339.
(11) 2094908
(46) 27.10.97
(51) 6 Н 01 L 21/66
(21) 94020883/25
(22) 03.06.94
(71) Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Принц В. Я.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН
(54) НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ
(57) Использование: полупроводниковая техника, для контроля полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур включает освещение структуры импульсом света с энергией кванта большей, чем ширина запрещенной зоны полупроводника, и измерении СВЧ методом релаксации неравновесной проводимости структуры. Для расширения функциональных возможностей и информативности способа за счет определения концентрации дырок в буферном слое типичных многослойных структур, предназначенных для изготовления интегральных схем и полевых транзисторов, формируют неразрушающие контакты к структуре, прикладывают к структуре смещение и освещают ее светом со стороны подложки, выключают свет и регистрируют постоянную времени релаксации проводимости, по которой определяют концентрацию дырок 4 ил.
|
