Навигация
 
 
Асеев А.Л.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



Научные школы ННЦ
 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1969-1997 1998-2007 2008-2010 с 2011 года ИЗОБРЕТЕНИЯ
 
1998 | 1999 | 2000 | 2001 | 2002 | 2003 | 2004 | 2005 | 2006 | 2007

  1. Асеев А.Л. Западно-Сибирский центр электронной микроскопии / А.Л.Асеев, Г.Н.Крюкова // Вестник РФФИ. - 1998. - N 1. - С.50-51.
  2. Латышев А.В. Моноатомные ступени на поверхности кремния / А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Успехи физических наук. - 1998. - Т.168, N 10. - С.1117-1127.
  3. Латышев А.В. Начальные стадии эпитаксии Ge и Si на ступенчатой поверхности Si(111), изучаемые с помощью отражательной электронной микроскопии / А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Наноструктуры на основе кремния и германия. - Н. Новгород, 1998. - С.S1-S10.
  4. Latyshev A.V. Monoatomic steps on silicon surfaces / A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Physics-Uspekhi. - 1998. - Vol.41, N 10. - P.1015-1023.
  5. Latyshev A.V. Peculiarities of step bunching on Si(001) surface induced by DC heating / A.V.Latyshev, L.V.Litvin, A.L.Aseev // Applied Surface Science. - 1998. - Vol.130/132. - P.139-145.
  6. On the mechanism of {111}-defect formation in silicon studied by in situ electron irradiation in a high resolution electron microscope / L.Fedina, A.Gutakovskii, A.Aseev, J.Van Landuyt, J.Vanhellemont // Philosophical Magazine A: Physics of Condensed Matter, Structure, Defects and Mechanical Properties. - 1998. - Vol.77, N 2. - P.423-435.
  7. Латышев А.В. Начальные стадии эпитаксии Ge и Si на ступенчатой поверхности Si(111), изучаемые с помощью отражательной электронной микроскопии / А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Известия Российской академии наук. Сер. физическая. - 1999. - Т.63, N 2. - С.235-243.
  8. Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции / З.Д.Квон, Л.В.Литвин, В.А.Ткаченко, А.Л.Асеев // Успехи физических наук. - 1999. - Т.169, N 4. - С.471-474.
  9. Extended defects formation in Si crystals by clustering of intrinsic point defects studied by in-situ electron irradiation in an HREM / L.Fedina, A.Gutakovskii, A.Aseev, J.Van Landuyt, J.Vanhellemont // Physica Status Solidi (A). - 1999. - Vol.171, N 1. - P.147-157.
  10. One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference / Z.D.Kvon, L.V.Litvin, V.A.Tkachenko, A.L.Aseev // Physics-Uspekhi. - 1999. - Vol.42, N 4. - P.402-405.
  11. Асеев А.Л. Кремний: фундаментальные проблемы материаловедения полупроводникового кремния / А.Л.Асеев, В.Попов // Наука в Сибири. - 2000. - 14 января (N 2). - С.3.
    Об интеграционном проекте Сибирского отделения РАН.
  12. Асеев А.Л. Одноэлектронные устройства на основе эффектов электронной интерференции и кулоновской блокады / А.Л.Асеев // Информационные технологии и вычислительные системы. - 2000. - N 2. - С.67-73.
  13. Асеев А.Л. Поверхностные процессы при формировании наноструктур на поверхности кремния / А.Л.Асеев, А.В.Латышев // Известия Росcийской акададемии наук. Сер. физическая. - 2000. - Т.64, N 2. - С.198-204.
  14. Асеев А. Физика, технология, приборы / А.Асеев // Наука в Сибири. - 2000. - 7 апр.(N 14). - С.3.
  15. Изучение начальных стадий адсорбции металлов на ступенчатой поверхности Si(111) / В.Н.Савенко, Р.Ю.Высоцкий, Д.А.Насимов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2000. - Т.43, N 11. Прил. - С.171-179.
  16. Кулоновская блокада в условиях неупругого туннелирования / Л.В.Литвин, В.А.Колосанов, Д.Г.Бакшеев, В.А.Ткаченко, А.Л.Асеев // Материалы конференции молодых ученых, посвященной 100-летию М.А. Лаврентьева (Новосибирск, 4-6 декабря 2000 г.). - Новосибирск, 2000. - Ч.1. - С.64-65.
  17. Кулоновская блокада в условиях неупругого туннелирования / Л.В.Литвин, В.А.Колосанов, Д.Г.Бакшеев, В.А.Ткаченко, А.Л.Асеев // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2000. - Т.72, N 5. - С.388-393.
  18. Почетный директор / А.Асеев, И.Неизвестный, С.Богданов, Г.Курышев, В.Овсюк // Наука в Сибири. - 2000. - 7 апр.(N 14). - С.3.
    Почетному директору Института физики полупроводников СО РАН академику РАН Анатолию Васильевичу Ржанову - 80 лет.
  19. Создание одноэлектронных устройств методом SECO (step edge cut off) на системе Ti/TiOx / Л.В.Литвин, В.А.Колосанов, К.П.Могильников, А.Г.Черков, Д.Г.Бакшеев, В.А.Ткаченко, А.Л.Асеев // Микроэлектроника. - 2000. - Т.29, N 3. - С.189-196.
  20. Coulomb blockade under conditions of inelastic tunneling / L.V.Litvin, V.A.Kolosanov, D.G.Baksheev, V.A.Tkachenko, A.L.Aseev // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. - 2000. - Vol.72, N 5. - P.264-268.
