- Блюмкина Ю.А. I Всесоюзная конференция «Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел» / Ю.А.Блюмкина, К.К.Свиташев // Оптика и спектроскопия. - 1978. - Т.44, N 6. - С.1215-1216.
- Исследование особенностей формирования волноводного слоя при облучении двуокоси кремния ионами бора / Н.Н.Герасименко, В.Г.Панькин, К.К.Свиташев, Г.М.Цейтлин // Журнал технической физики. Письма в редакцию. - 1978. - Т.4, N 10. - С.582-585. - Библиогр.: 12 назв.
- Об определении толщины диэлектрических пленок эллипсометрическим методом с использованием немонохроматического источника излучения / А.И.Семененко, Л.В.Семененко, А.С.Мардежов, К.К.Свиташев // Украинский физический журнал. - 1978. - Т.23, N 3. - С.504-506.
- Оптические постоянные атомарно-чистой поверхности германия и кремния и их температурные зависимости / Ю.Б.Алгазин, Ю.А.Блюмкина, Н.И.Гребнев, К.К.Свиташев, Л.В.Семененко, Т.М.Яблонцева // Оптика и спектроскопия. - 1978. - Т.45, N 2. - С.330-339. - Библиогр.: 21 назв.
- Эллипсометрическое исследование систем полупроводниковая подложка - полупроводниковая эпитаксиальная пленка со сложным распределением легирующей примеси / А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко // Микроэлектроника. - 1978. - Т.7, N 6. - С.545-552. - Библиогр.: 11 назв.
- Blyumkina Yu.A. First All-Union Conference on Ellipsometry, a Method for Studying Physical-Chemical Processes on Surfaces of Solids / Yu.A.Blyumkina, K.K.Svitashev // Optics and Spectroscopy. - 1978. - Vol.44, N 6. - P.712-713.
- Deposition of silica films by the oxidation of silane in oxygen. I. The kinetics and physicochemical model of the process / L.L.Vasilyeva, V.N.Drozdov, S.M.Repinsky, K.K.Svitashev // Thin Solid Films. - 1978. - Vol.55, N 2. - P.221-228.
- Ellipsometric investigation of semiconductor substrate-semiconductor epitaxial layer systems with a complex distribution of the doping agent / A.S.Mardezhov, K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko // Soviet Microelectronics. - 1978. - Vol.7, N 6. - P.414-420.
- Formation of a waveguide layer in the bombardment of silicon dioxide by boron ions / N.N.Gerasimenko, V.G.Pan'kin, K.K.Svitashev, G.M.Tseitlin // Soviet Technical Physics Letters. - 1978. - Vol.4, N 5. - P.232-233.
- Optical constants and temperature dependences of atomically pure surfaces of germanium and silicon / Yu.B.Algazin, Yu.A.Blyumkina, N.I.Grebnev, K.K.Svitashev, L.V.Semenenko, T.M.Yablontseva // Optics and Spectroscopy. - 1978. - Vol.45, N 2. - P.183-188. - Bibliogr.: 21 ref.
- Блюмкина Ю.А. Исследование модуляционной погрешности в эллипсометрии / Ю.А.Блюмкина, А.В.Архипенко, К.К.Свиташев // Оптика и спектроскопия. - 1979. - Т.46, N 3. - С.601-603. - Библиогр.: 7 назв.
- Камбалин С.А. Накопление заряда в МНОП-системе с островковой пленкой на межфазной границе раздела диэлектриков / С.А.Камбалин, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1979. - Т.8, N 3. - С.249-252. - Библиогр.: 8 назв.
- Определение параметров поглощающих пленок с помощью метода эллипсометрии / Э.Е.Дагман, В.Г.Панькин, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, Н.Л.Шварц // Оптика и спектроскопия. - 1979. - Т.46, N 3. - С.559-565. - Библиогр.: 8 назв.
