247.
(11) 2102819
(46) 20.01.98
(51) 6 Н 01 L 29/93
(21) 94008630/25
(22) 14.03.94
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Иоффе Валерий Моисеевич, Чикичев Сергей Ильич
(72) Иоффе В. М., Чикичев С. И.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Иоффе Валерий Моисеевич, Чикичев Сергей Ильич
(54) ВАРАКТОР
(57) Использование: изобретение относится к области полупроводниковых приборов, реактивностью которых управляют, с помощью напряжения, а именно к варакторам. Сущность: в варакторе, состоящем из рабочей области с омическим контактом, на которой сформирован р-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, рабочая область вы-полнена в виде плоскопараллельной пластины из полупроводника, в котором вдоль поверхности, в направлении х, создан неоднородный профиль распределения примеси Ni(х) (Nmax< Ni (х) < Nmin). Р-n переход сформирован с двух сторон пластины на участке, содержащем этот профиль, а толщина пластины t удовлетворяет условию: 2R(0, Nmin) < t ≤ 2R (Uпрmin), где R (Uпрmin) - толщина области пространственного заряда при минимальном напряжении пробоя Uпр, R(0, Nmin) - толщина области пространственного заряда при нулевом смещении. Заданный закон изменения емкости варактора от напряжения обеспечивают выбором функциональной зависимости у(х), размера р-n перехода в направлении у. Рабочая область варактора также может быть полупроводниковой пленкой толщиной d на подложке, р-n переход сформирован на одной стороне, а толщина пленки удовлетворяет условию: R (0, Nmin) < d ≤ R (Uпpmin). Получены варакторы с наперед заданной убывающей зависимостью С(U), в том числе и линейной, с большими коэффициентами перекрытия по емкости, которые не л имитируются напряжением пробоя. Существенно упрощена технология изготовления приборов. 1 з. п. ф-лы, 4 ил.
|
|
