.: 5 ref.
- Vasilev V.V. Effect of hydrogen on photoluminescence spectra of silicon nitride amorphous films / Vasilev V.V., Mikhailovskii I.P., Svitashev K.K. // Physica Status Solidi. A. - 1986. - V.95, N 1. - P.K37-K42. - Bibliogr.: 15 ref.
- Ред.: Интегральная оптика. Физические основы. Приложения: [сб. докл.] / отв. ред. Свиташев К.К., Ильина Л.А. - Новосибирск: Наука, 1986. - 127 с.
|