- Определение профиля комплексного показателя преломления в ионно-внедренных слоях из эллипсометрических измерений / А.С.Мардежов, В.Г.Серяпин, Р.И.Любинская, К.К.Свиташев, Л.С.Смирнов, А.И.Семененко // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Т.13, N 12. - С.2347-2353. - Библиогр.: 23 назв.
- Основы эллипсометрии / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов. - Новосибирск: Наука, 1979. - 422 с. - Библиогр.: 875 назв.
- Оглавление книги
- Переход металл - неметалл в пленках окиси вольфрама при изменении степени окраски / В.А.Гриценко, Е.Е.Меерсон, Я.О.Ройзин, К.К.Свиташев // Автометрия. - 1979. - N 2. - С.55-59. - Библиогр.: 9 назв.
- Эллипсометрическое исследование термодесорбции тонких пленок двуокиси кремния и адсорбированных слоев с поверхности монокристаллического кремния / Ю.Б.Алгазин, Ю.А.Блюмкина, К.К.Свиташев, Т.М.Яблонцева // Журнал технической физики. - 1979. - Т.49, N 11. - С.2349-2352. - Библиогр.: 7 назв.
- Blyumkina Yu.A. Modulation error in ellipsometry / Yu.A.Blyumkina, A.V.Arkhipenko, K.K.Svitashev // Optics and Spectroscopy. - 1979. - V.46, N 3. - P.334-335. - Bibliogr.: 7 ref.
- Determination of the parameters of absorbing films by ellipsometry / E.E.Dagman, V.G.Pankin, K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, Semenenko, N.L.Shvarts // Optics and Spectroscopy. - 1979. - Vol.46, N 3. - P.311-314. - Bibliogr.: 8 ref.
- Determination of the profile of the complex refractive index of ion-implanted layers from ellipsometric measurements / A.S.Mardezhov, V.G.Seryapin, R.I.Lyubinskaya, K.K.Svitashev, L.S.Smirnov, A.I.Semenenko // Soviet Physics - Semiconductors. - 1979. - Vol.13, N 12. - P.1374-1378.
- Ellipsometric study of the thermal desorption of thin silicon dioxide films and adsorbed films from silicon single crystals / Yu.B.Algazin, Yu.A.Bliumkina, K.K.Svitashev, T.M.Iablontseva // Soviet Physics - Technical Physics. - 1979. - Vol.24. - P.1310-1312.
- Kambalin S.A. Charge accumulation in an MNOS system with an island film at the interphase boundary between the dielectrics / S.A.Kambalin, K.K.Svitashev // Soviet Microelectronics. - 1979. - Vol.8, N 3. - P.188-191.
- Rzhanov A.V. Ellipsometric techniques to study surfaces and thin films / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Advances in Electronics and Electron Physics / edited by L.Marton, C.Marton. - New York; London: Academic Press, 1979. - Vol.49. - P.1-84.
- Алгазин Ю.Б. Кинетика термодесорбции тонких и субтонких окисных покрытий с поверхности монокристаллического кремния: эллипсометрическое исследование / Ю.Б.Алгазин, Ю.А.Блюмкина, К.К.Свиташев // Журнал технической физики. - 1980. - Т.50, N 10. - C.2152-2157. - Библиогр.: 11 назв.
- Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / И.Г.Бурыкин, Л.П.Воробьева, В.В.Грушецкий, Э.Е.Дагман, Р.И.Любинская, Г.А.Сапрыкина, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко; ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, 1980. - 186 с.
- Расчет поляризационных углов D и φ и амплитудных коэффициентов отражения однослойной и двухслойной отражающих систем на произвольной подложке / Л.П.Воробьева, Р.И.Любинская, К.К.Свиташев, Л.В.Семененко // Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.6-8.
- Расчет поляризационных углов D и φ однослойной системы с учетом сходимости рабочего светового пучка / Э.Е.Дагман, Г.А.Сапрыкина, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко // Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / ответственый редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.15-18.