  21. Fedina L. In situ HREM irradiation study of an intrinsic point defects clustering in FZ-Si / L.Fedina, A.Gutakovskii, A.Aseev // Crystal Research and Technology. - 2000. - Vol.35, N 6. - P.775-786.
  22. Ti/TiOx single-electron devices produced with a step-edge-cut-off (seco) method / L.V.Litvin, V.A.Kolosanov, K.P.Mogil'nikov, A.G.Cherkov, D.G.Baksheev, V.A.Tkachenko, A.L.Aseev // Russian Microelectronics. - 2000. - Vol.29, N 3. - P.170-176.
  23. UHV-REM study of gold adsorption on the Si(111) surface / A.V.Latyshev, D.A.Nasimov, V.N.Savenko, A.L.Aseev // Thin Solid Films. - 2000. - Vol.367, N 1/2. - P.142-148.
  24. Асеев А. Энтузиазм не угасает! / А.Асеев, В.Шумский // Наука в Сибири. - 2001. - 23 ноября (N 45). - С.9.
    Члену-корреспонденту РАН И.Г. Неизвестному - 70 лет (Институт физики полупроводников СО РАН).
  25. Косолобов С.С. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии / С.С.Косолобов, А.Л.Асеев, А.В.Латышев // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т.35, N 9. - С.1084-1091.
  26. Одноэлектронный металлический транзистор с низкими туннельными барьерами / Д.Г.Бакшеев, В.А.Ткаченко, Л.В.Литвин, В.А.Колосанов, К.П.Могильников, А.Г.Черков, А.Л.Асеев // Автометрия. - 2001. - N 3. - С.118-136.
  27. Упорядоченние нанокластеров золота на поверхности кремния / В.Н.Савенко, Д.А.Насимов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Известия Российской академии наук. Сер. физическая. - 2001. - Т.65, N 2. - С.171-175.
  28. Fedina L. FZ-Si crystal growth and HREM study of new types of extended defects during in situ electron irradiation / L.Fedina, A.Gutakovskii, A.Aseev // Journal of Crystal Growth. - 2001. - Vol.229, N 1-4: 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, 29 August-1 September 2000. - P.1-5.
  29. In situ REM studies of a Si(111) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments / A.V.Latyshev, D.A.Nasimov, V.N.Savenko, S.S.Kosolobov, A.L.Aseev // Microscopy of semiconducting materials 2001: proceedings of the Royal Microscopical Society Conference, Oxford University, 25-29 March 2001. - Bristol: CRC Press, 2001. - P.153-162. - (Institute of Physics Conference Series; Vol.169).
  30. Kosolobov S.S. In situ study of the interaction of oxygen with the Si(111) surface by ultrahigh-vacuum reflection electron microscopy / S.S.Kosolobov, A.L.Aseev, A.V.Latyshev // Semiconductors. - 2001. - Vol.35, N 9. - P.1038-1044.
  31. Metal single-electron transistor with low tunneling barriers / D.G.Baksheev, V.A.Tkachenko, L.V.Litvin, V.A.Kolosanov, K.P.Mogilnikov, A.G.Cherkov, A.L.Aseev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2001. - N 3. - P.99-113.
  32. Асеев А. "Многоликий" кремний / А.Асеев, А.Двуреченский, Л.Ильина // Наука в Сибири. - 2002. - 16 августа (N 32/33). - С.3.
    О работе международного совещания "Кремний-2002", организованного Институтом физики полупроводников СО РАН.
  33. Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом АСМ / Д.В.Щеглов, Е.Е.Родякина, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V: материалы восьмой Российской конференции, Томск, 1-4 октября 2002 г. - Томск, 2002. - С.192.
  34. Наноразмерная модификация поверхности кремния зондом АСМ / Д.В.Щеглов, E.E.Родякина, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Кремний-2002: совещание по росту кристаллов, пленок, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г.: тез. докл. - Новосибирск, 2002. - С.68.
  35. НГУ - СО РАН: будущее решается сегодня / Н.Диканский, А.Асеев, Б.Елепов, Р.Сагдеев, О.Васильев, Г.Сапожников, Ю.Ершов, А.Конторович, А.Деревянко, В.Бобков, Н.Добрецов, В.Михайлова // Наука в Сибири. - 2002. - 21 июня (N 24/25). - С.7-8.
    Обсуждение на Президиуме СО РАН вопроса о стратегии развития Новосибирского государственного университета.
  36. Памяти Виктора Иосифовича Белиничера / А.Л.Асеев, Э.Г.Батыев, В.С.Львов, К.А.Кикоин, Л.И.Магарилл, М.В.Садовский, А.В.Чаплик, А.Л.Чернышев, М.В.Энтин // Успехи физических наук. - 2002. - Т.172, N 1. - С.109-110.
  37. Перспективы применения структур кремний-на-изоляторе в микро-, наноэлектронике и микросистемной технике / А.Л.Асеев, В.П.Попов, В.П.Володин, В.Н.Марютин // Микросистемная техника. - 2002. - N 9. - С.23-29.
  38. Atomic steps on the single crystal surface during epitaxy, sublimation and gas reaction / A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko, A.L.Aseev // Journal of the Japanese Association of Crystal Growth. - 2002. - Vol.29, N 1 (Special issue: Recent Trend of Crystal Growth Theory). - P.39.
