146.
(11) 2111291
(46) 20.05.98
(51) 6 С 30 В 23/08
(21) 95102853/25
(22) 01.03.95
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН
(72) Блинов В. В., Горяев Е. П., Дворецкий С. А, Михайлов Н. Н., Мясников В. Н., Сидоров Ю. Г, Стенин С. И.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
(57) Использование: устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий. Устройство содержит вакуумную технологическую камеру, размещенные в ней напротив подложки кольцевые рассеиватели, системы подачи паров материалов, соединяющие рассеиватели с источниками паров материалов, манипулятор для перемещения подложек и охлаждаемые экраны. Кольцевые рассеиватели установлены в технологической камере в виде пакета друг относительно друга, источники паров вынесены за пределы технологической камеры и снабжены системами подачи газовых металлоорганических соединений, а в камере кольцевого рассеивателя установлена дросселирующая решетка, разделяющая ее на две кольцевые камеры. К технологической камере присоединены шлюзовые камеры, в которых размещены системы загрузки испаряемых материалов, включающие в себя источники паров твердых материалов, снаб-женные запорными устройствами, узлами стыковки с паропроводами или кольцевыми рассеивателями и связанные со шлюзовой камерой вакуумными вводами движения с приводами, обеспечивающими перемещение источников для стыковки с паропроводами или кольцевыми источниками. 12 з. п. ф-лы, 8 ил.
|
|