- Расчет поляризационных углов D и φ и оптических параметров N и K переходных слоев четырехслойной отражающей системы на произвольной подложке / Э.Е.Дагман, Г.А.Сапрыкина, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко // Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.8-11.
- Kinetics of thermodesorption of thin and subthin oxide coatings from the surface of silicon single crystal: an ellipsometric study / Yu.B.Algazin, Yu.A.Blyumkina, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Technical Physics. - 1980. - Vol.25, N 10. - P.1254-1257.
- Ред.: Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС / Ф.Л.Эдельман; ответственный редактор К.К.Свиташев - Новосибирск: Наука, 1980. - 256 с.
- Алгазин Ю.Б. Об интерпретации малых изменений эллипсометрических углов при исследовании адсорбционно-десорбционных процессов / Ю.Б.Алгазин, К.К.Свиташев // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тезисы докладов 2-й всесоюзной конференции (29 июня - 1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.31.
- Алгазин Ю.Б. Эллипсометрическое исследование адсорбции кислорода на кремнии в диапазоне температур 20-780 °C / Ю.Б.Алгазин, К.К.Свиташев // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тезисы докладов 2-й всесоюзной конференции (29 июня - 1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.30.
- Алгазин Ю.Б. Эллипсометрическое исследование начальной стадии окисления кремния в диапазоне температур 20-800 °C / Ю.Б.Алгазин, Ю.А.Блюмкина, К.К.Свиташев // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тезисы докладов 2-й всесоюзной конференции (29 июня - 1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.29.
- Взять на себя ответственность / К.Свиташев, Ю.Новотоцкий-Власов, С.Покровская, А.Клименко, З.Яновицкая // За науку в Сибири. - 1981. - 26 ноября (N 47). - C.5.
- К 50-летию со дня рождения И.Г. Неизвестного (Институт физики полупроводников СО АН СССР).
- Кольдяев В.И. Математические модели физических процессов инжекции и релаксации заряда в диэлектрических слоях МДП-транзисторов с памятью / В.И.Кольдяев, К.К.Свиташев - Новосибирск, 1981. - 83 с. - (Препринт / Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР; N 59-81). - Библиогр.: с.75-82.
- Ржанов А.В.Cовершенствовать труд ученого: из опыта работы коллектива Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР / А.В.Ржанов, К.Свиташев // Вечерний Новосибирск. - 1981. - 24 марта.
- Свиташева С.Н. О возможностях комбинации методов эллипсометрии и спектроинтерферометрии на примере системы Si-SiO2 / С.Н.Свиташева, З.И.Штейнгольц, К.К.Свиташев // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тезисы докладов 2-й всесоюзной конференции (29 июня-1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.128.
- Семененко А.И. О корректности интерпретации результатов эллипсометрических измерений / А.И.Семененко, Р.Р.Резвый, К.К.Свиташев // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тезисы докладов 2-й всесоюзной конференции (29 июня - 1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.21. - Библиогр.: 1 назв.
- Температурная зависимость параметров компенсатора / А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Т.Х.Хасанов // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тезисы докладов 2-й всесоюзной конференции (29 июня - 1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.123.
- Эллипсометрическое исследование термического окисления ванадия / Т.Г.Ланская, Р.И.Любинская, С.Н.Свиташева, К.К.Свиташев // Журнал технической физики. - 1981. - Т.51, N 9. - С.1920-1927. - Библиогр.: 20 назв.
- Эллипсометрия неоднородных слоев в кремнии, имплантированном ионами неона, кремния, фосфора и аргона / А.С.Мардежов, В.Г.Серяпин, Р.И.Любинская, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.С.Смирнов // Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел: тезисы докладов 2-й всесоюзной конференции (29 июня - 1 июля). - Новосибирск, 1981. - С.96. - Библиогр.: 1 назв.
- Ellipsometric study of the thermal oxidation of vanadium / T.G.Lanskaya, R.I.Lyubinskaya, S.N.Svitasheva, K.K.Svitashev // Soviet physics. Technical physics. - 1981. - Vol.26, N 9. - P.1115-1119. - Bibliogr.: 20 ref.