  39. Atomic steps on a single-crystal surface studied with in situ UHV reflection electron microscopy / A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko, A.L.Aseev // Atomistic Aspects of Epitaxial Growth. - Dordrecht; Boston: Kluwer Academic Publishers, 2002. - P.281-299.
  40. Characterization of stepped silicon surface by reflection electron microscopy / A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, A.L.Aseev // Proceedings of the 15th International Congress on Electron Microscopy (ICEM-15), 1-6 September 2002, Durban, South Africa: abstracts. - [Onderstepoort, South Africa]: Microscopy Society of Southern Africa, 2002. - P.561.
  41. In memory of Viktor Iosifovich Belinicher / A.L.Aseev, E.G.Batyev, V.S.L'vov, K.A.Kikoin, L.I.Magarill, M.V.Sadovskii, A.V.Chaplik, A.L.Chernyshev, M.V.Entin // Physics-Uspekhi. - 2002. - Vol.45, N 1. - P.101-102.
  42. Low dimension properties of nanostructures on ultrathin layers of silicon formed by oxidation of ION cut SOI wafers and electron lithography / V.P.Popov, A.L.Aseev, I.V.Antonova, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, A.A.Franzusov, G.N.Feofanov, V.A.Kolosanov // Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions: proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Kyiv, Ukraine, 15-20 October 2000. - Dordrecht; London: Kluwer Academic Publishers, 2002. - P.87-91. - (Nato Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry; Vol.58).
  43. Nanoporous wire-like superstructure of silicon and silicon/germanium solid solution / A.I.Klimovskaya, I.V.Prokopenko, S.V.Svechnikov, I.P.Ostrovskii, A.K.Gutakovsky, Yu.V.Nastaushev, A.L.Aseev // Materials Science and Engineering C. - 2002. - Vol.19, N 1-2: Current Trends in Nanotechnologies: From Materials to Systems: proceedings of symposium S, EMRS Spring Meeting 2001, Strasbourg, France. - P.205-208.
  44. Nanotechnologies in semiconductor electronics / O.P.Pchelyakov, A.I.Toropov, V.P.Popov, A.V.Latyshev, L.V.Litvin, Yu.V.Nastaushev, A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2002. - Vol.4900: Seventh International Symposium on Laser Metrology Applied to Science, Industry, and Everyday Life. - P.247-256.
  45. Peculiarities of nanooxidation on flat surface / D.V.Sheglov, A.V.Prozorov, D.A.Nasimov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Physics of Low-Dimensional Structures. - 2002. - Vol.5/6. - P.239-246.
  46. Peculiarities of nanooxidation on flat surface / D.V.Sheglov, A.V.Prozorov, D.A.Nasimov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Proceedings of the Scanning Probe Microscopy-2002 (SPM-2002): International Workshop, 3-6 March, Nizhny Novgorod, Russia. - VSV, 2002. - P.126-127.
  47. The state of the art and prospects of CdxHg1-xTe molecular beam epitaxy / V.S.Varavin, A.K.Gutakovsky, S.A.Dvoretsky, V.A.Kartashev, A.V.Latyshev, N.N.Mikhailov, D.N.Pridachin, V.G.Remestnik, S.V.Rukhlitsky, I.V.Sabinina, Yu.G.Sidorov, V.P.Titov, V.A.Shvetz, M.V.Yakushev, A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2002. - Vol.5126: 17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices. - P.398-406.
  48. Structural transformations and nanostuctural formation on the stepped silicon surface / A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, D.V.Scheglov, A.L.Aseev // Proceeding of the 5-th Russia-Japan seminar on semiconductor surface, RJSSS-5, Vladivostok, Sept. 15-20, 2002. - Vladivostok, 2002. - Vol.B2
  49. Ti/TiOx/Ti lateral tunnel junctions for single electron transistor / L.V.Litvin, V.A.Kolosanov, D.G.Baksheev, V.A.Tkachenko, K.P.Mogilnikov, A.G.Cherkov, A.L.Aseev // Nanostructures: physics and technology: 10th International symposium, St.Petersburg, June 17-21, 2002: proceedings. - St.Petersburg: Ioffe inst., 2002. - P.339-342.
  50. 20-nm resolution of electron litography for the nano-devices on ultrathin SOI film / Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, M.Kachanova, L.Nenasheva, V.A.Kolosanov, О.V.Naumova, V.P.Popov, A.L.Aseev // Materials Science and Engineering C. - 2002. - Vol.19, N 1-2: Current Trends in Nanotechnologies: From Materials to Systems, Proceedings of Symposium S, EMRS Spring Meeting 2001, Strasbourg France. - P.189-192.
  51. Асеев А.Л. Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития / А.Л.Асеев, О.П.Пчеляков, А.И.Торопов // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2003. - Т.46, N 6. - С.21-26.
  52. Диагностика электрофизических свойств поверхности полупроводников зондом АСМ / Д.В.Щеглов, B.Л.Альперович, Н.С.Рудая, А.С.Терехов, А.В.Латышев, A.Л.Асеев // VI Российская конференция по физике полупроводников, 27-31 окт. 2003: тез. докл. - Санкт-Петербург: Физ.-техн. институт им. А.Ф. Иоффе. - СПб., 2003. - С.232.
  53. Наноматериалы и нанотехнологии / Ж.И.Алферов, А.Л.Асеев, С.В.Гапонов, П.С.Копьев, В.И.Панов, Э.А.Полторацкий, Н.Н.Сибельдин, Р.А.Сурис // Микросистемная техника. - 2003. - N 8. - С.3-13.
