Александр Николаевич Скринский. Биографический очерк
Скринский А. Н.
Академик
Александр Николаевич
Скринский
Биографический очерк
 

Академик РАН. Лауреат Ленинской премии (1967), Государственной премии СССР (1989), Государственной премии РФ (2002, 2005). Награжден орденами Трудового Красного Знамени, Октябрьской Революции, «За заслуги перед Отечеством» IV, III и II степени.

 

Среди ученых, оказавших значительное влияние на становление и развитие физики элементарных частиц, заметное место занимает Александр Николаевич Скринский.

Основные научные исследования А. Н. Скринского относятся к экспериментальной и прикладной физике. Александр Николаевич Скринский — выдающийся ученый в области физики высоких энергий (создал одну из ведущих научных школ в области физики высоких энергий), физики и технологии ускорителей заряженных частиц, источников синхротронного и ондуляторного излучения, выдвинувший и реализовавший ряд революционных идей по созданию новых типов ускорителей со встречными пучками элементарных частиц.

Родился А. Н. Скринский 15 января 1936 года в Оренбурге. Среднюю школу окончил в городе Горьком, после чего поступил в Московский университет им. М. В. Ломоносова, который окончил в 1959 году. Свой красный диплом Александр Николаевич получил из рук Н. С. Хрущева, посетившего выпускной вечер в университете.

В 1957 году студент четвертого курса физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова А. Н. Скринский стал участником лаборатории новых методов ускорения Г. И. Будкера, входившей в возглавляемую И. В. Курчатовым Лабораторию измерительных приборов АН (ЛИПАН, ныне Курчатовский институт).

С 1962 года научная деятельность Александра Николаевича непосредственно связана с Институтом ядерной физики Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН), получившим в 1994 году имя Г.  И. Будкера.

Именно в ИЯФ под руководством Г. И. Будкера и А. Н. Скринского (параллельно с Принстон-Стэнфордской группой) была создана установка со встречными электрон-электронными пучкам ВЭП-1 (1964) и проведен цикл экспериментов на ней (1965–1967 гг.). В 1967–1970 годах под их же руководством осуществлены эксперименты на первом в мире электрон-позитронном коллайдер — установке со встречными электрон-позитронными пучками ВЭПП-2. За этот цикл работ коллектив авторов ИЯФ был удостоен Ленинской премии (1967). Позднее метод встречных пучков стал основой современной экспериментальной физики высоких энергий; в частности, на базе технологий метода встречных пучков был построен Большой адронный коллайдер в ЦЕРНе.

А. Н. Скринским предложена и реализована идея кардинального повышения светимости коллайдеров в уже обследованной области энергии (1969–1974), а также идея радикального улучшения монохроматичности электрон-позитронных встречных пучков. Кроме того, под руководством А. Н. Скринского создан ускорительно-накопительный комплекс ВЭПП-4 на полную энергию 11 ГэВ. Создание и становление метода встречных пучков на основе накопителей заряженных частиц является основой современной экспериментальной физики высоких энергий, исследующей свойства и закономерности мира элементарных частиц.

В 1970-х годах А. Н. Скринский предложил метод высокоточного измерения масс элементарных частиц с помощью резонансной деполяризации электрон-позитронных встречных пучков, за развитие и реализацию которого группа ученых ИЯФ была удостоена Государственной премии СССР (1989).

26 ноября 1968 года А. Н. Скринский избран членом-корреспондентом АН СССР, а 24 декабря 1970 года в возрасте тридцати четырех лет стал действительным членом АН СССР (с 1991 года — РАН) по Отделению ядерной физики (физика высоких энергий).

В 1974 году А. Н. Скринский сумел реализовать и значительно развить предложенный Г. И. Будкером метод «электронного охлаждения», были найдены многочисленные эффективные приложения метода в весьма важных областях, найдены решения, позволяющие радикально расширить диапазон энергий, вплоть до ионов ТэВ-ного диапазона. Метод широко используется во многих лабораториях мира, во многих случаях с участием ИЯФ им. Г. И. Будкера (CERN, GSI Германия, IMP Китай).

В 2000-х годах под руководством А. Н. Скринского для Центра фотохимических исследований Сибирского отделения РАН был создан инфракрасный лазер на свободных электронах со средней мощностью до 100 кВт.

Большой вклад внес А. Н. Скринский и в развитие прикладных работ на основе фундаментальных разработок ИЯФ. Это — применение синхротронного излучения в различных областях науки и техники, развитие электронно-лучевых технологий для различных отраслей промышленности.

С 1988 года Александр Николаевич является членом Президиума РАН, с 1999-го — действительным членом Американского физического общества, с 2000-го — членом Шведской королевской академии. В 1980–1986 годах он был членом, а в 1987–1989 — председателем Международного комитета по перспективным ускорителям (ICFA), в 1986–1992 — членом Комитета научной политики ЦЕРН, в 2001–2004 гг. был членом Совета при президенте РФ по науке и высоким технологиям.

Талантливый продолжатель дела Г. И. Будкера, Александр Николаевич Скринский успешно руководил ИЯФ им. Г. И. Будкера СО РАН с 1977 по 2015 год, бережно сохраняя и развивая лучшие традиции института. С 2015 года Александр Николаевич – научный руководитель ФГБУН Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера СО РАН.

Сегодня при непосредственном участии академика в институте проводятся эксперименты по физике высоких энергий на коллайдере ВЭПП-4М и новом коллайдере ВЭПП-2000, а также идут работы над созданием принципиально новой установки — Супер Чарм-тау-фабрики — одного из наиболее амбициозных научных проектов в области физики высоких энергий не только в России, но и в мире.

А. Н. Скринский является автором и соавтором более 500 печатных работ, принимает активное участие в подготовке научных кадров. Им создана одна из ведущих мировых научных школ в области физики высоких энергий. Работы А. Н. Скринского и его научной школы составляют гордость российской науки, признаны во всем мире и легли в основу многих крупнейших российских и мировых проектов. Среди учеников А. Н. Скринского – десятки докторов и кандидатов наук, члены РАН.

За выдающийся вклад в науку А. Н. Скринский награжден золотой медалью РАН им. В. И. Векслера (1991), золотой медалью РАН им. П. Л. Капицы (2004), удостоен премии им. Р. Р. Вилсона Американского физического общества (2001) и премии им. А. П. Карпинского (Германия, 2003).

В 2007 г. ему присвоено звание «Почетный житель Новосибирска» за большой вклад в развитие науки в области ядерной физики и подготовку высококвалифицированных специалистов.

Имя академика Александра Николаевича Скринского внесено в энциклопедию «Лучшие люди России».

Источники:

  • Скринский Александр Николаевич // Лучшие люди России: энциклопедия. [Вып. 8, ч. 1]. М.: Спец-Адрес, 2006. С. 381.
  • Скринский Александр Николаевич // Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / Сост. Е. Г. Водичев и др. — Новосибирск: Наука, 2007. — С. 234–235.