340.
(11) 2097872
(46) 27.11.97
(51) 6 Н 01 L 21/66
(21) 95103452/25
(22) 10.03.95
(71) Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Принц В. Я., Панаев И. А
(73) Институт физики полупроводников СО РАН
(54) НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НА
ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
(57) Использование: полупроводниковая техника для неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов. НеразрушающийСВЧ-способ измерения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках предусматривает формирование неразрушающих контактов к структуре: со стороны полуизолирующей подложки - жидкого, прозрачного для СВЧ-излучения, а со стороны поверхности проводящего слоя - прижимного. Через данные контакты к n-i переходу пленка - полуизолирующая подложка прикладывают обратное постоянное смещение Vподл , которое изменяет ширину области обеднения n-i перехода, и модулируют толщину n-i перехода, прикладывая через эти контакты переменное смещение, V~подл, модулируя тем самым проводимость слоя на краю области обеднения n-i перехода, причем сумма Vподл + V~подл не превосходит напряжения пробоя
n-i перехода. Из измеряемой отраженной СВЧ-мощности выделяют переменную составляющую, из магнитополевой зависимости которой определяют подвижность как функцию обратного смещения, приложенного к n-i переходу, по формуле :
ΔРСВЧ (В, Vподл ) = ΔРСВЧ (В=0, Vподл)/[ 1+(μ(Vподл)В)2], где ΔРСВЧ - переменная составляющая отраженной СВЧ-мощности; μ(Vподл ) - подвижность как функция обратного смещения Vподл ; В - магнитная индукция. 2 с. п. ф-лы, 3 ил.
|