  54. Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации / О.В.Наумова, И.В.Антонова, В.П.Попов, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, Л.В.Литвин, А.Л.Асеев // Физика и техника полупроводников. - 2003. - T.37, N 10. - С.1253-1259.
  55. Новый элемент памяти для электрически перепрограммируемого запоминающего устройства на основе диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью / В.А.Гриценко, К.А.Насыров, Ю.Н.Новиков, А.Л.Асеев // Микроэлектроника. - 2003. - Т.32, N 2. - С.90-96.
  56. Одноэлектронная зарядка треугольных квантовых точек кольцевого интерферометра / В.А.Ткаченко, А.А.Быков, Д.Г.Бакшеев, О.А.Ткаченко, Л.В.Литвин, А.В.Латышев, Т.А.Гаврилова, А.Л.Асеев, О.Эстибаль, Ж.К.Портал // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2003. - Т.124, N 2. - С.351-366.
  57. Особенности электронно-лучевой литографии при создании полевых нанотранзисторов на КНИ / Ю.В.Настаушев, В.М.Кудряшов, Т.А.Гаврилова, Д.В.Щеглов, М.М.Качанова, Ф.Н.Дульцев, В.П.Попов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // XIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка: тез. докл. - ИТПМ РАН, 2003. - С.102.
  58. Региональная межотраслевая программа "Силовая электроника Сибири" / М.Ф.Резниченко, А.Л.Асеев, В.В.Калинин, Г.А.Сапожников, Б.И.Ивлев, Н.Г.Горчакова, С.А.Харитонов, Ф.А.Кузнецов // Вестник Уральского гос. техн. ун-та. - 2003. - N 5, ч.2. - С.281-285.
  59. Статус МЛЭ CdHgTe в тепловизионной технике / Белоконев В.М., Крайлюк А.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Дегтярев Е.В., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., А.Л.Асеев // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники: тез. докл. совещания "Фотоника-2003", 28-31 авг. 2003 г. - Новосибирск, 2003. - С.11.
  60. Структурные трансформации поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота и меди / Д.В.Щеглов, С.С.Косолобов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе "Кремний 2003": тез. докл. - Москва: МИСиС, 2003. - С.277.
  61. Aseev A.L. Physics and technology of III-V heterostructures: current status and trends in the development / A.L.Aseev, O.P.Pchelyakov, A.I.Toropov // Russian Physics Journal. - 2003. - Vol.46, N 6. - P.552-558.
  62. Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at room temperature / O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, N.V.Sapognikova, Y.V.Nastaushev, E.V.Spesivtsev, A.L.Aseev // Microelectronic Engineering. - 2003. - Vol.66, N 1/4. - P.457-462.
  63. Coulomb interaction of trianglular quantum dots in a small ring interferometer / D.G.Baksheyev, A.A.Bykov, V.A.Tkachenko, O.A.Tkachenko, L.V.Litvin, A.V.Latyshev, A.L.Aseev, O.Estibals, J.C.Portal // Nanostructures: physics and technology: 11th International symposium, St.Petersburg, Russia, June 23-28, 2003: proceedings. - St.Petersburg: Ioffe inst., 2003. - P.152-154.
  64. Coulomb interaction of triangular quantum dots in a small ring interferometer / D.G.Baksheyev, A.A.Bykov, V.A.Tkachenko, O.A.Tkachenko, L.V.Litvin, A.V.Latyshev, A.L.Aseev, O.Estibals, J.-C.Portal // International Journal of Nanoscience. - 2003. - Vol.2, N 6. - P.495-503.
  65. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator / Yu.V.Nastaushev, Т.А.Gavrilova, М.М.Kachanova, O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, L.V.Litvin, D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Nanostructures: physics and technology: 11th International symposium, St.Petersburg, Russia, June 23-28, 2003: proceedings. - St.Petersburg: Ioffe inst., 2003. - P.240-241.
  66. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices / V.S.Varavin, V.V.Vasiliev, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, V.N.Ovsyuk, Yu.G.Sidorov, A.O.Suslyakov, M.V.Yakushev, A.L.Aseev // Opto-electronics Review. - 2003. - Vol.11, N 2. - P.99-111.
  67. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices / V.S.Varavin, V.V.Vasiliev, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, V.N.Ovsyuk, Yu.G.Sidorov, A.O.Suslyakov, M.V.Yakushev, A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2003. - Vol.5136: Solid State Crystals 2002: Crystalline Materials for Optoelectronics, October 21, 2003. - P.381-395.
  68. High-permittivity-insulator EEPROM cell using Al2O3 or ZrO2 / V.A.Gritsenko, Yu.N.Novikov, A.L.Aseev, K.A.Nasyrov // Russian Microelectronics. - 2003. - Vol.32, N 2. - P.69-74.
  69. Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale device fabrication / O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, Y.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, L.V.Litvin, A.L.Aseev // Microelectronic Engineering. - 2003. - Vol.69, N 2/4. - P.168-172.
  70. Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe / D.V.Sheglov, Yu.V.Nastaushev, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Nanostructures: physics and technology: 11th International symposium, St.Petersburg, Russia, June 23-28, 2003: proceedings. - St.Petersburg: Ioffe inst., 2003. - P.143-144.
