Академик Ф.А.Кузнецов (Наука в Сибири, 1988, N4)
 Навигация
 
 

Кузнецов Ф.А.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



Научные школы ННЦ
 
АКАДЕМИК Ф.А.КУЗНЕЦОВ *
 

Федор Андреевич Кузнецов родился в 1932 году. Видный советский ученый, крупный специалист в области материалов электронной техники, организатор научных исследований в области электронного материаловедения. Известен своими трудами по созданию эпитаксиальных и диэлектрических слоев кремниевой электроники, получению особо чистых веществ, разработке технологии роста монокристаллов с помощью оригинальной автоматизированной аппаратуры, методов моделирования процессов синтеза и прогнозирования процессов старения материалов и структур электронной техники, созданию автоматизированной информационной системы о свойствах материалов электронной техники.

Результаты фундаментальных работ, проводимых Ф.А.Кузнецовым, находят широкое практическое применение: ведущими отраслями промышленности используются методы осаждения полупроводниковых пленок и слоев из газовой фазы, регулирования состава диэлектрических слоев, создания многокомпонентных твердотельных структур с взаимно сосуществующими материалами, «сухой» вакуумной литографии субмикронного разрешения при создании больших и сверхбольших интегральных схем, технология и контроль узкозонных полупроводников, технология роста кристаллов с использованием автоматизированной аппаратуры.

Слово - академику Ф.А.Кузнецову:

- Электронное материаловедение, которым я занимаюсь много лет - это область, с одной стороны, очень быстро использующая последние достижения многих наук - химии, физики, технологии машиностроения, информатики... и с другой стороны, дающая мощный стимул в продвижении фронта фундаментальных знаний. Упомянем лишь взрыв интереса к строению и свойствам поверхности твердых тел, открытие многих ранее неизвестных деталей строения кристаллов, установление особенности состояния веществ при их очень малой концентрации (микропримеси). Все это было бы невозможно без получения материалов такого уровня чистоты и структурного совершенства, которые обеспечены материаловедением.

Убежден, что электронному материаловедению предстоит пройти еще больший путь. И станет ясно, что нынешнее применение электронных материалов это лишь первые простые попытки использования свойств твердых тел.

Среди ближайших задач, несомненно - расширение набора используемых материалов: полупроводников, пьезо- и сегнетоэлектриков, лазерных и нелинейно оптических сред, сверхпроводников, магнитных веществ. Особенно интересные вещества с комбинированными свойствами. Следует развивать новые высокоуправляемые методы синтеза, особенно с использованием летучих веществ. И, наконец (но не в последнюю очередь), материаловедение не может далее развиваться без широкого применения вычислительной техники: для решения информационных задач, для машинного прогнозирования вариантов технологии, для автоматизации процедур синтеза и исследования материалов и сложнейших многокомпонентных структур, из которых сегодня строится электронная техника.


 * Источник: Академик Ф.А.Кузнецов: [представление в связи с избранием академиком АН СССР (по Сибирскому отделению)] // Наука в Сибири. - 1988. - N 4. - С.2.
 

Научные школы ННЦ Ф.А.Кузнецов | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Зоя Вахрамеева и Сергей Канн  
 


[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2021 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Wed Feb 27 14:55:56 2019. Размер: 10,011 bytes.
Посещение N 2409 с 04.04.2007