- Ред.: Аззам Р.М.А. Эллипсометрия и поляризованный свет: [перевод с английского] / Р.Аззам, Н.Башара; под редакцией А.В.Ржанова, К.К.Свиташева - Москва: Мир, 1981. - 583 c. - Перевод изд.: Ellipsometry and polarized light / R.M.A.Azzam, N.M.Bashara. - Amsterdam [et al]. - 1977. - xvii, 539 p.
- Ред.: Александров Л.Н. Многослойные пленочные структуры для источников света / Л.Н.Александров, А.С.Иванцев; ответственный редактор К.К.Свиташев - Новосибирск: Наука, 1981. - 137 с.
- Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, N 6. - С.499-511. - Библиогр.: 21 назв.
- То же: // След на земле. Солдат, Ученый, Учитель. - Новосибирск: Издательство СО РАН, 2002. - С.366-380.
- Эллипсометрический метод определения качества обработки поверхности / А.В.Ржанов, С.Н.Свиташева, К.К.Свиташев, В.К.Соколов, Ю.В.Ашкеров, Л.А.Осадчев, Л.С.Цеснек // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.267, N 2. - C.373-376. - Библиогр.: 10 назв.
- Ellipsometric method of determining the quality of surface processing / A.V.Rzhanov, S.N.Svitasheva, K.K.Svitashev V.K.Sokolov, Yu.V.Ashkerov, L.A.Osadchev, L.S.Tsesnek // Soviet Physics Doklady. - 1982. - Vol.27. - P.967-969. - Bibliogr.: 10 ref.
- Изменение эллипсометрических параметров в зависимости от механической обработки поверхности / С.Н.Свиташева, К.К.Свиташев, Е.В.Семенов, А.Г.Васильев // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1983. - N 12. - С.64-71. - Библиогр.: 16 назв.
- Кольдяев В.И. Влияние температуры на кинетику поляризации МНОП-структур / В.И.Кольдяев, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1983. - Т.12, N 4. - С.363-371. - Библиогр.: 23 назв.
- Ржанов А.В. Графический метод интерпретации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях / А.В.Ржанов, С.Н.Свиташева, К.К.Свиташев // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, N 5. - С.1123-1126. - Библиогр.: 6 назв.
- Ржанов А.В. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сборник статей / ответственный редактор А.В.Ржанов. - Новосибирск: Наука, 1983. - С.3-6.
- Свиташев К.К. Измерения малых вращений плоскости поляризации / К.К.Свиташев, Т.Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 1983. - Т.54, N 3. - С.538-539. - Библиогр.: 2 назв.
- Kol'dyaev V.I. Effect of temperature on the polarization kinetics of MNOS structures / V.I.Kol'dyaev, K.K.Svitashev // Soviet Microelectronics. - 1983. - Vol.12, N 34. - P.197-204.
- Rzhanov A.V. Graphical method of interpreting the results of ellipsometric measurements on rough surfaces / A.V.Rzhanov, S.N.Svitasheva, K.K.Svitashev // Soviet Physics Doklady. - 1983. - Vol.28. - P.1059-1061. - Bibliogr.: 6 ref.
- Svitashev K.K. Measuring small polarization-plane rotations / K.K.Svitashev, T.Khasanov // Optics and Spectroscopy. - 1983. - Vol.54, N 3. - P.317-318. - Bibliogr.: 2 ref.
- Мардежов А.С. Компенсатор для спектральных исследований / А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, Т.Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 1984. - Т.57, N 2. - С.366-368. - Библиогр.: 4 назв.
- О решении обратной задачи эллипсометрии для неоднородных систем / Э.Е.Дагман, Р.И.Любинская, А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, В.А.Швец // Украинский физический журнал. - 1984. - Т.29, N 2. - С.187-193.