  71. Nanoscale local anodic oxidation and direct scratching of GaAs films by AFM probe / D.Sheglov, D.Kwon, A.Toropov, A.V.Latyshev, A.Aseev // Tenth the Asia-Pacific Academy of Materials (APAM) topical seminar and Third conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and technology", 2-6 June, 2003, Novosibirsk, Russia: proceedings. - Novosibirsk, 2003. - P.245-246.
  72. A new low voltage fast SONOS memory with high-k dielectric / V.A.Gritsenko, K.A.Nasyrov, Y.N.Novikov, A.L.Aseev, S.Y.Yoon, J.-W.Lee, E.-H.Lee, C.W.Kim // Solid-State Electronics. - 2003. - Vol.47, N 10: Contains papers selected from the 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics. - P.1651-1656.
  73. Sheglov D.V. Nanopatterning on flat surfaces by AFM Tip / D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Scanning tunneling microscopy/spectroscopy and related techniques: 12th International conference STM'03, Eindhoven (NETHERLANDS), 21-25 July 2003. - P.550-555. - (AIP conference proceedings; Vol.696)
  74. Silicon-on-insulator nanotransistors: prospects and problems of fabrication / O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, L.V.Litvin, A.L.Aseev // Semiconductors. - 2003. - Vol.37, N 10. - P.1222-1228.
  75. Single-electron charging of triangular quantum dots in a ring interferometer / V.A.Tkachenko, A.A.Bykov, D.G.Baksheev, O.A.Tkachenko, L.V.Litvin, A.V.Latyshev, T.A.Gavrilova, A.L.Aseev, O.Estibals, J.C.Portal // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2003. - Vol.97, N 2. - P.317-330.
  76. Status of molecular beam epitaxy of CdxHg1-xTe / A.P.Antsiferov, L.D.Burdina, V.S.Varavin, A.K.Gutakovsky, S.A.Dvoretsky, V.A.Kartashev, N.N.Mikhailov, D.N.Pridachin, V.G.Remesnik, S.V.Rykhlitskii, I.V.Sabinina, Yu.G.Sidorov, E.V.Spesivtsev, V.P.Titov, V.A.Shvets, M.V.Yakushev, A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2003. - Vol.5065: Sixth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics, April 15, 2003. - P.226-234.
  77. Ti/TiOx /Ti lateral tunnel junctions for single electron transistor / L.V.Litvin, V.A.Kolosanov, D.G.Baksheev, V.A.Tkachenko, K.P.Mogilnikov, A.G.Cherkov and A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2003. - Vol.5023: 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology. - P.302-305.
  78. Амплитуда осцилляций Ааронова-Бома в малых баллистических интерферометрах / В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, А.И.Торопов, О.А.Ткаченко, Д.Г.Бакшеев, А.Л.Асеев // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. - 2004. - Т.79, N 3. - С.168-172.
  79. Асеев А. 40 лет Институту физики полупроводников СО РАН / А.Асеев // Наука в Сибири. - 2004. - 24 сентября (N 37/38). - С.6-7.
  80. Когерентное рассеяние в малой квантовой точке / В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, З.Д.Квон, Д.Г.Бакшеев, А.Л.Асеев, Ж.К.Портал // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2004. - Т.80, N 9. - С.688-692.
  81. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / [Н.Н.Михайлов, Р.Н.Смирнов, С.А.Дворецкий и др.]; отв. ред. А.Л.Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. - 367  с.
      Из содерж.:
    • Электронно-лучевая литография сфокусированными пучками и ее применение для изготовления квантовых структур и элементов наноэлектоники / Ю.В.Настаушев, Л.В.Литвин, Т.А.Гаврилова, А.Е.Плотников, А.Л.Асеев. - С.120-132;
    • Создание и исследование наноразмерных структур зондом АСМ /Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. - С.132-153;
    • Исследование полупроводниковых гетеросистем современными методами просвечивающей электронной микроскопии / А.К.Гутаковский, А.Л.Асеев. - С.154-179;
    • Атомные механизмы кластеризации собственных точечных дефектов в Si / Л.И.Федина, А.Л.Асеев. - С.179-201;
    • Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия / А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.А.Насимов, А.Л.Асеев. - С.202-235;
    • Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники / В.П.Попов, А.Л.Асеев, А.А.Французов и др. - С.337-362.
  82. Новые возможности нанолитографии зондом атомно-силового микроскопа / Д.В.Щеглов, Е.Е.Родякина, С.С.Косолобов, Д.А.Насимов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Материалы IV конференции молодых ученых, посвященной М.А. Лаврентьеву, Новосибирск, 17-19 нояб. 2004 г.: [в 2 т.]. - Новосибирск, 2004. - Ч.1: Математика и информатика, механика и энергетика, физико-технические науки, химические науки. - 2004. - С.107-111.
  83. Новые возможности нанолитографии зондом атомно-силового микроскопа / Д.В.Щеглов, Е.Е.Родякина, А.В.Латышев, А.Л.Асеев // Микросистемная техника. - 2004. - N 9. - С.8-15.
  84. Попов В.П. Нанотранзисторы на структурах кремний-на-изоляторе / В.П.Попов, А.Л.Асеев // Наука Москвы и регионов. - 2004. - N 3. - С.66-69.
  85. Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой электроники / Ю.Г.Сидоров, А.И.Торопов, В.В.Шашкин, В.Н.Овсюк, В.А.Гайслер, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.В.Двуреченский, О.П.Пчеляков, В.Я.Принц, В.П.Попов, А.Л.Асеев // Автометрия. - 2004. - Т.40, N 2. - С.4-19.
