341.
(11) 2083029
(46) 27.06.97
(51) 6 Н 01 L 29/93
(21) 94008629/25
(22) 14.03.94
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Иоффе Валерий Моисеевич, Чикичев Сергей Ильич
(72) Иоффе В. М., Чикичев С. И.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Иоффе Валерий Моисеевич, Чикичев Сергей Ильич
(54) ВАРАКТОР
(57) Изобретение относится к полупроводниковым приборам, реактивностью которых управляют с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор состоит из рабочей области из однородно легированного полупроводника с омическим контактом, на которой сформирован р-n переход с другим контактом. Рабочая область выполнена в форме усеченной треугольной призмы: стороны основания L1, L2 и D. На боковых гранях рабочей области с основаниями L1 и L2 сформированы р-n переходы и/или барьеры Шоттки с общим контактом, а на грани с основанием D изготовлен омический контакт. Емкость варактора С от обратного смещения U в диапазоне обратных смещений Umin ≤ U ≤ Umax удовлетворяет условию: C(U) ≤ εεo [ S1 / R(U) + S2 / R(U)],
где S1 и S2 - геометрические площади граней с основаниями L1 и L2 соответственно ; R(U) - толщита области пространственного заряда в полупроводнике при обратном смещении U; εo = 8,85 · 10-12 Ф/м ; ε - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника. Концентрацию примеси в рабочей области и ее геометрические параметры выбирают так, что при увеличении обратного смещения за счет перекрытия ОПЗ от противолежащих граней изменяются действующие площади обкладок S1 (U) и S2 (U); при этом необходимый закон изменения S(U) обеспечивают либо соответствующим выбором зависимости высоты грани f(Н) от расстояния Н, измеренного вдоль L1 и L2 от точки пересечения сторон L1 и L2 со стороной D, либо - при заданной f(Н) - выбором зависимости расстояния между L1 и L2 от Н, причем размер стороны D удовлетворяет условию : 2R(Uпр) ≥ 2R(О), где Uпр - напряжение пробоя. Рабочая область может быть легирована неоднородно. Одна из граней варактора с основанием L1 и L2 представляет собой границу раздела легированный полупроводник - изолирующая подложка. 2 з. п. ф-лы, 9 ил.
|