- Kol'dyaev V.I. Effect of temperature on the polarization kinetics of MNOS structures / V.I.Kol'dyaev, K.K.Svitashev // Soviet Miсroelectronics. - 1984. - Vol.12, N 4. - P.197-204.
- Mardezhov A.S. Compensator for spectral investigations / A.S.Mardezhov, K.K.Svitashev, T.Khasanov // Optics and Spectroscopy. - 1984. - Vol.57, N 2. - P.221-222. - Bibliogr.: 4 ref.
- Исследование неоднородных слоев в кремнии, облученном ионами неона, кремния, фосфора и аргона, методом эллипсометрии / А.С.Мардежов, В.Г.Серяпин, Р.И.Любинская, К.К.Свиташев, Л.С.Смирнов, А.И.Семененко // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Т.19, N 3. - С.564.
- Определение оптических постоянных одноосных кристаллов с учетом поверхностной изотопной пленки из эллипсометрических измерений / Р.И.Любинская, А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, Т.Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 1985. - Т.59, N 2. - С.353-356. - Библиогр.: 9 назв.
- Determination of the optical constants of uniaxial crystals with allowance made for an isotropic surface film on the basis of ellipsometric measurements / R.I.Lyubinskaya, A.S.Mardezhov, K.K.Svitashev, T.Khasanov // Optics and Spectroscopy. - 1985. - Vol.59, N 2. - P.212-214. - Bibliogr.: 9 ref.
- Variation of the ellipsometric parameters of a surface as a function of its mechanical treatment / S.N.Svitasheva, K.K.Svitashev, E.V.Semenov, A.G.Vasilyev // Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces. - 1985. - Vol.2, N 12, - P.3598-3613.
- Кольдяев В.И. Математическое моделирование процессов переноса электронов в диэлектриках МДП-структур в сильных полях / В.И.Кольдяев, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1986. - Т.15, N 3. - С.255-270. - Библиогр.: 86 назв.
- Мардежов А.С. Учет пленки на границе воздух - жидкость при проведении иммерсионных измерений через плоскопараллельный слой жидкости / А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, В.А.Швец // Украинский физический журнал. - 1986. - Т.31, N 1. - С.48-50.
- Свиташев К.К. Учет оптической активности компенсатора при юстировке эллипсометра / К.К.Свиташев, Т.Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 1986. - Т.60, N 2. - С.399-401. - Библиогр.: 5 назв.
- Свиташева С.Н. Исследование процесса образования пленки естественного окисла на поверхности меди методом эллипсометрии / С.Н.Свиташева, Р.И.Любинская, К.К.Свиташев // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1986. - N 11. - С.80-85. - Библиогр.: 18 назв.
- Ellipsometric analysis of inhomogeneous structures on the basis of complex reflection coefficients / R.I.Lubinskaya, A.S.Mardezhov, K.K.Svitashev, V.A.Shvets // Surface Science. - 1986. - Vol.177, N 3. - P.625-641.
- Kol'dyaev V.I. Mathematical modeling of electron transport processes in the dielectrics of MDS structures in strong fields / V.I.Kol'dyaev, K.K.Svitashev // Soviet Microelectronics. - 1986. - Vol.15, N 3. - P.145-158.
- Svitashev K.K. Method of allowing for the optical activity of the compensator when adjusting an ellipsometer / K.K.Svitashev, T.Khasanov // Optics and Spectroscopy. - 1986. - Vol.60, N 2. - P.243-244. - Bibliogr.: 5 ref.
- Vasilev V.V. Effect of hydrogen on photoluminescence spectra of silicon nitride amorphous films / V.V.Vasilev, I.P.Mikhailovskii, K.K.Svitashev // Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Sciences. - 1986. - Vol.95, N 1. - P.K37-K42. - Bibliogr.: 15 ref.
- Ред.: Интегральная оптика. Физические основы. Приложения: [сборник докладов] / ответственные редакторы: К.К.Свиташев , Л.А.Ильина. - Новосибирск: Наука, 1986. - 127 с.
|