  86. Региональная межотраслевая программа "Силовая электроника Сибири" / Ф.А.Кузнецов, М.Ф.Резниченко, А.Л.Асеев, В.В.Калинин, Г.А.Сапожников, Б.И.Ивлев, Н.Г.Горчакова, С.А.Харитонов // Местное самоуправление и стратегия устойчивого развития крупного города: материалы междунар. науч.-практ. конф., Новосибирск, 27-29 янв. 2004 г. - Новосибирск, 2004. - 165-169.
  87. Статус молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллур в тепловизионной технике / В.М.Белоконев, А.Д.Крайлюк, Е.В.Дегтярев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Д.Н.Придачин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, А.Л.Асеев // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. - 2004. - Т.47, N 9. - С.7-19.
  88. Aharonov-Bohm oscillation amplitude in small ballistic interferometers / V.A.Tkachenko, Z.D.Kvon, D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.I.Toropov, O.A.Tkachenko, D.G.Baksheyev, A.L.Aseev // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. - 2004. - Vol.79, N 3. - P.136-140.
  89. Coherent scattering in a small quantum dot / V.A.Tkachenko, O.A.Tkachenko, Z.D.Kvon, D.G.Baksheev, A.L.Aseev, J.C.Portal // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. - 2004. - Vol.80, N 9. - P.588-592.
  90. FET on ultrathin SOI (fabrication and research) / O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, Y.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, M.M.Kachanova, L.V.Litvin, A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2004. - Vol.5401: Micro- and Nanoelectronics 2003. - P.323-331.
  91. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator / Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, M.M.Kachanova, O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, L.V.Litvin, D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // International Journal of Nanoscience. - 2004. - Vol.3, N 1/2. - P.155-160.
  92. Nano-patterning of silicon-based nanostructures by AFM probe / D.V.Sheglov, Yu.V.Nastaushev, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // International Journal of Nanoscience. - 2004. - Vol.3, N 1/2. - P.75-80.
  93. Silicon based nanostructure fabrication: In situ characterization, growth mechanisms and anomalies / A.V.Latyshev, D.V.Sheglov, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, A.L.Aseev // Nanostructures: physics and technology: 12 International symposium, St.Petersburg, June 21-25, 2004. - St.Petersburg, 2004. - P.136-138.
  94. Ред.: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / [Н.Н.Михайлов, Р.Н.Смирнов, С.А.Дворецкий и др.]; отв. ред. А.Л.Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. - 367 с.
  95. Асеев А.Л. Живы научными достижениями: Институт физики полупроводников СО РАН / А.Л.Асеев // Сибирская столица. - 2005. - N 39. - С.73-76.
  96. Асеев А.Л. Наноматериалы и нанотехнологии / А.Л.Асеев // Нано- и микросистемная техника. - 2005. - N 3. - С.2-11.
  97. Асеев А. Праздник науки / А.Асеев // Наука в Сибири. - 2005. - 4 ноября (N 42). - С.4.
  98. Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs / В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, А.Л.Асеев // Оптический журнал. - 2005. - Т.72, N 6. - С.63-69.
  99. Наноматериалы и нанотехнологии / Ж.И.Алферов, П.С.Копьев, Р.А.Сурис, А.Л.Асеев, С.В.Гапонов, В.И.Панов, Э.А.Полторацкий, Н.Н.Сибельдин // Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам: сб. ст. - М.: Техносфера, 2005. - С.19-34.
  100. Новый элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства / В.А.Гриценко, К.А.Насыров, Д.В.Гриценко, Ю.Н.Новиков, А.Л.Асеев, Д.Х.Ли, Д.-В.Ли, Ч.В.Ким // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т.39, N 6. - С.748-753.
  101. In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface / A.L.Aseev, S.S.Kosolobov, A.V.Latyshev, S.A.Song, A.A.Saranin, A.V.Zotov, V.G.Lifshits // Physica Status Solidi (A). - 2005. - Vol. 202, N 12. - P.2344-2354.
  102. Infrared photodetector modules based on variband layers of HgCdTe and on structures with GaAs/AlGaAs quantum wells / V.V.Vasil'ev, V.N.Ovsyuk, V.V.Shashkin, A.L.Aseev // Journal of Optical Technology. - 2005. - Vol.72, N 6. - P.474-479.
  103. MWIR and LWIR detectors based on HgCdTe/CdZnTe/GaAs heterostructures / S.A.Dvoretsky, V.S.Varavin, N.N.Mikhailov, Yu.G.Sidorov, T.I.Zakharyash, V.V.Vasiliev, V.N.Ovsyuk, G.V.Chekanova, M.S.Nikitin, I.Y.Lartsev, A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2005. - Vol.5964: Detectors and Associated Signal Processing II. - P.75-86.
  104. A new memory element based on silicon nanoclusters in a ZrO2 insulator with a high permittivity for electrically erasable read-only memory / V.A.Gritsenko, D.V.Gritsenko, Yu.N.Novikov, A.L.Aseev, K.A.Nasyrov, J.H.Lee, J.-W.Lee, C.W.Kim // Semiconductors. - 2005. - Vol.39, N 6. - P.716-721.
  105. Sheglov D.V. The deepness enhancing of an AFM-tip induced surface nanomodification / D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // Applied Surface Science. - 2005. - Vol.243, N 1-4. - P.138-142.
