244.
(11) 2112300
(46) 27.05.98
(51) 6 Н 01 L 21/308
(21) 95103451/25
(22) 10.03.95
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Принц Виктор Яковлевич, Селезнев Владимир Александрович, Принц Александр Викторович
(72) Принц В.Я., Селезнев В. А, Принц А В.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Принц Виктор Яковлевич, Селезнев Владимир Александрович, Принц Александр Викторович
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОЙ МАСКИ ДЛЯ НАНОЛИТОГРАФИИ
(57) Использование: в технологии микро- и наноэлектроники, для изготовления защитной маски, необходимой для производства твердотельных приборов с характерными нанометровыми размерами элементов. Сущность изобретения: при изготовлении защитной маски для нанолитографии под монокристаллическим защитным слоем формируют вспомогательный слой, который селективно вытравливают под локальными областями защитного слоя, предназначенными для формирования окон, а в самих локальных областях слоя изготавливают концентраторы напряжений и создают механические напряжения, приводящие к контролируемому трещинообразованию. Защитный и вспомогательный слои формируют в едином технологическом процессе при выращивании твердотельной структуры. 1 3. п. ф-лы, 4 ил.
|
|
