243.
(11) 2123218
(46) 10.12.98
(51) 6 Н 01 L 21/20
(21) 97103165/25
(22) 04.03.97
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Романов Сергей Иванович
(72) Романов С. И., Кириенко В. В., Соколов Л. В., Машанов В. И., Ламин М. А
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Романов Сергей Иванович
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ "ПОЛУПРОВОДНИК НА ПОРИСТОМ КРЕМ-
НИИ"
(57) Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния р-типа, сушку в атмосфере кислорода, удаление с поверхности пористого слоя окиси кремния потоком молекулярного кремния и эпитаксию полупроводника на поверхности пористого слоя. После анодного травления кремниевую подложку с пористым слоем промывают в деионизованной воде, затем подвергают анодному окислению в растворе соляной кислоты и вновь промывают в деионизованной воде, а эпитаксию проводят, используя как элементарные полупроводники, так и полупроводниковые соединения. В качестве материала подложки может быть использован сильнолегированный монокристаллический кремний р-типа технического качества. Техническим результатом изобретения является увеличение сопротивления электрическому току пористого слоя, уменьшение потребности в высокочистом кремнии, а также использование в качестве материала эпитаксиальной пленки как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений. 1 3. п. ф-лы, 6 ил.
|
|