  106. Steering of electron wave in three-terminal small quantum dot / O.A.Tkachenko, V.A.Tkachenko, Z.D.Kvon, D.G.Baksheev, J.-C.Portal, A.L.Aseev // Nanostructures: physics and technology: proceedings 13th International symp., St.Petersburg, June 20-25, 2005. - St.Petersburg, 2005. - P.8-9.
  107. Асеев А.Л. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники / А.Л.Асеев // Российские нанотехнологии. - 2006. - Т.1, N 1/2. - С.97-110.
  108. Асеев А.Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / А.Л.Асеев // Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т.76, N 7. - С.603-611.
  109. Асеев А.Л. Наука должна стать производственной силой: беседа с академиком А.Л.Асеевым / беседовал И.В.Шахнович // Электроника: Наука, технология, бизнес. - 2006. - N 6. - С.4-11. - URL:http://www.electronics.ru/files/article_pdf/0/article_768_221.pdf
  110. Асеев А. Солнечная энергетика: состояние и перспективы развития: изложение доклада на Общем собрании СО РАН / А.Асеев // Наука в Сибири. - 2006. - 13 января (N 1/2). - С.12.
  111. Асеев А. Физика полупроводников, наноэлектроника и нанотехнологии / А.Асеев // Наука в Сибири. - 2006. - 21 сентября (N 37). - С.3.
  112. Асеев А. Чтут в Сибири / А.Асеев // Поиск. - 2006. - 15 октября. - С.2.
    Об избрании вице-президента РАН Ж.И. Алферова почетным председателем ученого совета Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН.
  113. Атомная структура полупроводниковых систем: [кол. моногр.] / [А.Л.Асеев, Ю.Д.Ваулин, С.И.Стенин и др.]; отв. ред. А.Л.Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Изд-во Сиб. отд-ния Рос. акад. наук, 2006. - 292 с.
    Оглавление
  114. Двухзонная проводимость TiO2 / Д.В.Гриценко, С.С.Шаймеев, В.В.Атучин, Т.И.Григорьева, Л.Д.Покровский, О.П.Пчеляков, В.А.Гриценко, А.Л.Асеев, В.Г.Лифшиц // Физика твердого тела. - 2006. - Т.48, N 2. - С.210-213.
  115. Латышев А.В. Моноатомные ступени на поверхности кремния / А.В.Латышев, А.Л.Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Изд-во Сиб. отд-ния Рос. акад.наук, 2006. - 241 с.
  116. Неизвестный И.Г. Тенденции развития современной кремниевой наноэлектроники / И.Г.Неизвестный, А.Л.Асеев // Кремний-2006: III Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследование их физических свойств и структурного совершенства, Красноярск, 4- 6 июля 2006 г.: тез. докладов. - Красноярск, 2006. - С.14-16.
  117. Солнечная энергетика: состояние и перспективы развития / А.Л.Асеев, О.П.Пчеляков, О.И.Семенова, А.И.Непомнящих, Р.Г.Шарафутдинов // Проблемы нетрадиционной энергетики: материалы научной сессии Президиума Сиб. отд-ния РАН. - Новосибирск, 2006. - С.166-189.
  118. Aseev A.L. Nanotechnologies in semiconductor electronics / A.L.Aseev // Herald of the Russian Academy of Sciences. - 2006. - Vol.76, N 4. - P.318-325.
  119. LWIR detectors for subthermonuclear plasma study / V.Vasiliev, V.Varavin, S.Dvoretsky, I.Marchishin, N.Mikhailov, Y.Sidorov, V.N.Ovsyuk, A.Suslyakov, A.Aseev, V.Burmasov, O.Gorbunov, E.Kruglyakov, S.Polosatkin // Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2006), Shanghai, China, 18-22 september 2006. - Piscataway, 2006.- P.210.
  120. MCT infrared photodiodes on the basis of graded gap Р-р heterojunction grown by MBE HgCdTe epilayers on GaAs / V.V.Vasiliev, V.G.Remesnik, S.A.Dvoretsky, V.S.Varavin, N.N.Mikhailov, Yu.G.Sidorov, A.O.Suslyakov, A.L.Aseev // Proceedings of SPIE. - 2006. - Vol.6189: Optical Sensing II. - P.579-583.
  121. Quantum hall liquid-insulator and plateau-to-plateau transitions in a high mobility 2DEG in a HgTe quantum well / E.B.Olshanetsky, S.Sami, Z.D.Kvon, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky, J.C.Portal, A.L.Aseev // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. - 2006. - Т.84, N 10. - С.661-665; то же: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). - 2006. - Vol.84, N 10. - P.565-569.
  122. Two-band conduction in TiO2 / D.V.Gritsenko, S.S.Shaimeev, V.V.Atuchin, T.I.Grigor'eva, L.D.Pokrovskii, O.P.Pchelyakov, V.A.Gritsenko, A.L.Aseev, V.G.Lifshits // Physics of the Solid State. - 2006. - Vol.48, N 2. - P.224-228.
  123. Ред.: Атомная структура полупроводниковых систем: / [ А.Л.Асеев, Ю.Д.Ваулин, С.И.Стенин и др.]; отв. ред. А.Л.Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Изд-во Сиб. отд-ния Рос. акад. наук, 2006. - 292 с.

  124. Асеев А.Л. Еще раз об эффективности науки, показателях результативности и реальностях жизни / А.Л.Асеев // Наука в Сибири. - 2007. - 8 ноября (N 43). - С.2.
  125. Асеев А.Л. Квантовые наноструктуры: физика и технология / А.Л.Асеев, А.В.Двуреченский // Наука и нанотехнологии: материалы научной сессии Президиума Сиб. отд-ния РАН, 22 декабря 2006. - Новосибирск, 2007. - С.11-25.
  126. Асеев А.Л. Наноматериалы, наноэлектроника и нанобиотехнологии: из докл. акад. А.Л. Асеева на Общ. собр. СО РАН 14 дек. 2007 г. / А.Л.Асеев // Наука в Сибири. - 2007. - 27 декабря (N 50). - С.4.
  127. Асеев А.Л. Настоящее и будущее физики полупроводников / А.Л.Асеев // Промышленник России. - 2007. - N 9. - С.98-99.
  128. Асеев А.Л. Открытия на поверхности полупроводников / А.Л.Асеев // Наука из первых рук. - 2007. - N 2. - С.36-38.
  129. Конкурс программ развития научно-исследовательских институтов: основные цели и критерии отбора: "круглый стол" / А.Асеев, В.Сычев, Т.Маринина, Н.Ляхов, В.Задорожный, О.Потатуркин, В.Пармон, Ф.Кузнецов, А.Латышев, О.Пчеляков, А.Карпушин // Ученый совет. - 2007. - N 12. - С.59-63.
  130. Матричные фотоприемные устройства субмиллиметрового диапазона на основе пленок PbSnTe: In / А.Н.Акимов, А.Э.Климов, В.Н.Шумский, А.Л.Асеев // Автометрия. - 2007. - N 4. - С.63-73.
  131. Матричный фотоприемник на основе варизонного изотипного P-p-перехода в слоях КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков, А.Л.Асеев // Автометрия. - 2007. - N 4. - С.17-24.
  132. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: [кол. моногр.] / [Н.Н.Михайлов, Р.Н.Смирнов, С.А.Дворецкий,...А.Л.Асеев и др.]; отв. ред. А.Л.Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - 2-е изд., стер. - Новосибирск: Изд-во Сиб. отд-ния РАН, 2007. - 367 с.
  133. СВЧ-детектор на основе КРТ-фотодиода для исследования субтермоядерной плазмы / В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, И.В.Марчишин, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков, В.Н.Овсюк, В.С.Бурмасов, С.С.Попов, Э.П.Кругляков, А.Л.Асеев // Автометрия. - 2007. - N 4. - С.5-16.
  134. Юрий Васильевич Копаев (к 70-летию со дня рождения) / Ж.И.Алферов, А.Ф.Андреев, А.Л.Асеев, С.Н.Багаев, В.Л.Гинзбург, А.А.Горбацевич, В.Ф.Елесин, Л.В.Келдыш, О.Н.Крохин, Е.Г.Максимов, Г.А.Месяц, Ю.А.Чаплыгин // Успехи физических наук. - 2007. - Т.177, N 11. - С.1251-1252.
  135. A focal plane array detector based on a variband isotype P-p junction in MCT layers grown by molecular beam epitaxy / V.V.Vasilyev, S.A.Dvoretsky, V.S.Varavin, N.N.Mikhailov, V.G.Remesnik, Yu.G.Sidorov, A.O.Suslyakov, A.L.Aseev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2007. - Vol.43, N 4. - P.308-313.
  136. A microwave detector based on an MCT photodiode for subthermonuclear plasma research / , V.V.Vasilyev, S.A.Dvoretsky, V.S.Varavin, N.N.Mikhailov, I.V.Marchishin, Yu.G.Sidorov, A.O.Suslyakov, V.N.Ovsyuk, V.S.Burmasov, S.S.Popov, E.P.Kruglyakov, A.L.Aseev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2007. - Vol.43, N 4. - P.299-307.
  137. Nano-patterning on the basis of germanium compositions using scanning probe microscopy / K.N.Astankova, E.B.Gorokhov, D.V.Sheglov, V.A.Volodin, A.V.Latyshev, A.L.Aseev // 8th Annual International Siberian workshop and tutorials on electron devices and materials, EDM'07. Ses.I, July 1-5, ERLAGOL: proceedings. - Novosibirsk, 2007. - P.86-87.
  138. Properties of silicon nanowhiskers grown by molecular-beam epitaxy / O.V.Naumova, Y.V.Nastaushev, S.N.Svitasheva, L.V.Sokolov, P.Werner, N.D.Zakharov, T.A.Gavrilova, F.Dultsev, A.L.Aseev // AIP Conference Proceedings. - 2007. - Vol.893: Physics of Semiconductors: 28th International Conference - ICPS 2006, pt.B. - P.739-740.
  139. Submillimeter photodetector array on PbSnTe: in films / A.N.Akimov, A.E.Klimov, V.N.Shumsky, A.L.Aseev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2007. - Vol.43, N 4. - P.342-350.
  140. Yurii Vasil'evich Kopaev (on his 70th birthday) / Zh.I.Alferov, A.F.Andreev, A.L.Aseev, S.N.Bagaev, V.L.Ginzburg, A.A.Gorbatsevich, V.F.Elesin, L.V.Keldysh, O.N.Krokhin, E.G.Maksimov, G.A.Mesyats, Y.A. Chaplygin // Physics-Uspekhi. - 2007. - Vol.50, N 11. - P.1189-1190.
 
1969-1997НачалоНачало списка ПродолжениеПродолжение2008-2010
 
Научные школы ННЦ А.Л.Асеев | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Клара Елкина и Сергей Канн  
 

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2017 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Tue Jul 5 11:33:27 2016. Размер: 50,969 bytes.
Посещение N 464 с 12.04.2016